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bismuth(III) ethylxanthate | 29649-62-5

分子结构分类

中文名称
——
中文别名
——
英文名称
bismuth(III) ethylxanthate
英文别名
Bismuth(III) ethyl xanthate;O-ethyl bis(ethoxycarbothioylsulfanyl)bismuthanylsulfanylmethanethioate
bismuth(III) ethylxanthate化学式
CAS
29649-62-5
化学式
C9H15BiO3S6
mdl
——
分子量
572.593
InChiKey
UGPIYGKNJZMCHO-UHFFFAOYSA-K
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    4.14
  • 重原子数:
    19
  • 可旋转键数:
    12
  • 环数:
    0.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.67
  • 拓扑面积:
    200
  • 氢给体数:
    0
  • 氢受体数:
    9

反应信息

  • 作为反应物:
    描述:
    bismuth(III) ethylxanthate 以 melt 为溶剂, 反应 1.0h, 生成 bismuth(III) sulfide
    参考文献:
    名称:
    毕的合成2-2 X的Sb 2 X小号3(0≤ X ≤1)从金属黄原酸盐前体热解无溶剂的固体溶液†
    摘要:
    合成了三(O-乙基黄药)铋(III)(1)和三(O-乙基黄药)锑(III)(2)并用作制备Bi 2−2 x Sb 2 x S 3合金的前驱物(x = 0、0.2、0.4、0.6、0.8和1),使用无溶剂热解。所有比例的p-XRD峰与Bi 2 S 3和Sb 2 S 3的正交晶体结构很好地对应。晶格参数a和b发现Bi 2−2 x Sb 2 x S 3样品中的Sb含量随Sb含量的增加而线性增加,而c随着Sb的增加而逐渐降低。对于所有样品,通过EDX分析和ICP-OES确定元素组成和均匀化学计量。将Sb掺入Bi 2 S 3导致带隙从x = 0的1.66 eV增加到x = 1的2.19 eV。使用SEM研究了合金的形貌,揭示了随着Bi的组成变化,合金的组织也有所不同2 S 3至Sb 2 S 3。
    DOI:
    10.1039/c8tc02374c
  • 作为产物:
    描述:
    bismuth (III) nitrate pentahydratepotassium ethyl xanthogenate盐酸 作用下, 以 为溶剂, 反应 0.5h, 生成 bismuth(III) ethylxanthate
    参考文献:
    名称:
    金属-黄原酸盐前驱体的组成工程对 (Bi1−xSbx)2S3 (0 ≤ x ≤ 0.05) 薄膜具有增强的室温热电性能
    摘要:
    高性能热电薄膜的制备具有挑战性。在此,我们报告了使用单源前驱体,即乙基黄原酸铋( III )制备形态可控的硫化铋 (Bi 2 S 3 ) 薄膜的制备、表征和热电性能。使用这种前体,可以快速且经济地制备室温热电薄膜。我们获得了本征Bi 2 S 3薄膜,其在室温下具有14.23 S cm -1 的电导率和-388.33 μV K -1 的塞贝克系数,这与块体Bi 2 S 3相当. 此外,通过采用成分工程方法实现锑(Sb)掺杂固溶体,可以实现更高的塞贝克系数,其中可以控制声子散射和位错密度。通过调整薄膜中Sb的摩尔分数,我们进一步将塞贝克系数提高到-516.35 μV K -1,将功率因数提高到170.10 μW m -1 K -2,固溶体为(Bi 0.97 Sb 0.03 ) 2 S 3. 因此,硫族化物成分工程协议可以成为制备用于薄膜热电应用的目标半导体的通用方法,这可能会拓宽热电薄膜在微电子器件领域的应用。
    DOI:
    10.1039/d1tc04394c
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文献信息

  • Facile synthesis and characterization of Bi<sub>13</sub>S<sub>18</sub>I<sub>2</sub> films as a stable supercapacitor electrode material
    作者:Keir Adams、Alba Franco González、John Mallows、Tianyue Li、Job H. J. Thijssen、Neil Robertson
    DOI:10.1039/c8ta11029h
    日期:——

    We demonstrate a novel synthetic route to films of a bismuth chalcohalide, Bi13S18I2, and investigate its potential as the active electrode material in EDLC-type supercapacitors.

    我们展示了一种新颖的合成方法,用于制备一种卤化物薄膜,Bi13S18I2,并研究了它作为EDLC型超级电容器活性电极材料的潜力。
  • The electrochemical synthesis of O-ethylxanthato and N,N′-dimethyldithiocarbamato complexes of indium(III), tin(IV), lead(II), bismuth(III) and tellurium(IV)
    作者:Allan T. Casey、Angelica M. Vecchio
    DOI:10.1016/s0020-1693(00)96023-7
    日期:1987.8
  • Heterobimetallic platinum–bismuth aggregates derived from [Pt2(μ-S)2(PPh3)4]
    作者:William Henderson、Brian K. Nicholson、Hao Zhang、T.S. Andy Hor
    DOI:10.1016/j.ica.2005.07.022
    日期:2006.1
    The metalloligand [Pt-2(mu-S)(2)(PPh3)(4)] reacts with Bi(S2CNEt2)(3) or Bi(S2COEt)(3) in methanol to produce the orange cationic adducts [Pt-2(mu-S)(2)(PPh3)(4)Bi(S2CNEt2)(2)](+) and [Pt-2(mu-S)(2)(PPh3)(4)Bi(S2COEt)(2)](+), respectively, isolated as their hexafluoro phosphate salts. An X-ray structure determination on [Pt-2(mu-S)(2)(PPh3)(4)Bi(S2CNEt2)(2)]PF6 reveals the presence of a six-coordinated bismuth centre with an approximately nido-pentagonal bipyramidal coordination geometry. Fragmentation pathways for both complexes have been probed using electrospray ionisation mass spectrometry; ions [Pt-2(mu-S)(2)(PPh3)(2)Bi(S2CXEtn)(2)](+) (X = O, n = 1, X = N, n = 2) are formed by selective loss of two PPh3 ligands, and at higher cone voltages the species [(Ph3P)PtS2Bi](+) is observed. Ions formed by loss of CS2 are also observed for the xanthate but not the dithiocarbamate ions. (c) 2005 Elsevier B.V. All rights reserved.
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