arsenic tritelluride

• 分子结构分类: 无机化合物 - 各种无机化合物 - 无机砷化合物
• 英文名称: arsenic tritelluride
• 英文别名: arsenic telluride；Diarsane tritellane；arsane;tellane
• 化学式: As₂Te₃
• 分子量: 532.643
• InChiKey: HGNJZONZNQCEPU-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -5.12
• 重原子数：
  5.0
• 可旋转键数：
  0.0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  0.0
• 氢给体数：
  0.0
• 氢受体数：
  0.0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  arsenic tritelluride 、 三碘化砷 以 neat (no solvent) 为溶剂， 生成 arsenic telluroiodide
  参考文献：
  名称：

  Kniep, Ruediger; Reski, Horst Dieter, Zeitschrift fur Naturforschung, Teil B: Anorganische Chemie, Organische Chemie, 1982, vol. 37, # 2, p. 151 - 156

  摘要：

  DOI：
• 作为产物：
  描述：

  三氯化砷 、 碲化氢 以 水 为溶剂， 生成 arsenic tritelluride
  参考文献：
  名称：

  Brukl, A., Monatshefte fur Chemie

  摘要：

  DOI：

文献信息

• Synthesis and X-ray structure of a chiral, arsenic-rich telluride, As10Te3 2?
  作者：Robert C. Haushalter

  DOI：10.1039/c39870000196

  日期：——

  Oxidation of polyarsenides with elemental Te or reduction of As2Te3 with potassium both yield large arsenic telluride anions, one of which, As10Te32–, has been structurally characterized.

  用元素Te氧化聚砷或用钾还原As 2 Te 3均可产生大的碲化砷阴离子，其中之一为As 10 Te 3 2-。
• [Te₂As₂]^2-:  A Planar Motif with “Conflicting” Aromaticity
  作者：Angel Ugrinov、Ayusman Sen、Arthur C. Reber、Meichun Qian、Shiv N. Khanna

  DOI：10.1021/ja075513l

  日期：2008.1.1

  [K(18-crown-6)]2[Te2As2] is the first four-membered ring Zintl anion of elements from groups XV and XVI. The anion has an unexpected triplet aromatic ground state.

  [K(18-crown-6)]2[Te2As2] 是第 XV 和 XVI 族元素的第一个四元环 Zintl 阴离子。阴离子具有意想不到的三重芳香基态。
• Study of non-isothermal kinetics and thermal characterization of AsSeTe system
  作者：L.A. Wahab、S.A. Fayek

  DOI：10.1016/0038-1098(96)00339-0

  日期：1996.11

  accompanying the thermally induced structural changes in various glasses of the chalcogenide system As 4 Se 6− x Te x , with O ≤ x ≤6, has been investigated using DSC measurements. The crystallization data are interpreted in terms of recent analysis developed for non-isothermal crystallization and also for the evaluation of activation energy of crystallization ( E a and the characterization of the crystallization

  摘要 已经使用 DSC 测量研究了碲对硫族化物系统 As 4 Se 6− x Te x 和 O ≤ x ≤6 的各种玻璃中伴随热致结构变化的现象的影响。结晶数据根据最近为非等温结晶开发的分析以及结晶活化能的评估（ E a 和结晶机制的表征）进行解释。结果表明，二维生长的块状结晶发生在这些玻璃。使用循环技术研究了两个连续加热-冷却循环期间的热诱导相。根据平均雾化热讨论了分解能 E d 与成分之间的关​​系。
• Experimental and theoretical study of β-As₂Te₃ under hydrostatic pressure
  作者：R. Vilaplana、S. Gallego-Parra、E. Lora da Silva、D. Martínez-García、G. Delaizir、A. Muñoz、P. Rodríguez-Hernández、V. P. Cuenca-Gotor、J. A. Sans、C. Popescu、A. Piarristeguy、F. J. Manjón

  DOI：10.1039/d2tc03357g

  日期：——

  through a 3D Dirac topological semimetal. This topological transition, specific to β-As2Te3, is not observed in isostructural Te-based sesquichalcogenides α-Sb2Te3 and α-Bi2Te3 that are topological insulators at room conditions. The second isostructural phase transition is likely related to an insulator-metal transition. Additionally, we have observed two partially reversible first-order phase transitions

  我们报告了类石英 ( R m ) β-As 2 Te 3的结构和振动特性的联合实验和理论高压研究。借助从头算计算，在流体静力条件下，通过角色散同步加速器粉末 X 射线衍射和拉曼散射测量对两个样品进行了表征。一个样品是在高压和高温条件下使用 Paris-Edinburg 电池合成的，另一个是通过熔体淬火技术合成的。两种 β-As 2 Te 3样品都表现出相同的性质，并表现出两个阶数高于 2 的同结构相变，即电子起源，接近 2.0(2) 和 6.0(5) GPa，与最近电子能带结构计算预测的变化兼容。第一个等结构相变可归因于从普通绝缘体到拓扑绝缘体的拓扑量子相变，通过 3D Dirac 拓扑半金属。这种拓扑转变是 β-As 2 Te 3特有的，在同结构 Te 基倍半硫族化物 α-Sb 2 Te 3和 α-Bi 2 Te 3中没有观察到在室内条件下是拓扑绝缘体。第二个同构相变可能与绝缘体-金属相变有关。此外，我们在10
• New chalcogenide glasses in the CdTe–AgI–As2Te3 system
  作者：M. Kassem、D. Le Coq、R. Boidin、E. Bychkov

  DOI：10.1016/j.materresbull.2011.11.048

  日期：2012.2

  transition temperature but the resistance of binary AgI-Assub 2}Tesub 3} glasses towards crystallisation is estimated to be decreasing on the base of Delta}T = Tsub x} - Tsub g} parameter. The total electrical conductivity sigma} was measured by complex impedance spectroscopy. First, the CdTe additions in the (AgI)sub 0.5}(Assub 2}Tesub 3})sub 0.5} host glass, (CdTe)sub x}(AgI)sub 0.5-x/2}(Assub

  亮点：准三元 CdTe-AgI-Assub 2}Tesub 3} 系统中玻璃形成区域的黑-右指向指针确定。新型 CdTe-AgI-Assub 2}Tesub 3} 玻璃宏观特性的黑-右指向指针表征。CdTe-AgI-Assub 2}Tesub 3} 玻璃的总电导率的 Black-Right-Pointing-Pointer 表征。硒化物和碲化物等效系统之间的黑色右指向指针比较。-- 摘要：合成了伪三元CdTe-AgI-Assub 2}Tesub 3}体系中的硫属化物玻璃，并确定了玻璃形成范围。发现该玻璃系统中 CdTe 的最大含量等于 15 mol.%。样品的宏观表征包括差示扫描量热法、密度和 X 射线衍射测量。碲化镉的添加不会对玻璃化转变温度产生任何显着变化，但估计二元 AgI-Assub 2}Tesub 3} 玻璃对结晶的抵抗力在 Delta}T = T 的基础上降低sub