1-nitro-[2]naphthonitrile | 1885-78-5

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 萘
• 英文名称: 1-nitro-[2]naphthonitrile
• 英文别名: 1-Nitro-2-cyan-naphthalin；1-Nitro-2-naphthalenecarbonitrile；1-nitronaphthalene-2-carbonitrile
• CAS: 1885-78-5
• 化学式: C₁₁H₆N₂O₂
• 分子量: 198.181
• InChiKey: NQPITHJENKFOOC-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  2.7
• 重原子数：
  15
• 可旋转键数：
  0
• 环数：
  2.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  69.6
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  3

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  1-nitro-[2]naphthonitrile 在 barium dihydroxide 作用下， 生成 1-羟基-2-萘甲酸
  参考文献：
  名称：

  Friedlaender; Littner, Chemische Berichte, 1915, vol. 48, p. 330

  摘要：

  DOI：
• 作为产物：
  描述：

  硝基萘 、 氰乙酸乙酯 在 potassium cyanide 、 potassium hydroxide 、 sodium hydroxide 作用下， 以 水 、 N,N-二甲基甲酰胺 、 二氯甲烷 为溶剂， 反应 1.0h， 以50.7%的产率得到1-nitro-[2]naphthonitrile
  参考文献：
  名称：

  이형고리 화합물 및 이를 포함하는 유기전계발광소자

  摘要：

  This is the Chinese translation of the text you provided: 本发明涉及一种新型的异环戊二烯化合物及包含该化合物的有机电致发光器件，所述异环戊二烯化合物的特征在于其由下式1表示，包含该化合物的有机电致发光器件具有非常优异的驱动电压、发光效率和寿命特性。【化学式 1】

  公开号：

  KR102191024B1

文献信息

• 신규한 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
  申请人：SFC CO., LTD. 에스에프씨 주식회사(120060087061) Corp. No ▼ 135511-0105889BRN ▼134-81-54429

  公开号：KR20180014985A

  公开（公告）日：2018-02-12

  본 발명은 하기 [화학식 A] 또는 [화학식 B]로 표시되는 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자에 관한 것으로서, 상기 [화학식 A] 및 [화학식 B]에서, R내지 R, L1, L2, Ar1 내지 Ar3, n 및 m은 발명의 상세한 설명에 기재된 바와 같다. [화학식 A] [화학식 B]

  This text appears to be a technical description related to organic compounds and organic light-emitting devices represented by chemical formulas A and B. It mentions variables such as R, L1, L2, Ar1 to Ar3, n, and m as detailed in the invention's description.
• 기판 성장 그래핀의 제조방법 및 기판 성장 그래핀
  申请人：LEE, Youn Tek 이윤택(420120335811)

  公开号：KR20160002328U

  公开（公告）日：2016-07-05

  본 고안은, a. 기판에 금속층 구비 그 이후, b. 에칭 가스 및 탄소-포함 가스를 공급하고 상압 화학기상증착(Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition, APCVD)를 수행하되, c. 상기 에칭 가스 공급에서 탄소-포함 가스를 같이 공급하여, 상기 금속층 상에서 그래핀이 성장하며, d. 상기 c 의 공정에서, 계속적인 상압 화학기상증착(Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition, APCVD)를 수행하되, 에칭 가스로 인하여, 금속층의 금속이 계속적으로 전부 제거되어, 금속층을 포함하지 않은 상태로 기판상에 그래핀을 성장시키는 것; 을 특징으로 하는 기판 성장 그래핀의 제조방법을 제공한다. 또한, 본 고안은 기판 성장 그래핀으로써, 상기 기판 성장 그래핀은, 상기 기판의 표면에 직접 접하고, 상기 기판 성장 그래핀의 상기 표면에 평행한 제1의 방향에 있어서의 결정립경은, 해당 기판 성장 그래핀의 해당 표면에 평행한 다른 어느 하나의 방향에 있어서의 결정립경보다 크고, 상기 기판 성장 그래핀의 상기 제1의 방향에 있어서의 결정립경은, 해당 그래핀의 해당 표면에 수직인 방향에 있어서의 결정립경보다 큰 것; 을 특징으로 하는 기판 성장 그래핀을 제공한다. 또한, 본 고안은 기판 성장 그래핀으로써, 해당 기판 성장 그래핀은, 상기 기판의 표면에 직접 접하고, 해당 기판 성장 그래핀은, 상기 표면에 평행한 제1의 방향에 따른 결정립계를 가지며, 해당 기판 성장 그래핀은, 상기 표면에 평행한 제2의 방향에 따른 결정립계를 가지며, 해당 기판 성장 그래핀은, 상기 결정립계에 둘러싸인 영역의 내부에 있어서 단결정인 것; 을 특징으로 하는 기판 성장 그래핀을 제공한다. 또한, 본 고안은 기판 성장 그래핀으로써, 해당 기판 성장 그래핀은, 상기 기판의 표면에 직접 접하고, 해당 기판 성장 그래핀은, 상기 표면에 평행한 제1의 방향에 따른 결정립계를 복수 가지며, 해당 기판 성장 그래핀은, 상기 표면에 평행한 제2의 방향에 따른 결정립계를 복수 가지며, 해당 기판 성장 그래핀은, 상기 결정립계에 둘러싸인 영역의 내부 각각에 있어서 단결정인 것; 을 특징으로 하는 기판 성장 그래핀을 제공한다.

