samarim(III) arsenide

• 分子结构分类: 无机化合物 - 各种无机化合物 - 无机砷化合物
• 英文名称: samarim(III) arsenide
• 英文别名: arsane;samarium
• 化学式: AsSm
• 分子量: 225.282
• InChiKey: QEARAXHRHDJIAP-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -1.18
• 重原子数：
  2.0
• 可旋转键数：
  0.0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  0.0
• 氢给体数：
  0.0
• 氢受体数：
  0.0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  samarium monoselenide 、 samarim(III) arsenide 生成
  参考文献：
  名称：

  Intermediate valence in alloys of SmSe with SmAs

  摘要：

  DOI：

  10.1103/physrevb.23.3620
• 作为产物：
  描述：

  砷化氢 、 三氢化钐 以 neat (no solvent) 为溶剂， 生成 samarim(III) arsenide
  参考文献：
  名称：

  砷化物Ln Pd 3 As 2（Ln = La-Nd，Sm，Gd）和具有ThCr 2 Si 2结构的CePd 2- x As 2的结构细化

  摘要：

  通过在NaCl / KCl助熔剂中退火相应的二元砷化物，以良好结晶的形式制备标题化合物。由GdPd 3 As 2的单晶X射线数据确定的化合物Ln Pd 3 As 2具有新的单斜晶结构类型：C 2 / m，a = 1656.3（6）pm，b = 404.6（2） ）pm，c = 993.7（4）pm，β= 107.85（2）°，Z = 6，R= 1728个结构因子和58个可变参数的0.025。这些砷化物属于大型结构族，金属与准金属之比为2：1。GdPd 3 As 2的结构有些不寻常的特征是一个are位点的（扭曲）八面体配位和两个钯位点周围的砷原子的方平面配位。然而，在先前报道的Th 5 Fe 19 P 12的紧密相关结构中，对于相应的原子也观察到了所有这些。CePd 2- x As 2具有四方ThCr 2 Si 2结构（a = 425.1（2）pm，c = 1026.1（6）pm，对于244个F值和11个变量，R

  DOI：

  10.1006/jssc.1995.1099

文献信息

• Preparation of REFeAsO1−F (RE=Sm and Gd) superconductors at a relatively low temperature
  作者：Y.J. Cui、Y.L. Chen、C.H. Cheng、Y. Yang、Y.Z. Wang、Y.C Li、Y. Zhao

  DOI：10.1016/j.jpcs.2010.10.041

  日期：2011.5

  relatively low temperature. The samples have been sintered at 1100 and 1120 °C for SmFeAsO 1− x F x and GdFeAsO 1− x F x , respectively. These temperatures are at least 50–60° lower than other previous reports. All of the so-prepared samples possess a tetragonal ZrCuSiAs-type structure. Dramatically supression of the lattice parameters and increase in T c proved that this low temperature process was

  摘要 以纳米级 ReF 3 作为氟资源，在相对较低的温度下制备了一系列 SmFeAsO 1− x F x 和 GdFeAsO 1− x F x ( x =0.05, 0.1, 0.15, 0.2, 0.25) 样品. SmFeAsO 1− x F x 和 GdFeAsO 1− x F x 分别在 1100 和 1120 °C 下烧结样品。这些温度至少比之前的其他报告低 50–60°。所有如此制备的样品都具有四方 ZrCuSiAs 型结构。晶格参数的显着抑制和 T c 的增加证明这种低温过程更有效地将氟引入稀土 FeAsO 中。SmFeAsO 1− x F x 的超导转变出现在 39.5 K 处，x =0.05，而 GdFeAsO 1− x F x 出现在 22 K 处，x =0.1。检测到的最高 T c 在 SmFeAsO 0.8 F 0.2 中为 54 K，在 GdFeAsO 0.75 F
• Suppression of spin density wave character of (Sm/Gd)FeAsO by substitution of Ru at Fe site
  作者：Anand Pal、Arpita Vajpayee、V.P.S. Awana、M. Husain、H. Kishan

  DOI：10.1016/j.physc.2009.11.015

  日期：2010.12

  all through a metallic behavior without the characteristic spin density wave (SDW) step. The samples with lower content of Ru at Fe site i.e. 10% and 30% are also studied. Though 10% Ru doped samples exhibited weak superconductivity like transition below 15 K, the 30% doped samples are metallic. It seems that the Fe2+ site Ru4+/5+ substitution provides electron carriers for conduction process. For achieving

