2,3:6,7-anthracenedicarboximide

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 蒽
• 英文名称: 2,3:6,7-anthracenedicarboximide
• 英文别名: 7,17-Diazapentacyclo[11.7.0.03,11.05,9.015,19]icosa-1(20),2,4,9,11,13,15(19)-heptaene-6,8,16,18-tetrone；7,17-diazapentacyclo[11.7.0.03,11.05,9.015,19]icosa-1(20),2,4,9,11,13,15(19)-heptaene-6,8,16,18-tetrone
• 化学式: C₁₈H₈N₂O₄
• 分子量: 316.273
• InChiKey: HTBUEJBGSAUELB-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  2
• 重原子数：
  24
• 可旋转键数：
  0
• 环数：
  5.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  92.3
• 氢给体数：
  2
• 氢受体数：
  4

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  2,3:6,7-anthracenedicarboximide 在 三氟化硼四氢呋喃络合物 作用下， 以 四氢呋喃 为溶剂， 反应 50.0h， 以25%的产率得到bis-(2,3:6,7-iminodimethylene)anthracene
  参考文献：
  名称：

  刚性多环仲二胺的合成：双-(2,3:6,7-亚氨基二亚甲基)蒽和双-(2,3:6,7-亚氨基二亚甲基)-9,10-二羧基乙烯蒽

  摘要：

  Diels-Alder反应合成双(2,3:6,7-亚氨基二亚甲基)蒽和双-(2,3:6,7-亚氨基二甲基)-9,10-二羧基乙烯蒽两种刚性多环仲二胺描述了 1,2,4,5-四（二溴甲基）苯和马来酰亚胺之间的反应，然后进行酰亚胺还原。此外，这两个环状仲二胺与 N 保护的氨基酸发生酰化，从而提供功能化、两亲性和手性结构单元，用于掺入超分子系统。

  DOI：

  10.1055/s-2003-40359
• 作为产物：
  描述：

  马来酰亚胺 、 1,2,4,5-四(二溴甲基)苯 在 sodium iodide 作用下， 以 N,N-二甲基乙酰胺 为溶剂， 以30%的产率得到2,3:6,7-anthracenedicarboximide
  参考文献：
  名称：

  刚性多环仲二胺的合成：双-(2,3:6,7-亚氨基二亚甲基)蒽和双-(2,3:6,7-亚氨基二亚甲基)-9,10-二羧基乙烯蒽

  摘要：

  Diels-Alder反应合成双(2,3:6,7-亚氨基二亚甲基)蒽和双-(2,3:6,7-亚氨基二甲基)-9,10-二羧基乙烯蒽两种刚性多环仲二胺描述了 1,2,4,5-四（二溴甲基）苯和马来酰亚胺之间的反应，然后进行酰亚胺还原。此外，这两个环状仲二胺与 N 保护的氨基酸发生酰化，从而提供功能化、两亲性和手性结构单元，用于掺入超分子系统。

  DOI：

  10.1055/s-2003-40359

文献信息

• ORGANIC SEMICONDUCTOR THIN FILM, ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
  申请人：KONICA MINOLTA HOLDINGS, INC.

  公开号：EP2001063A1

  公开（公告）日：2008-12-10

  Disclosed is an organic semiconductor thin film having excellent coating property and high carrier mobility. Also disclosed are an organic thin film transistor using such an organic semiconductor thin film, and a method for manufacturing such an organic thin film transistor. Specifically disclosed is an organic semiconductor thin film formed on a base subjected to a surface treatment. This organic semiconductor thin film is characterized in that a surface treating agent used in the surface treatment has a terminal structure represented by a specific general formula.

  本发明公开了一种具有优异镀膜性能和高载流子迁移率的有机半导体薄膜。还公开了使用这种有机半导体薄膜的有机薄膜晶体管，以及制造这种有机薄膜晶体管的方法。具体而言，本发明公开了一种在基底上形成并经过表面处理的有机半导体薄膜。这种有机半导体薄膜的特征在于，表面处理中使用的表面处理剂具有由特定通式表示的终端结构。
• RESIN COMPOSITION FOR PRINTING PLATE
  申请人：Asahi Kasei Chemicals Corporation

  公开号：EP2100907A1

  公开（公告）日：2009-09-16

  Disclosed is a polymer having excellent solvent resistance which can be produced by using a polycarbonate diol having a repeating unit represented by the formula (1) and/or (2), having a hydroxyl group at both termini, and having a number average molecular weight of from 300 to 50,000: wherein R1 represents a linear or branched hydrocarbon group having 2 to 50 carbon atoms; and n represents an integer of 2 to 50, wherein R2 represents a linear or branched hydrocarbon group having 10 to 50 carbon atoms.

