bis(3,5-difluorophenyl)sulfoxide

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 苯和取代衍生物
• 英文名称: bis(3,5-difluorophenyl)sulfoxide
• 英文别名: 1-(3,5-difluorophenyl)sulfinyl-3,5-difluorobenzene
• 化学式: C₁₂H₆F₄OS
• 分子量: 274.239
• InChiKey: VTZWUMHFBYQZRF-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  3.1
• 重原子数：
  18
• 可旋转键数：
  2
• 环数：
  2.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  36.3
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  6

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  bis(3,5-difluorophenyl)sulfoxide 反应 6.02h， 生成
  参考文献：
  名称：

  塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法

  摘要：

  【问题】提供能够制造具有良好CD均一性（CDU）的光刻胶图形的盐，含有该盐的酸发生剂以及光刻胶组合物。 【解决方案】盐，它由式（I）表示，包括含有该盐的酸发生剂和光刻胶组合物。其中，R1代表卤素原子等。m1表示1至5的整数，当m1大于等于2时，多个R1可以相同或不同。R2、R3、R4、R5、R6和R7表示卤素原子、羟基、三氟甲基基等。m2、m6和m7表示0至4的整数，m3至m5表示0至5的整数。X1表示氧原子或碳数为1至6的烷基等。AI-和AII-表示有机阴离子。【选图】无。

  公开号：

  JP2019194178A
• 作为产物：
  描述：

  1-溴-3,5-二氟苯 在 碘 、 magnesium 、 氯化亚砜 作用下， 以 四氢呋喃 为溶剂， 以48 %的产率得到bis(3,5-difluorophenyl)sulfoxide
  参考文献：
  名称：

  缺电子亚砜的一步氧化单氟化获得高路易斯酸性硫 (VI) 阳离子

  摘要：

  可以使用 [FXe][OTf] 从缺电子亚砜中以一步、无氯化物促进剂的方式制备高路易斯酸性氟代亚砜阳离子。后者是通过 XeF 2与 TMS-OTf 的反应制备的，因此代表了先前描述的 Umpolung 策略的反转，该策略未能有效地转化相同的亚砜。已通过实验和计算探讨了获得的阳离子的路易斯酸度。

  DOI：

  10.1002/chem.202202564

文献信息

• スルホニウム塩および光酸発生剤
  申请人：サンアプロ株式会社

  公开号：JP2017008014A

  公开（公告）日：2017-01-12

  【課題】短波長の光や電子線及びＸ線等の電離性放射線に対して高い分解効率を有する新たな光酸発生剤の提供。【解決手段】式（１）で示されるスルホニウム塩及び該スルホニウム塩。〔Ｒ１〜Ｒ4はＣ１〜４のパーフルオロアルキル、ニトロ等；Ｒ５はアルキル等〕【選択図】なし

  提供一种具有对短波长光、电子束和X射线等电离辐射具有高分解效率的新型光酸发生剂。解决方案是所述的磺酸盐和所述的磺酸盐，其中R1至R4是C1至C4的全氟烷基、硝基等；R5是烷基等。【选择图】无。
• POSITIVE-TYPE RESIST COMPOSITION, METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN, PHOTO-REACTIVE QUENCHER, AND POLYMERIC COMPOUND
  申请人：TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.

  公开号：US20160376233A1

  公开（公告）日：2016-12-29

  A positive-type resist composition which generates an acid upon exposure and whose solubility in an alkali developing solution increases under the action of an acid, the composition including a base material component whose solubility in an alkali developing solution increases under the action of an acid; and a compound represented by the following general formula (m0): Z 01 to Z 04 each independently represent a substituent having electron withdrawing properties, Rb 21 and Rb 22 each independently represent an alkyl group, an alicyclic hydrocarbon group which may have a substituent, or a hydroxyl group, Rb 1 represents an aryl group which may have a substituent, an alkyl group, or an alkenyl group, n1 and n2 represent an integer of 0 to 3, and X0 − represents an organic anion.

