2-Ethenyl-6-(1-ethoxyethoxy)naphthalene | 436812-30-5

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 萘
• 英文名称: 2-Ethenyl-6-(1-ethoxyethoxy)naphthalene
• CAS: 436812-30-5
• 化学式: C₁₆H₁₈O₂
• 分子量: 242.31
• InChiKey: XNECRJLMCBHYOM-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  4.7
• 重原子数：
  18
• 可旋转键数：
  5
• 环数：
  2.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.25
• 拓扑面积：
  18.5
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  2

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  2-Ethenyl-6-(1-ethoxyethoxy)naphthalene 、 4-甲基苯磺酸吡啶 、 二氯甲烷 在 crude product 、 silica gel 、 二氯甲烷 作用下， 以 乙醇 为溶剂， 反应 3.0h， 以to yield 11.15 g of pure 6-hydroxy-2-vinylnaphthalene (62%)的产率得到6-乙烯基萘-2-醇
  参考文献：
  名称：

  Novel resins and photoresist compositions comprising same

  摘要：

  提供了一种新的树脂，其包含具有杂原子取代基的碳环芳基单元，以及含有这种树脂的光刻胶。本发明特别优选的光刻胶包括含有羟基萘基单元的解保护树脂，并且可以通过小于200纳米的辐射，如193纳米的辐射，有效成像。

  公开号：

  US20040038150A1
• 作为产物：
  描述：

  、 potassium tert-butylate 、 6-(1-Ethoxy ethoxy)-2-naphthaldehyde 、 水 在 甲基三苯基溴化膦 氮 、 乙醚 、 magnesium sulfate 、 crude product 、 silica gel 、 dichloromethane hexane 作用下， 以 四氢呋喃 为溶剂， 反应 33.0h， 以to yield 19.12 g of pure 6-(1-ethoxy ethoxy)-2-vinylnaphthalene (96%)的产率得到2-Ethenyl-6-(1-ethoxyethoxy)naphthalene
  参考文献：
  名称：

  Novel resins and photoresist compositions comprising same

  摘要：

  提供了一种新的树脂，其包含具有杂原子取代基的碳环芳基单元，以及含有这种树脂的光刻胶。本发明特别优选的光刻胶包括含有羟基萘基单元的解保护树脂，并且可以通过小于200纳米的辐射，如193纳米的辐射，有效成像。

  公开号：

  US20040038150A1

文献信息

• COMPOSITION AND METHOD FOR MANUFACTURING DEVICE USING SAME
  申请人：TOYO GOSEI CO., LTD.

  公开号：US20200048191A1

  公开（公告）日：2020-02-13

  An onium salt and a composition having high sensitivity and excellent pattern characteristics such as LWR, which is preferably used for a resist composition for a lithography process using two active energy rays of a first active energy ray such as an electron beam or an extreme ultraviolet and a second active energy ray such as UV.

  一种酰铵盐和具有高灵敏度和优秀图案特性（如LWR）的组合物，最好用于利用第一活性能量射线（如电子束或极紫外线）和第二活性能量射线（如紫外线）的光刻工艺的光刻胶组合物。
• Monomers, polymers, photoresist compositions and methods of forming photolithographic patterns
  申请人：Rohm and Haas Electronic Materials LLC

  公开号：EP2472324A1

  公开（公告）日：2012-07-04

  Provided are (meth)acrylate monomers containing acetal moieties, polymers containing a unit formed from such a monomer and photoresist compositions containing such a polymer. The monomers, polymers and photoresist compositions are useful in forming photolithographic patterns. Also provided are substrates coated with the photoresist compositions, methods of forming photolithographic patterns and electronic devices. The compositions, methods and coated substrates find particular applicability in the manufacture of semiconductor devices.

  提供了含有缩醛基团的(甲基)丙烯酸酯单体，含有由这种单体形成的单元的聚合物和含有这种聚合物的光阻组成物。这些单体、聚合物和光阻组成物在形成光刻图案方面非常有用。此外，还提供了用光阻组成物涂覆的基板、形成光刻图案的方法和电子设备。这些组成物、方法和涂覆的基板在制造半导体器件方面具有特殊的适用性。
• MONOMERS, POLYMERS, PHOTORESIST COMPOSITIONS AND METHODS OF FORMING PHOTOLITHOGRAPHIC PATTERNS
  申请人：Ober Matthias S.

  公开号：US20130011783A1

  公开（公告）日：2013-01-10

  Provided are (meth)acrylate monomers containing acetal moieties, polymers containing a unit formed from such a monomer and photoresist compositions containing such a polymer. The monomers, polymers and photoresist compositions are useful in forming photolithographic patterns. Also provided are substrates coated with the photoresist compositions, methods of forming photolithographic patterns and electronic devices. The compositions, methods and coated substrates find particular applicability in the manufacture of semiconductor devices.

  提供含有缩醛基团的（甲基）丙烯酸酯单体，包含由这种单体形成的单元的聚合物，以及含有这种聚合物的光刻胶组合物。这些单体、聚合物和光刻胶组合物可用于形成光刻图案。还提供了涂有光刻胶组合物的基板、形成光刻图案的方法和电子设备。这些组合物、方法和涂层基板在半导体器件制造中具有特定的适用性。
• Photoresist compositions comprising resin blends
  申请人：Xu Cheng-Bai

  公开号：US20060160022A1

  公开（公告）日：2006-07-20

  New positive photoresist compositions are provided that contain a photoactive component and blend of at least two distinct resins: i) a first resin that comprises carbocyclic aryl units with hetero substitution (particularly hydroxy or thio) and ii) a second cross-linked resin. Preferred photoresists of the invention can be imaged at short wavelengths, such as sub-200 nm, particularly 193 nm.

  提供了新的正向光阻组合物，其中包含一个光活性成分和至少两种不同树脂的混合物：i）第一种树脂包含带有杂原子取代的碳环芳基单元（特别是羟基或硫代基），以及ii）第二种交联树脂。本发明的首选光阻可以在短波长下成像，例如亚200纳米，特别是193纳米。
• Resins and photoresist compositions comprising same
  申请人：Shipley Company, L.L.C.

  公开号：US07244542B2

  公开（公告）日：2007-07-17

  Provided are new resins that comprise carbocyclic aryl units with hetero substitution units and photoresists that contain such resins. Particularly preferred photoresists of the invention comprise a deblocking resin that contains hydroxy naphthyl units and can be effectively imaged with sub-200 nm radiation such as 193 nm radiation.

  提供的是新的树脂，其中包含具有杂原子取代基的碳环芳基单元，以及含有这种树脂的光刻胶。本发明特别优选的光刻胶包括含有羟基萘基单元的脱保护树脂，可以有效地使用亚200纳米辐射，例如193纳米辐射进行成像。