  本发明公开了一种具有优异耐溶剂性的聚合物，该聚合物可通过使用一种聚碳酸酯二元醇来生产，该二元醇具有由式（1）和/或（2）表示的重复单元，其两个末端均带有羟基，且平均分子量在 300 至 50,000 之间： 其中 R1 代表具有 2 至 50 个碳原子的线性或支链烃基；n 代表 2 至 50 的整数、 其中 R2 代表具有 10 至 50 个碳原子的直链或支链烃基。
• Resin composition for printing plate
  申请人：Asahi Kasei E-materials Corporation

  公开号：EP2567995A2

  公开（公告）日：2013-03-13

  The present invention relates to printing plate or a blank printing plate comprising a polymer (a) produced from a polycarbonate diol comprising a repeating unit represented by the following formulas (1) and/or (2): wherein R1 represents a linear or branched hydrocarbon group having 2 to 50 carbon atoms; and n represents an integer of 2 to 50, wherein R2 represents a linear or branched hydrocarbon group having 10 to 50 carbon atoms.

  本发明涉及印刷版或空白印刷版，其中包含一种由聚碳酸酯二元醇制得的聚合物 (a)，该聚合物包含由下列公式 (1) 和/或 (2) 所代表的重复单元： 其中 R1 代表具有 2 至 50 个碳原子的线性或支链烃基；n 代表 2 至 50 的整数、 其中 R2 代表具有 10 至 50 个碳原子的直链或支链烃基。
• ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
  申请人：Fujifilm Corporation

  公开号：EP3116031A1

  公开（公告）日：2017-01-11

  Provided are an organic thin-film transistor including: a gate electrode, an organic semiconductor layer, a gate insulating layer, a source electrode, and a drain electrode on a substrate, in which the organic semiconductor layer includes an organic semiconductor and a resin (C) having one or more groups selected from the group consisting of a group having fluorine atoms, a group having silicon atoms, an alkyl group having one or more carbon atoms or having two or more carbon atoms in a case of forming an alkoxycarbonyl group, a cycloalkyl group, an aralkyl group, an aryloxycarbonyl group, an aromatic ring group substituted with at least one alkyl group, and an aromatic ring group substituted with at least one cycloalkyl group; and a method for manufacturing an organic thin-film transistor including: applying a coating solution which contains the organic semiconductor and the resin (C) and causing the resin (C) to be unevenly distributed.

  提供了一种有机薄膜晶体管，包括基板上的栅电极、有机半导体层、栅绝缘层、源电极和漏电极，其中有机半导体层包括有机半导体和树脂 (C)，树脂 (C)具有一个或多个基团，这些基团选自具有氟原子的基团、具有硅原子的基团组成的组、具有一个或多个碳原子的烷基，或在形成烷氧基羰基、环烷基、芳烷基、芳氧基羰基、被至少一个烷基取代的芳环基和被至少一个环烷基取代的芳环基的情况下具有两个或多个碳原子的烷基；一种制造有机薄膜晶体管的方法，包括涂敷含有有机半导体和树脂（C）的涂层溶液，并使树脂（C）不均匀分布。
• SEMICONDUCTOR ELEMENT AND INSULATING-LAYER-FORMING COMPOSITION
  申请人：FUJIFILM Corporation

  公开号：EP3125277A1

  公开（公告）日：2017-02-01

  Provided is a semiconductor element having a semiconductor layer and an insulating layer adjacent to the semiconductor layer, in which the insulating layer is formed of a crosslinked product of a polymer compound having a repeating unit (IA) represented by the following General Formula (IA) and a repeating unit (IB) represented by the following General Formula (IB). In General Formula (IA), R1a represents a hydrogen atom, a halogen atom, or an alkyl group. L1a and L2a each independently represent a single bond or a linking group. X represents a crosslinkable group. m2a represents an integer of 1 to 5, and in a case where m2a is 2 or more, m2a number of X's may be the same or different from each other. m1a represents an integer of 1 to 5, and in a case where m1a is 2 or more, m1a number of (-L2a-(X)m2a)'s may be the same or different from each other. In General Formula (IB),' R1b represents a hydrogen atom, a halogen atom, or an alkyl group. L1b represents a single bond or a linking group, and Ar1b represents an aromatic ring. m1b represents an integer of 1 to 5.

  本发明提供了一种半导体元件，该元件具有半导体层和与半导体层相邻的绝缘层，其中绝缘层由聚合物化合物的交联产物形成，该聚合物化合物具有如下通式(IA)表示的重复单元(IA)和如下通式(IB)表示的重复单元(IB)。 通式（IA）中，R1a 代表氢原子、卤素原子或烷基。L1a 和 L2a 各自独立地代表单键或连接基团。X 代表可交联基团。m2a 代表 1 至 5 的整数，在 m2a 为 2 或 2 以上的情况下，m2a 中 X 的数目可以相同或不同。m1a 代表 1 至 5 的整数，在 m1a 为 2 或 2 以上的情况下，m1a 中 (-L2a-(X)m2a) 的数目可以相同或不同。通式（IB）中，' R1b 代表氢原子、卤素原子或烷基。L1b 代表单键或连接基团，Ar1b 代表芳香环。