报道了混合有机/无机
锗钙钛矿化合物 AGeI3 的合成和性质(A = Cs,有机阳离子)。对该反应系统的系统研究导致了 6 种新型混合半导体的分离。以CsGeI3 (1)为原型化合物,我们制备了甲
铵、 NH3GeI3(2)、
甲脒、HC(NH2)2GeI3(3)、
乙脒、 C(NH2)2GeI3(4)、
胍、C(NH2)3GeI3( 5),三甲基
铵,(
CH3)3N
HGeI3 (6) 和异丙基
铵,( )2C(H)NH3GeI3 (7) 类似物。化合物的晶体结构根据它们的维度进行分类,其中 1-4 个形成 3D
钙钛矿骨架和 5-7 个 1D 无限链。除了化合物 5(中心对称)和化合物 7(非极性无着丝粒)外,化合物 1-7 在极性空间群中结晶。3D 化合物的直接带隙为 1.6 eV (1),1.9 eV (2)、2.2 eV (3) 和 2.5 eV (4),而一维化合物的间接带隙为 2