bis-(pentafluoro phenyl) diethoxy silane | 13888-69-2

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 苯和取代衍生物
• 英文名称: bis-(pentafluoro phenyl) diethoxy silane
• 英文别名: di(pentafluorophenyl)diethoxysilane；Bis-(pentafluorphenyl)-diethoxysilan；Diaethoxy-bis-pentafluorphenyl-silan；Diethoxy-bis-pentafluorphenyl-silan；Bis(pentafluorophenyl)diethoxysilane；diethoxy-bis(2,3,4,5,6-pentafluorophenyl)silane
• CAS: 13888-69-2
• 化学式: C₁₆H₁₀F₁₀O₂Si
• 分子量: 452.324
• InChiKey: XJYMDGOGWVHLFW-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 沸点：
  135.5-136.5 °C(Press: 4 Torr)
• 密度：
  1.4664 g/cm3

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  3.71
• 重原子数：
  29
• 可旋转键数：
  6
• 环数：
  2.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.25
• 拓扑面积：
  18.5
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  12

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  bis-(pentafluoro phenyl) diethoxy silane 在 氯化亚砜 作用下， 生成 Di(pentafluorphenyl)aethoxychlorsilan
  参考文献：
  名称：

  Methods and compounds for making coatings, waveguides and other optical devices

  摘要：

  揭示了一种通用公式为R1R2MR4R5的化合物，其中R1和R2分别是芳基、烷基、烯基、环氧基或炔基，其中至少一个R1和R2是全氟化或部分氟化的，其中M选自周期表的14族元素，其中R4和R5分别是烷氧基、OR3或卤素基X，除非M是硅，否则R4和R5都是乙氧基或氯基，而R1和R2是全氟化基团。形成的这种化合物可以进一步反应以连接额外的有机R基团，并/或水解，单独或与一个或多个类似化合物一起，形成分子量为500至10,000的材料，该材料可以沉积在各种基底上作为涂层，或沉积并加工成波导或其他光学器件组件的图案。还揭示了制备通用公式为R1MR4R5R6的化合物的方法。

  公开号：

  US20030162985A1
• 作为产物：
  描述：

  pentafluorophenylchlorodiethoxysilane 、 氯五氟苯 在 sec-BuLi 作用下， 以 乙醚 为溶剂， 生成 bis-(pentafluoro phenyl) diethoxy silane
  参考文献：
  名称：

  Methods and compounds for making coatings, waveguides and other optical devices

  摘要：

  揭示了一种通用公式为R1R2MR4R5的化合物，其中R1和R2分别是芳基、烷基、烯基、环氧基或炔基，其中至少一个R1和R2是全氟化或部分氟化的，其中M选自周期表的14族元素，其中R4和R5分别是烷氧基、OR3或卤素基X，除非M是硅，否则R4和R5都是乙氧基或氯基，而R1和R2是全氟化基团。形成的这种化合物可以进一步反应以连接额外的有机R基团，并/或水解，单独或与一个或多个类似化合物一起，形成分子量为500至10,000的材料，该材料可以沉积在各种基底上作为涂层，或沉积并加工成波导或其他光学器件组件的图案。还揭示了制备通用公式为R1MR4R5R6的化合物的方法。

  公开号：

  US20030162985A1

文献信息

• Synthesis of C₆F₅-Substituted Amines Containing Quaternary Carbon Atoms
  作者：Alexander D. Dilman、Vitalij V. Levin、Pavel A. Belyakov、Marina I. Struchkova、Vladimir A. Tartakovsky

  DOI：10.1055/s-2006-926277

  日期：——

  -substituted amines is described. The proposed mechanism features a transfer of the C 6 F 5 group from the five-coordinate silicate intermediate onto an iminium cation resulting in the generation of a quaternary carbon atom in the C-C bond forming event.

