2,2,2-氮川三乙腈 | 7327-60-8

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机氮化合物
• 中文名称: 2,2,2-氮川三乙腈
• 中文别名: 2,2',2''-氮川三乙腈；2,2",2""-氮川三乙腈
• 英文名称: nitrilotriacetonitrile
• 英文别名: Nitriloacetonitril；Tris(cyanomethyl)amin；2-[bis(cyanomethyl)amino]acetonitrile
• CAS: 7327-60-8
• 化学式: C₆H₆N₄
• 分子量: 134.14
• InChiKey: LJAIDEYQVIJERM-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 熔点：
  126°C
• 沸点：
  237.24°C (rough estimate)
• 密度：
  1.2769 (rough estimate)
• LogP：
  -1.39
• 物理描述：
  WetSolid
• 蒸汽压力：
  3.17e-07 mmHg

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -0.4
• 重原子数：
  10
• 可旋转键数：
  3
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.5
• 拓扑面积：
  74.6
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  4

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  2,2,2-氮川三乙腈 在 barium dihydroxide 作用下， 生成 次氮基三乙酸
  参考文献：
  名称：

  Eschweiler, Justus Liebigs Annalen der Chemie, 1894, vol. 278, p. 230

  摘要：

  DOI：
• 作为产物：
  描述：

  氰基甲醇 甲醛氰醇 在 氨 作用下， 生成 2,2,2-氮川三乙腈
  参考文献：
  名称：

  Eschweiler, Justus Liebigs Annalen der Chemie, 1894, vol. 278, p. 230

  摘要：

  DOI：

文献信息

• Equilibrium of α-aminoacetonitrile formation from formaldehyde, hydrogen cyanide and ammonia in aqueous solution: Industrial and prebiotic significance
  作者：G. Moutou、J. Taillades、S. Bénefice-Malouet、A. Commeyras、G. Messina、R. Mansani

  DOI：10.1002/poc.610081105

  日期：1995.11

  constant, K, for the formation of α-aminoacetonitrile from formaldehyde, ammonia and hydrogen cyanide was evaluated at 25°C. A first estimation of K was obtained from extrathermodynamic relationships of the type log K′ vs ∑σ*. The final value was then obtained from a comparison of the experimental and calculated pH dependences of α-hydroxy- and α-aminoacetonitrile concentrations. From these results, it

  在25℃下评估由甲醛，氨和氰化氢形成α-氨基乙腈的平衡常数K。从类型log K '与∑σ *的热外关系获得K的第一个估计值。然后通过比较实验和计算得出的α-羟基乙腈和α-氨基乙腈浓度的pH依赖性得出最终值。从这些结果可以看出，平衡后，两种前体甘氨酸和羟基乙酸的浓度之比与游离氨即[CH 2（OH）CN] [CH 2（NH ）的浓度成线性关系。2）CN] = 25 [ C]下的21 [NH 3 ]。
• Novel sulfonyldiazomethanes, photoacid generators, resist compositions, and patterning process
  申请人：——

  公开号：US20040167322A1

  公开（公告）日：2004-08-26

  A chemical amplification type resist composition comprising a specific benzenesulfonyldiazomethane containing a long-chain alkoxyl group at the 2-position on benzene ring has many advantages including improved resolution, improved focus latitude, minimized line width variation or shape degradation even on long-term PED, minimized debris left after coating, development and peeling, and improved pattern profile after development and is thus suited for microfabrication.

  一种化学放大型抗蚀组合物，包括在苯环上的2-位含有长链烷氧基基团的特定苯磺酰二氮甲烷，具有许多优点，包括提高分辨率，改善焦点宽度，即使在长期PED上也减少线宽变化或形状退化，涂层、显影和剥离后减少残留物，并在显影后改善图案轮廓，因此适用于微加工。
• [EN] CRYSTALS OF ALANINE N-ACETIC ACID PRECURSORS, PROCESS TO PREPARE THEM AND THEIR USE<br/>[FR] CRISTAUX DE PRÉCURSEURS D'ACIDE ALANINE N-ACÉTIQUE, LEUR PROCÉDÉ DE PRÉPARATION ET LEUR UTILISATION
  申请人：AKZO NOBEL CHEMICALS INT BV

