叔-丁基蒽-9-羧酸酯 | 1734-16-3

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 蒽
• 中文名称: 叔-丁基蒽-9-羧酸酯
• 英文名称: anthracene-9-carboxylic acid tert-butyl ester
• 英文别名: tert-butyl anthracene-9-carboxylate；tert-butyl anthracenecarboxylate；9-tert-butyl anthroate；tert-butyl 9-anthroate；9TBAE；9-Anthracencarbonsaeure-tert.-butylester
• CAS: 1734-16-3
• 化学式: C₁₉H₁₈O₂
• 分子量: 278.351
• InChiKey: YUEMJCIBNHREMW-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  5.2
• 重原子数：
  21
• 可旋转键数：
  3
• 环数：
  3.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.21
• 拓扑面积：
  26.3
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  2

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  叔-丁基蒽-9-羧酸酯 在 C₂₄H₃₂N₈Ni⁽²⁺⁾*2I^(1-) 、 sodium amalgam 作用下， 以 N,N-二甲基甲酰胺 为溶剂， 反应 1.0h， 以85%的产率得到tert-butyl 9,10-dihydro-9-anthroate
  参考文献：
  名称：

  Reductions of Challenging Organic Substrates by a Nickel Complex of a Noninnocent Crown Carbene Ligand

  摘要：

  The first crown-tetracarbene complex of Ni(II) has been prepared, and its crystal structure determined. The complex can be reduced by Na/Hg, with an uptake of two electrons. The reduced complex reductively cleaves arenesulfonamides, including those derived from secondary aliphatic amines, and effects Birch reduction of anthracenes as well as reductive cleavage of stilbene oxides. Computational studies show that the orbital that receives electrons upon reduction of the complex 2 is predominantly based on the crown carbene ligand and also that the HOMO of the parent complex 2 is based on the ligand.

  DOI：

  10.1021/ja107703n
• 作为产物：
  描述：

  10-溴蒽-9-羧酸 在 四丙基溴化铵 、 三氟乙酸酐 作用下， 以 N,N-二甲基甲酰胺 、 甲苯 为溶剂， 反应 0.42h， 生成 叔-丁基蒽-9-羧酸酯
  参考文献：
  名称：

  羧酸酯的 EPR 研究。第 16 部分. 蒽-9-羧酸烷基酯难以捉摸的自由基阴离子的间接生成

  摘要：

  非质子介质中分子氧的电还原产生超氧阴离子 O2.−。这些高反应性自由基阴离子很容易攻击敏感的芳烃。因此，不可能通过直接原位电还原产生蒽-9-羧酸酯 (1) 的自由基阴离子。因为在 10 位取代的衍生物对这些自由基是稳定的，所以实现了自由基阴离子 1.- 的间接生成，以便能够测量其 EPR 光谱。在一系列 EPR 实验中，我们能够研究各种取代基对蒽衍生物对超氧化物的稳定性和自旋密度分布的影响。版权所有 © 2000 John Wiley & Sons, Ltd.

  DOI：

  10.1002/1099-1395(200010)13:10<624::aid-poc285>3.0.co;2-t

文献信息

• Novel sulfonyldiazomethanes, photoacid generators, resist compositions, and patterning process
  申请人：——

  公开号：US20040167322A1

  公开（公告）日：2004-08-26

  A chemical amplification type resist composition comprising a specific benzenesulfonyldiazomethane containing a long-chain alkoxyl group at the 2-position on benzene ring has many advantages including improved resolution, improved focus latitude, minimized line width variation or shape degradation even on long-term PED, minimized debris left after coating, development and peeling, and improved pattern profile after development and is thus suited for microfabrication.

  一种化学放大型抗蚀组合物，包括在苯环上的2-位含有长链烷氧基基团的特定苯磺酰二氮甲烷，具有许多优点，包括提高分辨率，改善焦点宽度，即使在长期PED上也减少线宽变化或形状退化，涂层、显影和剥离后减少残留物，并在显影后改善图案轮廓，因此适用于微加工。
• Photoacid generators, chemically amplified resist compositions, and patterning process
  申请人：Ohsawa Youichi

  公开号：US20070292768A1

  公开（公告）日：2007-12-20

  A photoacid generator has formula (1). A chemically amplified resist composition comprising the photoacid generator has advantages including a high resolution, focus latitude, long-term PED dimensional stability, and a satisfactory pattern profile shape. When the photoacid generator is combined with a resin having acid labile groups other than those of the acetal type, resolution and top loss are improved. The composition is suited for deep UV lithography.

