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N,N'-di-n-octyl-9,10-dicyano-2,3:6,7-anthracenedicarboximide

中文名称
——
中文别名
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英文名称
N,N'-di-n-octyl-9,10-dicyano-2,3:6,7-anthracenedicarboximide
英文别名
N,N'-dioctyl-9,10-dicyanoanthracene-2,3:6,7-bis(dicarboximide);7,17-Dioctyl-6,8,16,18-tetraoxo-7,17-diazapentacyclo[11.7.0.03,11.05,9.015,19]icosa-1,3,5(9),10,12,14,19-heptaene-2,12-dicarbonitrile
N,N'-di-n-octyl-9,10-dicyano-2,3:6,7-anthracenedicarboximide化学式
CAS
——
化学式
C36H38N4O4
mdl
——
分子量
590.722
InChiKey
ZGHBYEURKQRQSN-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    8.6
  • 重原子数:
    44
  • 可旋转键数:
    14
  • 环数:
    5.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.44
  • 拓扑面积:
    122
  • 氢给体数:
    0
  • 氢受体数:
    6

上下游信息

  • 上游原料
    中文名称 英文名称 CAS号 化学式 分子量

反应信息

  • 作为产物:
    描述:
    N,N'-di-n-octyl-9,10-dibromo-2,3:6,7-anthracenedicarboximide氰化亚铜N,N-二甲基甲酰胺 为溶剂, 反应 12.0h, 以67%的产率得到N,N'-di-n-octyl-9,10-dicyano-2,3:6,7-anthracenedicarboximide
    参考文献:
    名称:
    Acene-based organic semiconductor materials and methods of preparing and using the same
    摘要:
    提供了一种可以用来制备n型半导体材料的基于Acene的化合物,以及制备这些化合物的方法。还提供了由这些化合物制备的n型半导体材料的复合材料和电子器件。
    公开号:
    US20080185555A1
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文献信息

  • Methods for preparing arene-BIS (dicarboximide)-based semiconducting materials and related intermediates for preparing same
    申请人:Facchetti Antonio
    公开号:US20080177073A1
    公开(公告)日:2008-07-24
    The present teachings provide compounds of formulae I and II: where Q, R a , R 1 , W, and n are as defined herein. The present teachings also provide methods of preparing compounds of formulae I and II, including methods of preparing compounds of formula II from compounds of formula I. The compounds disclosed herein can be used to prepare semiconductor materials and related composites and electronic devices.
    本教学提供了符合以下公式I和II的化合物:其中Q、Ra、R1、W和n的定义如本文所述。本教学还提供了制备符合公式I和II的化合物的方法,包括从符合公式I的化合物制备符合公式II的方法。本文披露的化合物可用于制备半导体材料、相关复合材料和电子器件。
  • Anthracenedicarboximides as Air-Stable N-Channel Semiconductors for Thin-Film Transistors with Remarkable Current On−Off Ratios
    作者:Zhiming Wang、Choongik Kim、Antonio Facchetti、Tobin J. Marks
    DOI:10.1021/ja073306f
    日期:2007.11.1
    A new n -type semiconductor family for organic field-effect transistors (FETs), based on core-unsubstituted and core-cyanated anthracenedicarboximides, is reported. By tuning electron affinity, these materials exhibit good electron-transport properties and stability in ambient as well as very high I (on)/I (off) ratios. Unoptimized N,N '-di-fD ctyl-9,10-dicyano-2,3:6,7- anthracenedicarboximide (ADI8-CN2)-based FETs exhibit good electron mobilities (f(e) = 0.02 cm(2)/(V s)) and very high I (on)/I (off) > 10(7) in ambient conditions.
  • METHODS FOR PREPARING ARENE-BIS(DICARBOXIMIDE)-BASED SEMICONDUCTING MATERIALS AND RELATED INTERMEDIATES FOR PREPARING SAME
    申请人:Polyera Corporation
    公开号:EP2104676A2
    公开(公告)日:2009-09-30
  • US7892454B2
    申请人:——
    公开号:US7892454B2
    公开(公告)日:2011-02-22
  • US7893265B2
    申请人:——
    公开号:US7893265B2
    公开(公告)日:2011-02-22
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