3-methylthio-6-phenyl-2-(trifluoromethanesulfonyloxy)naphthalene | 1310197-95-5

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 萘
• 英文名称: 3-methylthio-6-phenyl-2-(trifluoromethanesulfonyloxy)naphthalene
• 英文别名: 3-methylthio-6-phenyl-2-naphthyl trifluoromethanesulfonate；(3-Methylsulfanyl-6-phenylnaphthalen-2-yl) trifluoromethanesulfonate；(3-methylsulfanyl-6-phenylnaphthalen-2-yl) trifluoromethanesulfonate
• CAS: 1310197-95-5
• 化学式: C₁₈H₁₃F₃O₃S₂
• 分子量: 398.427
• InChiKey: WGYMJBZTNUDPPE-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  6.1
• 重原子数：
  26
• 可旋转键数：
  4
• 环数：
  3.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.11
• 拓扑面积：
  77
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  7

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  3-methylthio-6-phenyl-2-(trifluoromethanesulfonyloxy)naphthalene 在 四(三苯基膦)钯 、 碘 作用下， 以 氯仿 、 N,N-二甲基甲酰胺 为溶剂， 反应 39.0h， 生成 2,9-二苯基二萘[2,3-b:2',3'-f]噻吩[3,2-b]噻吩
  参考文献：
  名称：

  Dinaphtho [2,3- b：2'，3'- f ] thieno [3,2- b ]噻吩（DNTT）衍生物的一般合成

  摘要：

  描述了一种由容易获得的2-甲氧基萘直接合成二萘并[2,3- b：2'，3'- f ]噻吩并[3,2- b ]噻吩（DNTT）衍生物的方法。因此，新开发的DNTT衍生物在蒸汽处理的场效应晶体管中显示出非常高的场效应迁移率，最高可达8 cm 2 V –1 s –1。

  DOI：

  10.1021/ol2010837
• 作为产物：
  描述：

  2-溴-6-甲氧基萘 在 吡啶 、 bis-triphenylphosphine-palladium(II) chloride 、 正丁基锂 、 tripotassium phosphate "n" hydrate 、 三溴化硼 作用下， 以 四氢呋喃 、 正己烷 、 二氯甲烷 、 N,N-二甲基甲酰胺 为溶剂， 反应 59.0h， 生成 3-methylthio-6-phenyl-2-(trifluoromethanesulfonyloxy)naphthalene
  参考文献：
  名称：

  Dinaphtho [2,3- b：2'，3'- f ] thieno [3,2- b ]噻吩（DNTT）衍生物的一般合成

  摘要：

  描述了一种由容易获得的2-甲氧基萘直接合成二萘并[2,3- b：2'，3'- f ]噻吩并[3,2- b ]噻吩（DNTT）衍生物的方法。因此，新开发的DNTT衍生物在蒸汽处理的场效应晶体管中显示出非常高的场效应迁移率，最高可达8 cm 2 V –1 s –1。

  DOI：

  10.1021/ol2010837

文献信息

• General Synthesis of Dinaphtho[2,3-<i>b</i>:2′,3′-<i>f</i>]thieno[3,2-<i>b</i>]thiophene (DNTT) Derivatives
  作者：Kazuki Niimi、Myeong Jin Kang、Eigo Miyazaki、Itaru Osaka、Kazuo Takimiya

  DOI：10.1021/ol2010837

  日期：2011.7.1

  A new straightforward synthesis of dinaphtho[2,3-b:2′,3′-f]thieno[3,2-b]thiophene (DNTT) derivatives from readily available 2-methoxynaphthalenes is described. Thus, newly developed derivatives of DNTT showed very high field effect mobility in the vapor-processed field-effect transistors up to 8 cm2 V–1 s–1.

  描述了一种由容易获得的2-甲氧基萘直接合成二萘并[2,3- b：2'，3'- f ]噻吩并[3,2- b ]噻吩（DNTT）衍生物的方法。因此，新开发的DNTT衍生物在蒸汽处理的场效应晶体管中显示出非常高的场效应迁移率，最高可达8 cm 2 V –1 s –1。