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2-decyl-4-methylthiophene

中文名称
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中文别名
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英文名称
2-decyl-4-methylthiophene
英文别名
——
2-decyl-4-methylthiophene化学式
CAS
——
化学式
C15H26S
mdl
——
分子量
238.437
InChiKey
IBLLHSCDZAAXJP-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
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  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    6.9
  • 重原子数:
    16
  • 可旋转键数:
    9
  • 环数:
    1.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.73
  • 拓扑面积:
    28.2
  • 氢给体数:
    0
  • 氢受体数:
    1

反应信息

  • 作为产物:
    描述:
    3-甲基噻吩正癸烯 在 C35H46N2Ni 、 sodium t-butanolate 作用下, 以 neat (no solvent) 为溶剂, 反应 20.0h, 以14%的产率得到2-decyl-4-methylthiophene
    参考文献:
    名称:
    镍-N-杂环卡宾系统催化未活化烯烃与吲哚、吡咯、苯并呋喃和呋喃的反马尔科夫尼科夫氢杂芳基化反应
    摘要:
    我们报告了在杂芳烃(包括吡咯、吲哚、苯并呋喃和呋喃)的 C2 位置催化加成 CH 键到未活化的末端和内部烯烃。该反应由 Ni(COD)2 和位阻、富电子 N-杂环卡宾配体或其类似的 Ni(NHC)(芳烃) 配合物的组合催化。该反应对α-烯烃的反马尔科夫尼科夫加成以及从内烯烃形成线性烷基杂芳烃具有高度选择性。该反应发生在含有酮、酯、酰胺、硼酸酯、甲硅烷基醚、磺酰胺、缩醛和游离胺的底物上。
    DOI:
    10.1021/jacs.5b08039
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文献信息

  • ORGANIC TRANSISTOR, COMPOUND, ORGANIC SEMICONDUCTOR MATERIAL FOR NON-LIGHT-EMITTING ORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICE, MATERIAL FOR ORGANIC TRANSISTOR, COATING LIQUID FOR NON-LIGHT-EMITTING ORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING ORGANIC TRANSISTOR, METHOD FOR MANUFACTURING ORGANIC SEMICONDUCTOR FILM, ORGANIC SEMICONDUCTOR FILM FOR NON-LIGHT-EMITTING ORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR SYNTHESIZING ORGANIC SEMICONDUCTOR MATERIAL
    申请人:Fujifilm Corporation
    公开号:EP3125322A1
    公开(公告)日:2017-02-01
    Provided are an organic transistor with high carrier mobility having a semiconductor active layer containing a compound which is represented by the following formula and has a molecular weight of equal to or less than 3,000, a compound, an organic semiconductor material for a non-light-emitting organic semiconductor device, a material for an organic transistor, a coating solution for a non-light-emitting organic semiconductor device, a method for manufacturing an organic transistor, a method for manufacturing an organic semiconductor film, an organic semiconductor film for a non-light-emitting organic semiconductor device, and a method for manufacturing an organic semiconductor material. (X represents an oxygen, sulfur, selenium, or tellurium atom or NR5; Y and Z each represents CR6, an oxygen, sulfur, selenium, or nitrogen atom, or NR7; a ring containing Y and Z is an aromatic heterocycle; any one of R1 and R2 and the aromatic heterocycle containing Y and Z or any one of R3 and R4 and a benzene ring may be bonded to each other through a specific divalent linking group; R1, R2, and R5 to R8 each represent a hydrogen atom, an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, an aryl group, or a heteroaryl group; R3 and R4 each represent an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, an aryl group, or heteroaryl group; and each of m and n is an integer of 0 to 2.)
    本发明提供了一种具有高载流子迁移率的有机晶体管,该晶体管的半导体有源层含有分子量等于或小于3000的下式表示的化合物、化合物、用于非发光有机半导体器件的有机半导体材料、用于有机晶体管的材料、用于非发光有机半导体器件的涂层溶液、制造有机晶体管的方法、制造有机半导体薄膜的方法、用于非发光有机半导体器件的有机半导体薄膜以及制造有机半导体材料的方法。 (X代表氧原子、硫原子、硒原子或碲原子或NR5;Y和Z各自代表CR6、氧原子、硫原子、硒原子或氮原子或NR7;含有Y和Z的环是芳香杂环;R1和R2中的任一个与含有Y和Z的芳香杂环或R3和R4中的任一个与苯环可通过特定的二价连接基团相互键合;R1、R2 和 R5 至 R8 分别代表氢原子、烷基、烯基、炔基、芳基或杂芳基;R3 和 R4 分别代表烷基、烯基、炔基、芳基或杂芳基;以及 m 和 n 分别为 0 至 2 的整数。)
  • Anti-Markovnikov Hydroheteroarylation of Unactivated Alkenes with Indoles, Pyrroles, Benzofurans, and Furans Catalyzed by a Nickel–<i>N</i>-Heterocyclic Carbene System
    作者:York Schramm、Makoto Takeuchi、Kazuhiko Semba、Yoshiaki Nakao、John F. Hartwig
    DOI:10.1021/jacs.5b08039
    日期:2015.9.30
    benzofurans, and furans, to unactivated terminal and internal alkenes. The reaction is catalyzed by a combination of Ni(COD)2 and a sterically hindered, electron-rich N-heterocyclic carbene ligand or its analogous Ni(NHC)(arene) complex. The reaction is highly selective for anti-Markovnikov addition to α-olefins, as well as for the formation of linear alkylheteroarenes from internal alkenes. The reaction occurs
    我们报告了在杂芳烃(包括吡咯、吲哚、苯并呋喃和呋喃)的 C2 位置催化加成 CH 键到未活化的末端和内部烯烃。该反应由 Ni(COD)2 和位阻、富电子 N-杂环卡宾配体或其类似的 Ni(NHC)(芳烃) 配合物的组合催化。该反应对α-烯烃的反马尔科夫尼科夫加成以及从内烯烃形成线性烷基杂芳烃具有高度选择性。该反应发生在含有酮、酯、酰胺、硼酸酯、甲硅烷基醚、磺酰胺、缩醛和游离胺的底物上。
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