  一种正型抗蚀组合物，曝光后生成酸，其在碱性显影溶液中的溶解度在酸的作用下增加，该组合物包括一种基材组分，在酸的作用下在碱性显影溶液中的溶解度增加；以及由以下一般式（m0）表示的化合物：Z01至Z04分别独立表示具有电子吸引性的取代基，Rb21和Rb22分别独立表示烷基基团、可能具有取代基的脂环烃基团或羟基，Rb1表示可能具有取代基的芳基、烷基或烯基，n1和n2表示0至3的整数，X0−表示有机阴离子。
• カルボン酸塩、カルボン酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
  申请人：住友化学株式会社

  公开号：JP2021035938A

  公开（公告）日：2021-03-04

  【課題】良好なラインエッジラフネスでレジストパターンを製造することができるカルボン酸塩及び該カルボン酸塩を含むレジスト組成物の提供。【解決手段】下式で表されるカルボン酸塩及び該塩を含むレジスト組成物。【選択図】なし

  提供含有碳酸盐和该碳酸盐的光阻组合物，可以制造具有良好线边粗糙度的光阻图案。该碳酸盐和含有该盐的光阻组合物如下式所示。【选择图】无
• SALT, ACID GENERATOR, RESIST COMPOSITION AND METHOD FOR PRODUCING RESIST PATTERN
  申请人：SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED

  公开号：US20190315684A1

  公开（公告）日：2019-10-17

  Described are a salt and a resist composition capable of producing a resist pattern with satisfactory line edge roughness (LER). The salt is represented by formula (I): In formula (I), R 1 , R 2 , R 3 , R 4 and R 5 each independently represent a halogen atom or a perfluoroalkyl group having 1 to 6 carbon atoms, R 6 , R 7 and R 8 each independently represent a halogen atom, a hydroxy group, a fluorinated alkyl group having 1 to 6 carbon atoms or an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, and —CH 2 — included in the alkyl group may be replaced by —O— or —CO—, m5 represents an integer of 1 to 5, m6 represents an integer of 0 to 3, m7 represents an integer of 0 to 3, m8 represents an integer of 0 to 4, and AI − represents an organic anion.

  描述了一种盐和抗蚀剂组合物，能够产生满意的线边粗糙度（LER）的抗蚀图案。该盐由公式（I）表示：在公式（I）中，R1、R2、R3、R4和R5各自独立地表示卤素原子或具有1至6个碳原子的全氟烷基，R6、R7和R8各自独立地表示卤素原子、羟基、具有1至6个碳原子的氟化烷基或具有1至12个碳原子的烷基，并且包含在烷基中的—CH2—可以被—O—或—CO—所取代，m5表示1至5的整数，m6表示0至3的整数，m7表示0至3的整数，m8表示0至4的整数，AI-表示有机阴离子。
• スルホニウム塩の製造方法
  申请人：サンアプロ株式会社

  公开号：JP2022126072A

  公开（公告）日：2022-08-30

  【課題】トリフェニルスルホニウムカチオン部分にフッ素原子、フッ素化アルキル基を導入したスルホニム塩の高収率、高純度の製造法を提供する。【解決手段】本発明は、一般式（１）で表されるフッ素含有スルホキシド化合物（Ａ）と芳香族化合物（Ｂ）を、塩素系溶剤（Ｃ）及びフッ素化アルキルスルホン酸（Ｄ）の存在下で、脱水剤（Ｅ）を反応させることを特徴とする、一般式（２）で表されるスルホニウム塩（Ｓ）の製造方法である。【選択図】なし

  【问题】提供一种在三苯基硫鎓阳离子部分引入氟原子、氟化烷基的磺鎓盐的高收率、高纯度制备方法。 【解决方法】本发明涉及一种制备一般式（2）所示的磺鎓盐（S）的方法，其特征在于，在氯化溶剂（C）和氟化烷基磺酸（D）的存在下，通过脱水剂（E）使含氟磺酰氧化合物（A）和芳香族化合物（B）反应。含氟磺酰氧化合物（A）由一般式（1）表示。 【选择图】无