我们报告了具有ZrCuSiAs型结构的Cr基层状氧化
砷LnCrAsO(Ln = La,Ce,Pr和Nd)的合成,结构和电磁性能。所有LnCrAsO样品均显示出
金属电子导电性。在LaCrAsO中,通过Mn取代Cr来进行电子掺杂会导致
金属-绝缘体跃迁。对粉末中子衍射数据的分析表明,LaCrAsO在300 K时具有大的自旋矩,在CrAs平面中具有G型反
铁磁(A
FM)有序,即在CrAs平面中具有棋盘格型A
FM有序,并且相邻CrAs平面之间具有反平行自旋耦合。 1.57μ乙沿ç轴线。LaCrAsO的磁化率很小(约为10 –3emu / mol)并在550 K附近显示出一个较大的驼峰。LaCrAsO的第一原理密度泛函理论计算很好地解释了其晶体结构和
金属性质,但无法复制CrAs层之间的反平行自旋耦合。关于相关化合物LaFeAsO和LaMnAsO的电子结构,讨论了LaCrAsO的电子结构。