  描述了烯胺和甲基三(五氟苯基)硅烷在乙酸存在下的反应，得到C 6 F 5 -取代的胺。所提出的机制的特点是 C 6 F 5 基团从五配位硅酸盐中间体转移到亚胺阳离子上，导致在 CC 键形成事件中产生季碳原子。
• A convenient preparation of pentafluorophenyl(fluoro)silanes: reactivity of pentafluorophenyltrifluorosilane
  作者：H.J. Frohn、M. Giesen、A. Klose、A. Lewin、V.V. Bardin

  DOI：10.1016/0022-328x(95)05676-g

  日期：1996.1

  Pentafluorophenyl(fluoro)silanes (C6F5)nSiF4−n (n = 1, 2) were prepared from the corresponding ethoxysilanes by sequential chlorodeethoxylation with SOCl2 and fluoridation of chlorosilanes with SbF3. The conversion of C6F5Si(OEt)3 and C6F5SiCl3 into C6F5SiF3 with anhydrous HF was described. Some reactions of C6F5SiF3 with electrophiles and nucleophiles were studied.

  通过依次用SOCl 2进行氯脱乙氧基化并用SbF 3氟化氯硅烷，由相应的乙氧基硅烷制备五氟苯基（氟）硅烷（C 6 F 5）n SiF 4-n（n = 1，2）。描述了用无水HF将C 6 F 5 Si（OEt）3和C 6 F 5 SiCl 3转化为C 6 F 5 SiF 3。研究了C 6 F 5 SiF 3与亲电试剂和亲核试剂的一些反应。
• A direct preparation of some pentafluorophenyl-containing silanes
  作者：A. Whittingham、A.W.P. Jarvie

  DOI：10.1016/s0022-328x(00)88863-4

  日期：1968.7

  The reaction of pentafluorobromobenzene with both tetraethoxysilane and tetrachlorosilane, by a modified Grignard method, leads to the formation of compounds of the type (C6F5)nSiX4−n where X = OC2H5 and Cl and n = 1−4.

  通过改进的格氏方法，五氟溴苯与四乙氧基硅烷和四氯硅烷的反应导致形成（C 6 F 5）n SiX 4- n类型的化合物，其中X = OC 2 H 5和Cl，n = 1- 4，
• Adhesion promoter and wetting agent
  申请人：——

  公开号：US20040115341A1

  公开（公告）日：2004-06-17

  An adhesion promoter for adhering a coating of a polymer, metal, metal oxide or fluorinated derivative thereof to an electrical or opto-electronic surface. The adhesion promoter is a hybrid organic-inorganic material which, in a preferred embodiment, includes silicon in the inorganic material.

  一种黏附促进剂，用于将聚合物、金属、金属氧化物或其氟化衍生物的涂层粘附到电气或光电表面上。该黏附促进剂是一种有机-无机杂化材料，其中在优选实施例中，无机材料中包括硅。
• Materials and methods for forming hybrid organic-inorganic dielectric materials for integrated circuit applications
  申请人：Rantala T. Juha

  公开号：US20060131753A1

  公开（公告）日：2006-06-22

  An integrated circuit is provided comprising a substrate and discrete areas of electrically insulating and electrically conductive material, wherein the electrically insulating material is a hybrid organic-inorganic material that has a density of 1.45 g/cm 3 or more and a dielectric constant of 3.0 or less. The integrated circuit can be made by a method comprising: providing a substrate; forming discrete areas of electrically insulating and electrically conductive material on the substrate; wherein the electrically insulating material is deposited on the substrate followed by heating at a temperature of 350° C. or less; and wherein the electrically insulating material is a hybrid organic-inorganic material that has a density of 1.45 g/cm 3 or more after densification. Also disclosed is a a method for making an integrated circuit comprising performing a dual damascene method with an electrically conductive material and a dielectric, the dielectric being a directly photopatterned hybrid organic-inorganic material.

  提供了一种集成电路，包括基底和电气绝缘和电气导体材料的离散区域，其中电气绝缘材料是一种混合有机-无机材料，具有1.45克/厘米3或更高的密度和3.0或更低的介电常数。该集成电路可以通过以下方法制造：提供基底；在基底上形成电气绝缘和电气导体材料的离散区域；其中电气绝缘材料在基底上沉积后，在350℃或更低的温度下加热；并且在致密化后，电气绝缘材料具有1.45克/厘米3或更高的密度。还公开了一种制造集成电路的方法，包括使用电气导体材料和介电材料执行双刻蚀法，其中介电材料是直接光图案化的混合有机-无机材料。