  我们报告了 SmFe0.5Ru0.5AsO 和 GdFe0.5Ru0.5AsO 的合成、结构细节和传输测量。样品在常压下采用真空封装技术合成。母体 REFeAsO (RE = Sm 和 Gd) 在四方 P4/nmm 空间群中结晶，其晶格参数为 a = 3.9375(6) A, c = 8.5021(4) A 对于 Sm 和 a = 3.9152(4) A, c = 8.4546(1) A 对于 Gd。在 Fe 位点用 50% Ru 取代，即对于 SmFe0.5Ru0.5AsO 和 GdFe0.5Ru0.5AsO，晶格参数 a 增加而 c 减少至 a = 4.0113(55) A，对于 Sm，c = 8.3129(17) A对于 Gd 样品，a = 3.9795(64) A, c = 8.2787 (20) A。对原始样品的电阻率测量虽然在 150 K 左右清楚地显示出类似金属转变的阶梯，Fe
• The Arsenides LnPd3As2 (Ln = La-Nd, Sm, Gd) and Structure Refinement of CePd2-xAs2 with the ThCr2Si2 Structure
  作者：Peter Quebe、Wolfgang Jeitschko

  DOI：10.1006/jssc.1995.1099

  日期：1995.2

  unusual features in the structure of GdPd3As2 are the (distorted) octahedral coordination of one gadolinium site and the square-planar coordination of arsenic atoms around two palladium sites. All of these, however, are also observed for the corresponding atoms in the previously reported, closely related structure of Th5Fe19P12. CePd2-xAs2 has the tetragonal ThCr2Si2 structure (a = 425.1(2)pm, c = 1026

  通过在NaCl / KCl助熔剂中退火相应的二元砷化物，以良好结晶的形式制备标题化合物。由GdPd 3 As 2的单晶X射线数据确定的化合物Ln Pd 3 As 2具有新的单斜晶结构类型：C 2 / m，a = 1656.3（6）pm，b = 404.6（2） ）pm，c = 993.7（4）pm，β= 107.85（2）°，Z = 6，R= 1728个结构因子和58个可变参数的0.025。这些砷化物属于大型结构族，金属与准金属之比为2：1。GdPd 3 As 2的结构有些不寻常的特征是一个are位点的（扭曲）八面体配位和两个钯位点周围的砷原子的方平面配位。然而，在先前报道的Th 5 Fe 19 P 12的紧密相关结构中，对于相应的原子也观察到了所有这些。CePd 2- x As 2具有四方ThCr 2 Si 2结构（a = 425.1（2）pm，c = 1026.1（6）pm，对于244个F值和11个变量，R
• High-pressure synthesis and physical properties of new iron (nickel)-based superconductors
  作者：P.M. Shirage、K. Miyazawa、M. Ishikado、K. Kihou、C.H. Lee、N. Takeshita、H. Matsuhata、R. Kumai、Y. Tomioka、T. Ito、H. Kito、H. Eisaki、S. Shamoto、A. Iyo

  DOI：10.1016/j.physc.2009.03.027

  日期：2009.5

  utilized a high-pressure (HP) technique to synthesize a series of newly-discovered iron (nickel)-based superconductors. For the LnFeAsO-based superconductors (Ln = lanthanide), we show that the introduction of oxygen (O)-deficiency in the LnO layers, which is achievable only through HP process, is an effective way to dope electron carriers into the system, which results in yielding the superconducting transition

  我们已经利用高压（HP）技术合成了一系列新发现的铁（镍）基超导体。对于基于Ln FeAsO的超导体（Ln  =镧系元素），我们证明只有通过HP工艺才能在Ln O层中引入缺氧（O）是将电子载流子掺杂到系统中的有效方法，这导致产生的超导转变温度（T c）与F取代的对应物相当。缺氧，Ln离子变化和外部压力对T c的影响被检查。所有实验数据表明，晶体结构与氧代超导体的超导性之间具有很强的相关性。对PrFeAsO 1- y单晶样品的上临界场测量结果显示，超导各向异性为5，小于铜酸盐。通过显示多晶（Ca，Na）Fe 2 As 2，（Ba，K）Fe 2 As 2以及单晶BaNi的结果，我们还证明了HP技术适用于所谓的'122'系统2 P 2个样本。
• Positron annihilation study in SmFeAsO and SmFeAsO0.82F0.18
  作者：Y. P. Hao、X. L. Chen、R. H. Liu、W. Kong、B. Cheng、H. X. Xu、X. H. Chen、R. D. Han、H. M. Weng、H. J. Du、B. J. Ye

  DOI：10.1063/1.3293299

  日期：2010.2

  SmFeAsO1−xFx polycrystalline samples were first studied by positron annihilation lifetime spectroscopy and Doppler-broadening spectroscopy, combined with the calculated results of positron lifetime. The experimental results agree well with the calculated positron bulk lifetime in SmFeAsO and SmFeAsF crystals. The temperature dependence of S-parameter shows a remarkable difference between the parent

  SmFeAsO1−xFx 多晶样品首先通过正电子湮没寿命光谱和多普勒展宽光谱结合正电子寿命的计算结果进行研究。实验结果与 SmFeAsO 和 SmFeAsF 晶体中计算的正电子体寿命非常吻合。S 参数的温度依赖性表明母体和超导体之间存在显着差异。在母体样品中在 150 K 附近检测到 S 参数的突然跳跃，然而，在超导转变的下方和上方显示了两种不同的斜率。线性 ST 图通过超导跃迁确定了一种缺陷，这在超导中起重要作用。