cadmium arsenide

• 分子结构分类: 无机化合物 - 各种无机化合物 - 无机砷化合物
• 英文名称: cadmium arsenide
• 英文别名: cadmium sesquiarsenide
• 化学式: As₂Cd₃
• 分子量: 487.073
• InChiKey: QXXLEXXGNDMRTB-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -2.38
• 重原子数：
  5.0
• 可旋转键数：
  0.0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  0.0
• 氢给体数：
  0.0
• 氢受体数：
  0.0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  cadmium arsenide 在 H⁽¹⁺⁾ 作用下， 以 not given 为溶剂， 生成 arsenic
  参考文献：
  名称：

  Gmelin Handbuch der Anorganischen Chemie, Gmelin Handbook: Cd: MVol., 63, page 158 - 160

  摘要：

  DOI：
• 作为产物：
  描述：

  砷化氢 、 镉 以 melt 为溶剂， 反应 48.0h， 生成 cadmium arsenide
  参考文献：
  名称：

  Cd 3 As 2的晶体和电子结构，石墨烯的三维电子类似物

  摘要：

  通过单晶X射线衍射对Cd 3 As 2的结构进行了研究，Cd 3 As 2是一种高迁移率的半金属，据报道它可以承载充当狄拉克粒子的电子。发现它是中心对称的，而不是先前报道的非中心对称的。它具有抗萤石（M 2 X）结构类型的扭曲上层结构，在中心对称I 4 1 / acd空间群中具有a = 12.633（3）和c = 25.427（7）的四边形晶胞。可以设想抗萤石的上部结构由变形的Cd 6 □ 2组成平行列中的三个立方体（其中□=空的立方体顶点），并以相反的手性堆叠。使用实验确定的中心对称结构进行的电子结构计算与不使用反对称结构进行的计算相似，但重要的含义是Cd 3 As 2是没有自旋分裂的三维（3D）-狄拉克半金属。所有谱带都是自旋简并的，在布里渊区沿Γ– Z的费米能量处有一个4倍简并的本体狄拉克点。这使得Cd 3 As 2石墨烯的3D电子类似物。扫描隧道显微镜实验确定了在单晶的（112）劈

  DOI：

  10.1021/ic403163d

文献信息

• Electrochemical Preparation of H[sub 2]S and H[sub 2]Se
  作者：Stéphane Bastide、Paul Hügel、Claude Lévy-Clément、Gary Hodes

  DOI：10.1149/1.1852441

  日期：——

  formation are discussed. Both the reaction of nascent hydrogen with the freeelement and direct reduction of the element are considered. The latter is believed to be the dominant mechanism.© 2005 The Electrochemical Society. @DOI: 10.1149/1.1852441# All rights reserved.Manuscript submitted March 31, 2004; revised manuscript received August 3, 2004. Available electronically January 24, 2005.

  代也进行了简要研究以进行比较。讨论了氢化物形成的机制。考虑了新生氢与自由元素的反应和元素的直接还原。后者被认为是主要机制。© 2005 电化学学会。@DOI: 10.1149/1.1852441# 版权所有，2004 年 3 月 31 日投稿；修订稿于 2004 年 8 月 3 日收到。电子版于 2005 年 1 月 24 日提供。
• Thermoelectric properties of (Ba,K)Cd₂As₂ crystallized in the CaAl₂Si₂-type structure
  作者：H. Kunioka、K. Kihou、H. Nishiate、A. Yamamoto、H. Usui、K. Kuroki、C. H. Lee

  DOI：10.1039/c8dt02955e

  日期：——

  As-Based Zintl compounds Ba_1−xK_xCd₂As₂ crystallized in the CaAl₂Si₂-type structure (space group P3̄m1) were prepared using solid-state reactions followed by hot-pressing.

  基于Zintl化合物Ba_1−xK_xCd₂As₂以CaAl₂Si₂-型结构（空间群P3̄m1）结晶，通过固态反应后热压制备。
• Surface Reconstruction, Oxidation Mechanism, and Stability of Cd ₃ As ₂
  作者：Junfeng Gao、Anna Cupolillo、Silvia Nappini、Federica Bondino、Raju Edla、Vito Fabio、Raman Sankar、Yong‐Wei Zhang、Gennaro Chiarello、Antonio Politano

  DOI：10.1002/adfm.201900965

  日期：2019.6

  triangle lattice previously imaged by scanning tunneling microscopy. Moreover, the oxidation mechanism of this reconstructed surface, dominated by the formation of AsOCd bonds, is revealed. Interestingly, it is found that the band structure of the reconstructed surface of Cd3As2 is quite robust against surface oxidation. Both computational and experimental findings point to a successful exploitation