  一种光酸发生剂的化学式为（1）。包括该光酸发生剂的化学增感抗蚀组合物具有诸如高分辨率、焦点宽度、长期PED尺寸稳定性和令人满意的图案轮廓形状等优点。当该光酸发生剂与具有除了缩醛类型以外的酸敏感基团的树脂结合时，可以改善分辨率和顶部损失。该组合物适用于深紫外光刻。
• NOVEL PHOTOACID GENERATOR, RESIST COMPOSITION, AND PATTERNING PROCESS
  申请人：Ohsawa Youichi

  公开号：US20090246694A1

  公开（公告）日：2009-10-01

  Photoacid generators generate sulfonic acids of formula ( 1 a) upon exposure to high-energy radiation. ROC(═O)R 1 —COOCH 2 CF 2 SO 3 − H + (1a) RO is OH or C 1 -C 20 organoxy, R 1 is a divalent C 1 -C 20 aliphatic group or forms a cyclic structure with RO. The photoacid generators are compatible with resins and can control acid diffusion and are thus suited for use in chemically amplified resist compositions.

  光酸发生剂在高能辐射作用下生成式（1a）的磺酸。 ROC(═O)R1—COOCH2CF2SO3−H+(1a) RO为OH或C1-C20有机氧基，R1为二价的C1-C20脂肪族基团或与RO形成环状结构。这些光酸发生剂与树脂相容，可以控制酸的扩散，因此适用于化学增感抗蚀组合物的使用。
• NOVEL PHOTOACID GENERATOR, RESIST COMPOSITION, AND PATTERNING PROCESS
  申请人：OHASHI Masaki

  公开号：US20090061358A1

  公开（公告）日：2009-03-05

  Photoacid generators generate sulfonic acids of formula (1a) or (1c) upon exposure to high-energy radiation. R 1 —COOCH(CF 3 )CF 2 SO 3 + H + (1a) R 1 —O—COOCH(CF 3 )CF 2 SO 3 − H + (1c) R 1 is a C 20 -C 50 hydrocarbon group having a steroid structure. The photoacid generators are compatible with resins and can control acid diffusion and are thus suited for use in chemically amplified resist compositions.

  光酸发生剂在高能辐射作用下生成式（1a）或（1c）的磺酸。R1—COOCH(CF3)CF2SO3+H+(1a)R1—O—COOCH(CF3)CF2SO3−H+(1c)R1是具有类固醇结构的C20-C50烃基。这些光酸发生剂与树脂相容，可以控制酸的扩散，因此适用于化学增感抗蚀组合物的使用。
• Novel photoacid generators, resist compositions, and patterning process
  申请人：Ohsawa Youichi

  公开号：US20080085469A1

  公开（公告）日：2008-04-10

  Photoacid generators generate sulfonic acids of formula (1a) upon exposure to high-energy radiation. RC(═O)R 1 —COOCH(CF 3 )CF 2 SO 3 − H + (1a) R is hydroxyl, alkyl, aryl, hetero-aryl, alkoxy, aryloxy or hetero-aryloxy, R 1 is a divalent organic group which may have a heteroatom (O, N or S) containing substituent, or R 1 may form a cyclic structure with R. The photoacid generators are compatible with resins and can control acid diffusion and are thus suited for use in chemically amplified resist compositions.

  光酸发生剂在高能辐射作用下生成式（1a）的磺酸。RC(═O)R1—COOCH(CF3)CF2SO3−H+(1a)中，R为羟基、烷基、芳基、杂芳基、烷氧基、芳氧基或杂芳氧基，R1为可能含有杂原子（O、N或S）取代基的二价有机基团，或R1可与R形成环状结构。这些光酸发生剂与树脂相容，可以控制酸的扩散，因此适用于化学增感抗蚀组合物中的使用。