  本发明提供了一种在基板上生长石墨烯的方法，其特征在于：a. 在基板上提供金属层；b. 供应蚀刻气体和含碳气体，并执行常压化学气相沉积（APCVD）；c. 在蚀刻气体供应中同时供应含碳气体，在金属层上生长石墨烯；d. 在上述c的工艺中，连续执行常压化学气相沉积（APCVD），由于蚀刻气体的作用，金属层的金属不断被完全去除，从而在不含金属层的状态下在基板上生长石墨烯。此外，本发明还提供了一种基板生长石墨烯，该基板生长石墨烯直接接触基板表面，在第一方向上的晶粒边界大于在另一任何平行方向上的晶粒边界，并且第一方向上的晶粒边界大于在垂直方向上的晶粒边界。本发明还提供了一种基板生长石墨烯，该基板生长石墨烯直接接触基板表面，具有与表面平行的第一方向的晶粒边界，具有与表面平行的第二方向的晶粒边界，并且在围绕晶粒边界的区域内是单晶的。此外，本发明还提供了一种基板生长石墨烯，该基板生长石墨烯直接接触基板表面，具有多个与表面平行的第一方向的晶粒边界，具有多个与表面平行的第二方向的晶粒边界，并且在围绕晶粒边界的每个区域内是单晶的。
• CHEMICAL MECHANICAL POLISHING AND WAFER CLEANING COMPOSITION COMPRISING AMIDOXIME COMPOUNDS AND ASSOCIATED METHOD FOR USE
  申请人：Lee Wai Mun

  公开号：US20090130849A1

  公开（公告）日：2009-05-21

  A composition and associated method for chemical mechanical planarization (or other polishing) is described. The composition contains an amidoxime compound and water. The composition may also contain an abrasive and a compound with oxidation and reduction potential. The composition is useful for attaining improved removal rates for metal, including copper, barrier material, and dielectric layer materials in metal CMP. The composition is particularly useful in conjunction with the associated method for metal CMP applications.

  本文描述了一种化学机械平整化（或其他抛光）的组合物及其相关方法。该组合物含有一种酰胺肟化合物和水。该组合物还可以含有磨料和具有氧化还原潜力的化合物。该组合物可用于在金属CMP中获得改进的金属去除速率，包括铜、屏障材料和金属CMP中的介电层材料。该组合物在金属CMP应用的相关方法中特别有用。
• METHODS OF CLEANING SEMICONDUCTOR DEVICES AT THE BACK END OF LINE USING AMIDOXIME COMOSITIONS
  申请人：Lee Wai Mun

  公开号：US20100043823A1

  公开（公告）日：2010-02-25

  The present invention relates to aqueous compositions comprising amidoxime compounds and methods for cleaning plasma etch residue from semiconductor substrates including such dilute aqueous solutions. The compositions of the invention may optionally contain one or more other acid compounds, one or more basic compounds, and a fluoride-containing compound and additional components such as organic solvents, chelating agents, amines, and surfactants. The invention also relates to a method of removing residue from a substrate during integrated circuit fabrication.

  本发明涉及含有酰胺肟化合物的水性组合物及其清洗半导体衬底上等离子体刻蚀残留物的方法，包括这种稀释的水性溶液。本发明的组合物可以选择性地含有一种或多种其他酸性化合物、一种或多种碱性化合物、含氟化合物和其他成分，如有机溶剂、螯合剂、胺和表面活性剂。本发明还涉及一种在集成电路制造过程中从衬底上去除残留物的方法。
• COMPOSITION COMPRISING CHELATING AGENTS CONTAINING AMIDOXIME COMPOUNDS
  申请人：Lee Wai Mun

  公开号：US20100105595A1

  公开（公告）日：2010-04-29

  The present invention is a novel aqueous cleaning solution for use in semiconductor front end of the line (FEOL) manufacturing process wherein the cleaning solution comprises at least one amidoxime compound.

  本发明是一种用于半导体前端制造过程中的新型水性清洗溶液，其中清洗溶液包含至少一种酰胺肟化合物。