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钽(+5)草酸盐 | 31791-37-4

中文名称
钽(+5)草酸盐
中文别名
——
英文名称
Tantalum(5+) oxalate
英文别名
oxalate;tantalum(5+)
钽(+5)草酸盐化学式
CAS
31791-37-4
化学式
C10O20Ta2
mdl
——
分子量
801.99
InChiKey
OSYUGTCJVMTNTO-UHFFFAOYSA-D
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    -17.57
  • 重原子数:
    32
  • 可旋转键数:
    0
  • 环数:
    0.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.0
  • 拓扑面积:
    401
  • 氢给体数:
    0
  • 氢受体数:
    20

反应信息

  • 作为反应物:
    描述:
    Ammonium niobium oxalate 、 钽(+5)草酸盐 生成 niobium(II) oxide氧化钽
    参考文献:
    名称:
    Processes for the production of niobium oxides with controlled tantalum content and capacitors made therefrom
    摘要:
    本发明涉及具有受控钽含量的铌氧化物及其生产方法。钽含量可以是均匀的或不均匀的,并且可以使用各种工艺获得,包括共沉淀、浸渍、沉积和混合工艺。具有受控钽含量的铌酸五氧化物可以进一步通过单步还原过程还原为具有受控钽含量的铌单氧化物,或者可以先使用两步过程还原为具有受控钽含量的铌二氧化物。根据这些过程生产的具有受控钽含量的铌单氧化物可以表现出高比表面积和适当的形态,并可用于制造具有高电容和低泄漏电流的电容器。
    公开号:
    US20050225927A1
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文献信息

  • Processes for the production of niobium oxides with controlled tantalum content and capacitors made therefrom
    申请人:Tagusagawa Yasuhiko Solon
    公开号:US20050225927A1
    公开(公告)日:2005-10-13
    The present invention relates to niobium oxides having a controlled tantalum content and processes for producing such niobium oxides. The tantalum content can be homogenous or heterogeneous and can be obtained using various process, including co-precipitation, impregnation, deposition, and mixing processes. Niobium pentoxide having a controlled tantalum content can further be reduced to niobium monoxide with controlled tantalum content using a single step reduction process, or can first be reduced to niobium-dioxide with controlled tantalum content using a two step process. The niobium monoxide with controlled tantalum content produced according to such processes can exhibit a high surface area and an appropriate morphology, and can be used to make capacitors with a high capacitance and a low leakage current.
    本发明涉及具有受控钽含量的铌氧化物及其生产方法。钽含量可以是均匀的或不均匀的,并且可以使用各种工艺获得,包括共沉淀、浸渍、沉积和混合工艺。具有受控钽含量的铌酸五氧化物可以进一步通过单步还原过程还原为具有受控钽含量的铌单氧化物,或者可以先使用两步过程还原为具有受控钽含量的铌二氧化物。根据这些过程生产的具有受控钽含量的铌单氧化物可以表现出高比表面积和适当的形态,并可用于制造具有高电容和低泄漏电流的电容器。
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