N-[dibutylcarbamothioyl]-3,5-dinitrobenzamide

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 苯和取代衍生物
• 英文名称: N-[dibutylcarbamothioyl]-3,5-dinitrobenzamide
• 英文别名: N-(3,5-dinitrobenzoyl)-N′,N′-dibutylthiourea；N-(dibutylcarbamothioyl)-3,5-dinitrobenzamide
• 化学式: C₁₆H₂₂N₄O₅S
• 分子量: 382.44
• InChiKey: MZNBZJOZIBUQBI-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  3.8
• 重原子数：
  26
• 可旋转键数：
  7
• 环数：
  1.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.5
• 拓扑面积：
  156
• 氢给体数：
  1
• 氢受体数：
  6

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  copper(II) nitrate 、 N-[dibutylcarbamothioyl]-3,5-dinitrobenzamide 以 乙醇 为溶剂， 反应 3.0h， 以77%的产率得到bis[N-[dibutylcarbamothioyl]-3,5-dinitrobenzamide]copper(II)
  参考文献：
  名称：

  N-（二烷基氨基甲硫酰基）-硝基取代的苯甲酰胺的 双齿铜（ii）配合物的化学气相沉积法制成的半导体纳米结构硫化铜薄膜†

  摘要：

  各种N-（二烷基氨基甲硫酰基）-硝基取代的苯甲酰胺的铜（II）配合物[二烷基=二正丁基（1a，2a）; 己基，甲基（3a）; 丁基乙基（4a）]已经合成并通过元素分析，红外光谱和大气压化学电离质谱（MS-APCI）进行了表征。配合物2a的分子结构通过单晶X射线衍射测定。这些络合物用作沉积的单源前体。硫化铜在350°C下通过气溶胶辅助化学气相沉积（AA-CVD）制成的薄膜。配合物3a和4a的薄膜的粉末X射线衍射（p-XRD）图谱显示菱形方铁矿的Cu 9 S 5相的沉积，配合物1a在350°C的条件下沉积的单斜方斜晶石Cu 7 S 4相的球形微晶。配合物2a沉积正交晶状苯胺铜Cu 7 S 4球形微晶相。膜表面的粗糙度通过原子力显微镜（AFM）确定。扫描电子显微镜（SEM）和能量色散X射线分析（EDXA）结果表明，硫化铜 在薄膜中，它使它们在结构化表面上成为有用的半导体材料。

  DOI：

  10.1039/c3nj00668a
• 作为产物：
  描述：

  3,5-二硝基苯甲酰氯 在 四丁基溴化铵 作用下， 以 丙酮 为溶剂， 反应 2.75h， 生成 N-[dibutylcarbamothioyl]-3,5-dinitrobenzamide
  参考文献：
  名称：

  N-（二烷基氨基甲硫酰基）-硝基取代的苯甲酰胺的 双齿铜（ii）配合物的化学气相沉积法制成的半导体纳米结构硫化铜薄膜†

  摘要：

  各种N-（二烷基氨基甲硫酰基）-硝基取代的苯甲酰胺的铜（II）配合物[二烷基=二正丁基（1a，2a）; 己基，甲基（3a）; 丁基乙基（4a）]已经合成并通过元素分析，红外光谱和大气压化学电离质谱（MS-APCI）进行了表征。配合物2a的分子结构通过单晶X射线衍射测定。这些络合物用作沉积的单源前体。硫化铜在350°C下通过气溶胶辅助化学气相沉积（AA-CVD）制成的薄膜。配合物3a和4a的薄膜的粉末X射线衍射（p-XRD）图谱显示菱形方铁矿的Cu 9 S 5相的沉积，配合物1a在350°C的条件下沉积的单斜方斜晶石Cu 7 S 4相的球形微晶。配合物2a沉积正交晶状苯胺铜Cu 7 S 4球形微晶相。膜表面的粗糙度通过原子力显微镜（AFM）确定。扫描电子显微镜（SEM）和能量色散X射线分析（EDXA）结果表明，硫化铜 在薄膜中，它使它们在结构化表面上成为有用的半导体材料。

  DOI：

  10.1039/c3nj00668a

文献信息

• Semiconducting nanostructured copper sulfide thin films from bidentate copper(ii) complexes of N-(dialkylcarbamothioyl)-nitrosubstituted benzamides by chemical vapour deposition
  作者：Sohail Saeed、Naghmana Rashid、Rizwan Hussain、Muhammad Azad Malik、Paul O'Brien、Wing-Tak Wong

  DOI：10.1039/c3nj00668a

  日期：——

  films by aerosol assisted chemical vapour deposition (AA-CVD) at 350 °C. The powder X-ray diffraction (p-XRD) patterns of the thin films of complexes 3a and 4ashowed the deposition of rhombohedral digenite Cu9S5 phase, and complex 1a deposited monoclinic roxbyite Cu7S4 phase at 350 °C with spherical crystallites. Complex 2a deposited orthorhombic anilite Cu7S4 phase with spherical crystallites. The degree

  各种N-（二烷基氨基甲硫酰基）-硝基取代的苯甲酰胺的铜（II）配合物[二烷基=二正丁基（1a，2a）; 己基，甲基（3a）; 丁基乙基（4a）]已经合成并通过元素分析，红外光谱和大气压化学电离质谱（MS-APCI）进行了表征。配合物2a的分子结构通过单晶X射线衍射测定。这些络合物用作沉积的单源前体。硫化铜在350°C下通过气溶胶辅助化学气相沉积（AA-CVD）制成的薄膜。配合物3a和4a的薄膜的粉末X射线衍射（p-XRD）图谱显示菱形方铁矿的Cu 9 S 5相的沉积，配合物1a在350°C的条件下沉积的单斜方斜晶石Cu 7 S 4相的球形微晶。配合物2a沉积正交晶状苯胺铜Cu 7 S 4球形微晶相。膜表面的粗糙度通过原子力显微镜（AFM）确定。扫描电子显微镜（SEM）和能量色散X射线分析（EDXA）结果表明，硫化铜 在薄膜中，它使它们在结构化表面上成为有用的半导体材料。
• Preparation and characterization of copper sulfide nanoparticles from symmetrical [(Bu)₂NC(S)NC(O)C₆H₃(3,5-NO₂)₂]₂Cu(II) and [(Bu)₂NC(S)NC(O)C₆H₄(4-NO₂)]₂Cu(II) complexes by thermolysis
  作者：Sohail Saeed、Rizwan Hussain

  DOI：10.1080/00958972.2014.950958

  日期：2014.9.2

  Trigonal copper sulfide nanoparticles were synthesized from symmetrical [(Bu)(2)NC(S)NC(O)C6H3(3,5-NO2)(2)](2)Cu(II) and [(Bu)(2)NC(S)NC(O)C6H4(4-NO2)](2)Cu(II) complexes by thermolysis in the presence of surfactant oleylamine. The symmetrical copper complexes were synthesized by reaction of copper(II) acetate with N-(3,5-dinitrobenzoyl)-N ',N '-dibutylthiourea and N-(4-nitrobenzoyl)-N ',N '-dibutylthiourea. The symmetrical copper complexes were characterized by FT-IR spectroscopy, elemental analysis, and mass spectrometry (MS-APCI). The single-crystal X-ray structure of [(Bu)(2)NC(S)NC(O)C6H4(4-NO2)](2)Cu(II) has been determined from single-crystal X-ray diffraction data. These metal complexes have been used as single source precursors for the preparation of copper sulfide nanoparticles. The deposited copper sulfide nanoparticles were characterized by X-ray powder diffraction and transmission electron microscopy.