  公开号：WO2016102494A1

  公开（公告）日：2016-06-30

  The present invention relates to alanine N-acetic acid precursors of formula (i) COOM-CH(CH3)-NH-(CH2CN), wherein M is hydrogen (alanine N-monoacetonitrile), or (ii) COOM-CH(CH3)-N-(CH2CN)2, wherein 0 to 50% of all M is sodium or potassium and 50 to 100% of all M is hydrogen (alanine Ν,Ν-diacetonitrile and its partial sodium or potassium salts) comprising L-alanine to D-alanine in a range of from 75:25 to 50:50 (L:D), or (iii) COOM-CH(CH3)-N-(CH2CONH2)2, wherein M is hydrogen (alanine Ν,Ν-diacetamide), in the form of crystals, and relates to a process to prepare these precursors and their use, especially to give MGMA or MGDA.

  本发明涉及公式（i）COOM-CH(CH3)-NH-(CH2CN)的丙氨酸N-乙酰基前体，其中M为氢（丙氨酸N-单乙腈基），或（ii）COOM-CH(CH3)-N-(CH2CN)2的丙氨酸N-乙酰基前体，其中所有M的0至50％为钠或钾，所有M的50至100％为氢（丙氨酸Ν,Ν-二乙腈基及其部分钠或钾盐），包括L-丙氨酸到D-丙氨酸的比例范围为75:25至50:50（L:D），或（iii）COOM-CH(CH3)-N-(CH2CONH2)2的丙氨酸N,Ν-二乙酰胺前体，其中M为氢（丙氨酸Ν,Ν-二乙酰胺），以晶体形式存在，并涉及一种制备这些前体及其用途的方法，特别是用于制备MGMA或MGDA。
• Photoacid generators, chemically amplified resist compositions, and patterning process
  申请人：Ohsawa Youichi

  公开号：US20070292768A1

  公开（公告）日：2007-12-20

  A photoacid generator has formula (1). A chemically amplified resist composition comprising the photoacid generator has advantages including a high resolution, focus latitude, long-term PED dimensional stability, and a satisfactory pattern profile shape. When the photoacid generator is combined with a resin having acid labile groups other than those of the acetal type, resolution and top loss are improved. The composition is suited for deep UV lithography.

  一种光酸发生剂的化学式为（1）。包括该光酸发生剂的化学增感抗蚀组合物具有诸如高分辨率、焦点宽度、长期PED尺寸稳定性和令人满意的图案轮廓形状等优点。当该光酸发生剂与具有除了缩醛类型以外的酸敏感基团的树脂结合时，可以改善分辨率和顶部损失。该组合物适用于深紫外光刻。
• Resist composition and patterning process
  申请人：Watanabe Satoshi

  公开号：US20100009299A1

  公开（公告）日：2010-01-14

  The present invention relates to: a resist composition such as a chemically amplified resist composition for providing an excellent pattern profile even at a substrate-side boundary face of resist, in addition to a higher resolution in photolithography for micro-fabrication, and particularly in photolithography adopting, as an exposure source, KrF laser, ArF laser, F 2 laser, ultra-short ultraviolet light, electron beam, X-rays, or the like; and a patterning process utilizing the resist composition. The present invention provides a chemically amplified resist composition comprising one or more kinds of amine compounds or amine oxide compounds (except for those having a nitrogen atom of amine or amine oxide included in a ring structure of an aromatic ring) at least having a carboxyl group and having no hydrogen atoms covalently bonded to a nitrogen atom as a basic center.

  本发明涉及一种抗蚀组合物，例如用于在抗蚀物的基板侧边界面上提供优异图案轮廓的化学增感抗蚀组合物，除了在微细加工的光刻工艺中具有更高的分辨率外，特别是在采用KrF激光、ArF激光、F2激光、超短紫外光、电子束、X射线等作为曝光光源的光刻工艺中；以及利用该抗蚀组合物的图案化工艺。本发明提供一种化学增感抗蚀组合物，其包括一种或多种胺化合物或胺氧化合物（除了那些在芳香环的环结构中不含有胺或胺氧原子的氮原子的化合物），至少具有一个羧基，并且没有氢原子共价键结合到氮原子作为碱性中心。

表征谱图