1,3-dimethyl-2-(3,4,5-trimethoxyphenyl)-2,3-dihydro-1H-benzo[d]imidazole | 5536-77-6

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机杂环化合物 - 苯并咪唑类
• 英文名称: 1,3-dimethyl-2-(3,4,5-trimethoxyphenyl)-2,3-dihydro-1H-benzo[d]imidazole
• 英文别名: 1,3-dimethyl-2-(3,4,5-trimethoxyphenyl)-2,3-dihydro-1H-benzimidazole；1,3-dimethyl-2-(3,4,5-trimethoxyphenyl)-2H-benzimidazole
• CAS: 5536-77-6
• 化学式: C₁₈H₂₂N₂O₃
• 分子量: 314.384
• InChiKey: DREUEAOFTRXSBV-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 熔点：
  190-192 °C
• 沸点：
  615.5±55.0 °C(Predicted)
• 密度：
  1.71±0.1 g/cm3(Predicted)

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  3.5
• 重原子数：
  23
• 可旋转键数：
  4
• 环数：
  3.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.33
• 拓扑面积：
  34.2
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  5

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  3,4,5-三甲氧基苯甲醛 、 1-N,2-N-二甲基苯-1,2-二胺 在 溶剂黄146 作用下， 以 甲醇 为溶剂， 反应 6.0h， 以92%的产率得到1,3-dimethyl-2-(3,4,5-trimethoxyphenyl)-2,3-dihydro-1H-benzo[d]imidazole
  参考文献：
  名称：

  使用新型 N 型聚合物在 N-DMBI 掺杂剂上进行 3,4,5-三甲氧基取代：聚合物-掺杂剂匹配以提高电导率-塞贝克系数关系

  摘要：

  两种具有不同主链的 n 型共轭聚合物和一种 n 型掺杂剂 1,3-二甲基-2-(3,4,5-三甲氧基苯基)-2,3-二氢-1 H-苯并[d]咪唑 (TP- DMBI) 被合成，并且通过 TP-DMBI 实现了0.53 cm 2  V -1 S -1 的电子迁移率、11 S cm -1 的电导率和 32 μW m -1  K -2的 n 型有机热电材料的功率因数掺杂薄膜，其性能优于 N-DMBI 掺杂薄膜。

  DOI：

  10.1002/anie.202110505

文献信息

• 3,4,5‐Trimethoxy Substitution on an N‐DMBI Dopant with New N‐Type Polymers: Polymer‐Dopant Matching for Improved Conductivity‐Seebeck Coefficient Relationship
  作者：Jinfeng Han、Arlene Chiu、Connor Ganley、Patty McGuiggan、Susanna M. Thon、Paulette Clancy、Howard E. Katz

  DOI：10.1002/anie.202110505

  日期：2021.12.20

  Two n-type conjugated polymers with different backbones and a n-type dopant 1,3-dimethyl-2-(3,4,5-trimethoxyphenyl)-2,3-dihydro-1H-benzo[d]imidazole (TP-DMBI) are synthesized, and electron mobility of 0.53 cm2 V−1 S−1, electrical conductivity of 11 S cm−1 and power factor 32 μW m−1 K−2 for n-type organic thermoelectrics are achieved by TP-DMBI doped films, which out-perform N-DMBI doped films.

  两种具有不同主链的 n 型共轭聚合物和一种 n 型掺杂剂 1,3-二甲基-2-(3,4,5-三甲氧基苯基)-2,3-二氢-1 H-苯并[d]咪唑 (TP- DMBI) 被合成，并且通过 TP-DMBI 实现了0.53 cm 2  V -1 S -1 的电子迁移率、11 S cm -1 的电导率和 32 μW m -1  K -2的 n 型有机热电材料的功率因数掺杂薄膜，其性能优于 N-DMBI 掺杂薄膜。