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bis(p-tolylsulfonyl)diazomethane | 14159-45-6

中文名称
——
中文别名
——
英文名称
bis(p-tolylsulfonyl)diazomethane
英文别名
Ditosyldiazomethane;bis(4-methylphenylsulfonyl)diazomethane;bis (p-toluenesulfonyl) diazomethane;bis(p-toluenesulfonyl)diazomethane;Bis-(p-toluolsulfonyl)-diazomethan;Bis(p-tolylsulfonyl)diazomethan;1-[diazo-(4-methylphenyl)sulfonylmethyl]sulfonyl-4-methylbenzene
bis(p-tolylsulfonyl)diazomethane化学式
CAS
14159-45-6
化学式
C15H14N2O4S2
mdl
——
分子量
350.419
InChiKey
GYQQFWWMZYBCIB-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    3.3
  • 重原子数:
    23
  • 可旋转键数:
    4
  • 环数:
    2.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.13
  • 拓扑面积:
    87
  • 氢给体数:
    0
  • 氢受体数:
    5

安全信息

  • 海关编码:
    2927000090

SDS

SDS:70e2cdb075270a8b3ee618459bd900a1
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上下游信息

  • 上游原料
    中文名称 英文名称 CAS号 化学式 分子量
  • 下游产品
    中文名称 英文名称 CAS号 化学式 分子量

反应信息

  • 作为反应物:
    参考文献:
    名称:
    双(磺酰基)重氮甲烷的光化学
    摘要:
    在溶液和低温基质中研究了一系列双(磺酰基)重氮甲烷的光化学。这些重氮化合物在用于深紫外光刻的光刻胶中用作光酸产生剂。三重卡宾可能会被困在溶液中,但试图在 10 K 的氩气基质中分离卡宾没有成功,而是在这些条件下观察到相应的亚砜和其他重排产物。这与 DFT 和 ab initio 计算一致,它们预测单线态卡宾是通往氧杂噻吩氧化物途径的过渡态,可以将其视为分子内稳定的卡宾。三线态卡宾在能量上位于单线态过渡态之上,因此即使在低温基质中也不会具有延长的寿命。
    DOI:
    10.1002/1099-0690(200110)2001:20<3771::aid-ejoc3771>3.0.co;2-0
  • 作为产物:
    参考文献:
    名称:
    Klages,F.; Bott,K., Chemische Berichte, 1964, vol. 97, p. 735 - 740
    摘要:
    DOI:
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文献信息

  • ANTIREFLECTIVE COMPOSITIONS WITH THERMAL ACID GENERATORS
    申请人:Rohm and Haas Electronic Materials Korea Ltd.
    公开号:US20190085173A1
    公开(公告)日:2019-03-21
    New methods and substrates are provided that include antireflective compositions that comprise one or more thermal acid generators.
    提供了包括一个或多个热酸发生剂的防反射组分的新方法和基板。
  • MONOMERS, POLYMERS AND PHOTORESIST COMPOSITIONS
    申请人:Rohm and Haas Electronic Materials Korea Ltd.
    公开号:US20180059545A1
    公开(公告)日:2018-03-01
    In one preferred embodiment, polymers are provided that comprise a structure of the following Formula (I): Photoresists that comprises such polymers also are provided.
    在一个首选实施例中,提供了包含以下化学式(I)结构的聚合物: 还提供了包含这种聚合物的光刻胶。
  • RESIST COMPOSITION, METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN, POLYPHENOLIC COMPOUND FOR USE IN THE COMPOSITION, AND ALCOHOLIC COMPOUND THAT CAN BE DERIVED THEREFROM
    申请人:Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc.
    公开号:US20160145231A1
    公开(公告)日:2016-05-26
    A resist composition containing a compound represented by the general formula (1) or (2), a method for forming a resist pattern using the composition, a polyphenolic compound for use in the composition, and an alcoholic compound that can be derived therefrom are described.
    描述了一种包含由通式(1)或(2)表示的化合物的光刻胶组合物,使用该组合物形成光刻胶图案的方法,用于该组合物的多酚化合物,以及可以由其衍生的醇化合物。
  • Novel sulfonyldiazomethanes, photoacid generators, resist compositions, and patterning process
    申请人:——
    公开号:US20040167322A1
    公开(公告)日:2004-08-26
    A chemical amplification type resist composition comprising a specific benzenesulfonyldiazomethane containing a long-chain alkoxyl group at the 2-position on benzene ring has many advantages including improved resolution, improved focus latitude, minimized line width variation or shape degradation even on long-term PED, minimized debris left after coating, development and peeling, and improved pattern profile after development and is thus suited for microfabrication.
    一种化学放大型抗蚀组合物,包括在苯环上的2-位含有长链烷氧基基团的特定苯磺酰二氮甲烷,具有许多优点,包括提高分辨率,改善焦点宽度,即使在长期PED上也减少线宽变化或形状退化,涂层、显影和剥离后减少残留物,并在显影后改善图案轮廓,因此适用于微加工。
  • COATING COMPOSITIONS SUITABLE FOR USE WITH AN OVERCOATED PHOTORESIST
    申请人:Amara John P.
    公开号:US20110003250A1
    公开(公告)日:2011-01-06
    In one aspect, organic coating compositions, particularly antireflective coating compositions, are provided that comprise that comprise a diene/dienophile reaction product. In another aspect, organic coating compositions, particularly antireflective coating compositions, are provided that comprise a component comprising a hydroxyl-naphthoic group, such as a 6-hydroxy-2-naphthoic group Preferred compositions of the invention are useful to reduce reflection of exposing radiation from a substrate back into an overcoated photoresist layer and/or function as a planarizing, conformal or via-fill layer.
    在一个方面,提供了有机涂层组合物,特别是抗反射涂层组合物,其包括二烯/二烯亲双反应产物。在另一个方面,提供了有机涂层组合物,特别是抗反射涂层组合物,其包括一个含有羟基-萘甲基团的组分,例如6-羟基-2-萘甲基团。本发明的优选组合物可用于减少曝光辐射从基板反射回覆盖的光刻胶层,并/或作为平坦化、整平或填孔层。
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表征谱图

  • 氢谱
    1HNMR
  • 质谱
    MS
  • 碳谱
    13CNMR
  • 红外
    IR
  • 拉曼
    Raman
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mass
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ir
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  • 峰位数据
  • 峰位匹配
  • 表征信息
Shift(ppm)
Intensity
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Assign
Shift(ppm)
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测试频率
样品用量
溶剂
溶剂用量
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