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2-(tert-butyl)-4,6-dimethylaniline | 35735-32-1

中文名称
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中文别名
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英文名称
2-(tert-butyl)-4,6-dimethylaniline
英文别名
2-tert-Butyl-4,6-dimethyl-anilin;4-Amino-1.3-dimethyl-5-tert.-butyl-benzol;Benzenamine, 2-(1,1-dimethylethyl)-4,6-dimethyl-;2-tert-butyl-4,6-dimethylaniline
2-(tert-butyl)-4,6-dimethylaniline化学式
CAS
35735-32-1
化学式
C12H19N
mdl
MFCD09965914
分子量
177.29
InChiKey
SJMVAOMOFSHXEH-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
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物化性质

  • 熔点:
    -9 °C
  • 沸点:
    97 °C(Press: 3.5 Torr)
  • 密度:
    0.9762 g/cm3(Temp: 25 °C)

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    3.6
  • 重原子数:
    13
  • 可旋转键数:
    1
  • 环数:
    1.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.5
  • 拓扑面积:
    26
  • 氢给体数:
    1
  • 氢受体数:
    1

SDS

SDS:1630c782954158238719c02e73ab885a
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上下游信息

  • 上游原料
    中文名称 英文名称 CAS号 化学式 分子量
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反应信息

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文献信息

  • The 4.4′-benzidine rearrangement of 4-alkyl substituted hydrazobenzenes
    作者:Marc E. Bouillon、Hartmut H. Meyer
    DOI:10.1016/j.tet.2016.03.103
    日期:2016.6
    When treated with dilute inorganic acids N,N′-diarylhydrazines (hydrazobenzenes) with an alkyl substituent in the 4-position undergo [5,5]-sigmatropic rearrangement reactions to furnish 4-(4′-aminophenyl)-4-alkylcyclohexa-2,5-dienimines (ipso-benzidines) in moderate to excellent yields. Steric bulk of the 4-alkyl substituent in the starting material decreases the yield of the respective ipso-benzidine
    当用稀无机酸处理过的Ñ,Ñ在4-位具有烷基取代基“-diarylhydrazines(hydrazobenzenes)经历[5,5] -sigmatropic重排反应,得到4-(4'-氨基苯基)-4- alkylcyclohexa -2- ,5- dienimines(本位-benzidines)在中度至良好的产率。在起始原料的4-烷基取代基的空间位阻减小了各自的产率本位-联苯胺。邻位和/或间位的其他供电子烷基取代基两个环上的-位通常促进反应并因此增加4.4'-联苯胺重排产物的产率。在此描述的是我们关于这种异常的联苯胺重排的范围和限制的发现。
  • Composition for forming a resist upper-layer film and method for producing a semiconductor device using the composition
    申请人:NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
    公开号:US10042258B2
    公开(公告)日:2018-08-07
    This composition for forming an extreme-ultraviolet (EUV) or electron-beam upper-layer resist film including (a) a polymer (P) and (b) a solvent, the solvent containing 1 to 13 mass % of a C4-12 ketone compound with respect to the entire solvent, is used in the lithography process of a procedure for manufacturing a semiconductor device. Without needing to be intermixed with a resist, and particularly on the occasion of EUV exposure, the composition for forming an EUV or electron-beam upper-layer resist film blocks undesirable exposure light, e.g., ultraviolet (UV) or deep ultraviolet (DUV) rays, and selectively transmits only the EUV rays, and can be developed using a developing solution after exposure.
    这种用于形成极紫外(EUV)或电子束上层抗蚀剂薄膜的组合物包括(a)聚合物(P)和(b)溶剂,溶剂中的C4-12酮化合物占整个溶剂的1-13质量%,用于半导体设备制造过程中的光刻工艺。这种用于形成 EUV 或电子束上层抗蚀剂薄膜的组合物无需与抗蚀剂混合,尤其是在进行 EUV 曝光时,可阻挡不希望的曝光光(例如紫外线 (UV) 或深紫外线 (DUV)),并选择性地只透射 EUV 射线,曝光后可使用显影液进行显影。
  • Compounds and compositions for treating conditions associated with NLRP activity
    申请人:NOVARTIS INFLAMMASOME RESEARCH, INC.
    公开号:US10654816B2
    公开(公告)日:2020-05-19
    In one aspect, compounds of Formula AA, or a pharmaceutically acceptable salt thereof, are featured: or a pharmaceutically acceptable salt thereof, wherein the variables shown in Formula A can be as defined anywhere herein.
    在一个方面,式 AA 的化合物或其药学上可接受的盐是其特征: 或其药学上可接受的盐,其中式 A 中所示的变量可以如本文中任何地方所定义的那样。
  • THE STRUCTURE OF MUSK KETONE AND MUSK TIBETENE<sup>1</sup>
    作者:REYNOLD C. FUSON、JACK MILLS、THEODORE G. KLOSE、M. S. CARPENTER
    DOI:10.1021/jo01168a016
    日期:1947.7
  • Baur, Chemische Berichte, 1900, vol. 33, p. 2564
    作者:Baur
    DOI:——
    日期:——
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表征谱图

  • 氢谱
    1HNMR
  • 质谱
    MS
  • 碳谱
    13CNMR
  • 红外
    IR
  • 拉曼
    Raman
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ir
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  • 峰位数据
  • 峰位匹配
  • 表征信息
Shift(ppm)
Intensity
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Assign
Shift(ppm)
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测试频率
样品用量
溶剂
溶剂用量
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