Elucidation of the Thermochemical Properties of Triphenyl- or Tributyl-Substituted Si-, Ge-, and Sn-Centered Radicals by Means of Electrochemical Approaches and Computations
作者:Allan Hjarbæk Holm、Tore Brinck、Kim Daasbjerg
DOI:10.1021/ja044687p
日期:2005.3.1
Redox potentials of a number of triphenyl- or tributyl-substituted Si-, Ge-, or Sn-centered radicals, R(3)M(*), have been measured in acetonitrile, tetrahydrofuran, or dimethyl sulfoxide by photomodulated voltammetry or through a study of the oxidation process of the corresponding anions in linear sweep voltammetry. For the results pertaining to the Ph(3)M(*) series (including literature data for M
许多三苯基或三丁基取代的 Si-、Ge- 或 Sn 中心基团 R(3)M(*) 的氧化还原电位已在乙腈、四氢呋喃或二甲亚砜中通过光调制伏安法或通过在线性扫描伏安法中研究相应阴离子的氧化过程。对于Ph(3)M(*)系列的结果(包括M=C的文献数据),还原电位顺序为Sn>Ge>C>Si,而对于两个氧化电位,则为C>西。R 基团对 R(3)Sn(*) 氧化还原性质的影响是显着的,因为当 R 是丁基而不是苯基时,四氢呋喃中的还原电位负负 490 mV(二甲基亚砜中为 390 mV)团体。实验趋势已通过量子化学计算得到证实,并且可以通过考虑多种效应的组合来定性地解释它们,例如较重元素的电荷容量最显着,平面 Ph(3)C(*) 和所有 R(3)M(+)( ),最后是溶剂化的贡献。观察到 R(3)M(-) 的溶剂化作用相对较强,因为在金字塔几何形状中存在相当局部的负电荷。然而,计算中没有证据支持溶剂和阴