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3-氟-2-甲基丙-1-烯 | 920-35-4

中文名称
3-氟-2-甲基丙-1-烯
中文别名
——
英文名称
2-methyl-3-fluoro-1-propene
英文别名
3-fluoro-2-methyl-1-propene;3-fluoro-2-methylpropene;methallyl fluoride;3-fluoro-2-methyl-propene;2-fluoromethyl-propylene;2-Methyl-allylfluorid;3-Fluoro-2-methylprop-1-ene
3-氟-2-甲基丙-1-烯化学式
CAS
920-35-4
化学式
C4H7F
mdl
——
分子量
74.098
InChiKey
JSUAVFIULBAVFU-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    1.8
  • 重原子数:
    5
  • 可旋转键数:
    1
  • 环数:
    0.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.5
  • 拓扑面积:
    0
  • 氢给体数:
    0
  • 氢受体数:
    1

SDS

SDS:b7373b0bb6149a7d3c592174e561244c
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反应信息

  • 作为产物:
    描述:
    t-butylammonium fluoride trihydrate3-氯-2-甲基丙烯二甲基亚砜 作用下, 以73%的产率得到3-氟-2-甲基丙-1-烯
    参考文献:
    名称:
    PLASMA ETCHING GAS AND PLASMA ETCHING METHOD
    摘要:
    本发明是一种包括由CxHyFz(其中x=3、4或5,y+z≦2x,且y>z)表示的不饱和氟碳氢化物的蚀刻气体,以及一种使用该蚀刻气体相对于硅氧化物膜或硅膜选择性蚀刻硅氮化物膜的方法。根据本发明,可以高度选择性地蚀刻堆叠在硅氧化物膜或硅膜上的硅氮化物膜。
    公开号:
    US20140306146A1
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文献信息

  • Photodifluoramination of alkanes and alkenes
    作者:Carl L. Bumgardner、Ernest L. Lawton、Kenneth G. McDaniel、Halbert Carmichael
    DOI:10.1021/ja00708a034
    日期:1970.3
  • Shaler, Thomas A.; Morton, Thomas Hellman, Journal of the American Chemical Society, 1994, vol. 116, # 20, p. 9222 - 9226
    作者:Shaler, Thomas A.、Morton, Thomas Hellman
    DOI:——
    日期:——
  • PLASMA ETCHING GAS AND PLASMA ETCHING METHOD
    申请人:Ito Azumi
    公开号:US20140306146A1
    公开(公告)日:2014-10-16
    The present invention is an etching gas comprising an unsaturated fluorohydrocarbon represented by C x H y F z (wherein x=3, 4, or 5, y+z≦2x, and y>z) and a method comprising selectively etching a silicon nitride film relative to a silicon oxide film or a silicon film using the etching gas. According to the present invention, a silicon nitride film stacked on a silicon oxide film or a silicon film can be highly selectively etched.
    本发明是一种包括由CxHyFz(其中x=3、4或5,y+z≦2x,且y>z)表示的不饱和氟碳氢化物的蚀刻气体,以及一种使用该蚀刻气体相对于硅氧化物膜或硅膜选择性蚀刻硅氮化物膜的方法。根据本发明,可以高度选择性地蚀刻堆叠在硅氧化物膜或硅膜上的硅氮化物膜。
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