以
金属为中心的激发态的振动失活是控制无机发光体发光的基本过程之一。在分子
镧系元素发光中,调节和系统研究这些过程的最可靠方法是
氘化X–H拉伸模式(X = O,N,C)。除了这些高能振动基序的影响外,对
镧系元素络合物中其他振荡器碎片的影响知之甚少。我们已经开发出一种合成方案,可以稳定地用13 C / 18有效和选择性地标记流行的
螯合剂基序“
吡啶-2-
羧酸”羧基上的O同位素。同位素取代后,相应的同位素
镧系元素络合物(Ln = Sm,Eu,Ho)显示出局部模式羰基拉伸频率降低了5%。尽管这似乎对具有中高能隙(Sm和Eu)的
镧系元素的发光没有任何影响,但我们发现了for的近红外跃迁中可量化的发光同位素效应的第一个例子(3 K 8 → 5 I 5)仅涉及对四个羰基振荡器处的振动环境进行同位素编辑。