  砷化镉（Cd 3 As 2）最近因具有超高迁移率和磁阻的3D无质量Dirac费米子的存在而引起了人们的极大兴趣。但是，由于单位晶胞非常大，并且单晶样品的生长极具挑战性，因此目前在理论和实验上都尚未对其表面性质进行充分探索。在这里，通过从头算与表面科学光谱实验相结合，以厘米级（112）取向的Cd 3 As 2揭示了表面重构的存在。自选蒸气生长产生的单晶箔。最外面的Cd原子进入As子层，随后与As原子的悬空键自钝化，形成先前通过扫描隧道显微镜成像的三角形晶格。此外，这种重建的表面的氧化机理，通过作为形成主导 ö 镉键，被揭示。有趣的是，发现Cd 3 As 2的重建表面的能带结构对表面氧化具有很强的抵抗力。计算和实验结果均表明Cd 3 As 2单晶技术的成功开发。
• Cd8As7Cl: A Novel Pnictidohalide with a New Structure Type
  作者：Andrei V. Shevelkov、Ludmila N. Reshetova、Boris A. Popovkin

  DOI：10.1006/jssc.1997.7555

  日期：1997.12

  A novel cadmium arsenide chloride, Cd8As7Cl (I), has been prepared by a two-step stoichiometric synthesis. It crystallizes in the cubic space groupP23 (No. 195) with a unit cell parametera=7.2660(10) Å (Z=1). The crystal structure has been solved based on single-crystal X-ray diffraction data (ω–2θscans, least-squares refinement onF2) toR=0.0258 and wR2=0.0435. I possesses a new type of crystal structure

  通过两步化学计量合成，制备了新型的氯化砷镉Cd 8 As 7 Cl（I）。它在晶胞参数a = 7.2660（10）Å（Z = 1）的立方空间群P 23（No. 195）中结晶。基于单晶的晶体结构已经得到解决X射线衍射数据（ω -2 θ扫描，最小二乘法修正上˚F 2），以[R = 0.0258且w - [R 2= 0.0435。我拥有一种新型的晶体结构，该结构被描述为一种扭曲的（不致密）镉原子的原始立方堆积，其立方空隙被砷或氯原子或As-As对填充。I的结构对一半的镉原子表现出位置混乱。As-As对被三个镉原子立方包围，As-As间距为2.43Å，比所有已知的镉和砷化汞卤化物更长。尝试合成相应的溴化物和碘化物失败。
• Anionic Aliovalent Substitution from Structure Models of ZnS: Novel Defect Diamond‐like Halopnictide Infrared Nonlinear Optical Materials with Wide Band Gaps and Large SHG Effects
  作者：Jindong Chen、Chensheng Lin、Dan Zhao、Min Luo、Guang Peng、Bingxuan Li、Shunda Yang、Yingshuang Sun、Ning Ye

  DOI：10.1002/anie.202010319

  日期：2020.12.21

  parallel‐oriented [MIIPnI3] mixed‐anionic tetrahedral groups, leading to excellent physical properties including wide band gaps (2.38–2.85 eV), large second harmonic generation responses (2.7–5.1×AgGaS2), high laser‐induced damage thresholds (5.5–10.7×AgGaS2), and good IR transparency. In particular, Cd3PI3 and Cd3AsI3 achieved phase‐matching (Δn=0.035 and 0.031) that their template β‐ZnS could not do.

  为了设计具有宽禁带宽度和较大二次谐波生成量的光子非线性光学材料，通过以钻石状ZnS作为模板的阴离子异价取代将重卤素I引入到光子中。因此，获得了四种出色的基于卤虫肽的红外非线性光学晶体M II 3 PnI 3（M II = Zn，Cd； Pn = P，As）。它们都显示出具有高度平行[M II PnI 3 ]混合阴离子四面体基团的缺陷类金刚石结构，从而导致出色的物理性能，包括宽带隙（2.38–2.85 eV），大的二次谐波响应（2.7–5.1） ×AgGaS 2），高激光诱导损伤阈值（5.5-10.7×AgGaS2），以及良好的红外透明性。特别是Cd 3 PI 3和Cd 3 AsI 3实现了模板β-ZnS不能实现的相位匹配（Δn = 0.035和0.031）。阴离子异价取代为设计新颖的有希望的卤代核苷酸IR NLO材料提供了可行的策略。