1,1'-(4,4'-双十二烷基[2,2'-联噻吩]-5,5'-二基)二[1,1,1-三甲基锡烷] | 1007347-63-8

• 物质功能分类: 医药中间体 - 吡啶类化合物
• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机杂环化合物 - 双噻吩和低聚噻吩
• 中文名称: 1,1'-(4,4'-双十二烷基[2,2'-联噻吩]-5,5'-二基)二[1,1,1-三甲基锡烷]
• 中文别名: 4,5,6,7-四氢-1-(4-甲氧基苯基)-7-氧代-6-[4-(2-氧代-1-哌啶基)苯基]-1H-唑唑并[3,4-C]吡啶-3-甲酸甲酯阿哌沙班杂质；4,5,6,7-四氢-1-(4-甲氧基苯基)-7-氧代-6-[4-(2-氧代-1-哌啶基)苯基]-1H-唑唑并[3,4-C]吡啶-3-甲酸甲酯 阿哌沙班杂质
• 英文名称: (4,4'-di-n-dodecyl-2,2'-bithiophene-5,5'-diyl)bis(trimethylstannane)
• 英文别名: 5,5'-bis(trimethylstannyl)-4,4'-bis(dodecyl)-2,2'-bithiophene；(n-dodecyl)(Me3Sn)C4HSC4HS(SnMe3)(n-dodecyl)；4,4'-didocecyl-5,5'-trimethylstannyl-2,2'-bithiophene；(4,4'-Didodecyl-[2,2'-bithiophene]-5,5'-diyl)bis(trimethylstannane)；[3-dodecyl-5-(4-dodecyl-5-trimethylstannylthiophen-2-yl)thiophen-2-yl]-trimethylstannane
• CAS: 1007347-63-8
• 化学式: C₃₈H₇₀S₂Sn₂
• 分子量: 828.526
• InChiKey: CWQJBIYNELJGBE-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 沸点：
  689.3±65.0 °C(Predicted)

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  13.49
• 重原子数：
  42
• 可旋转键数：
  25
• 环数：
  2.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.79
• 拓扑面积：
  56.5
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  2

安全信息

• 危险类别：
  6.1
• 危险性防范说明：
  P501,P273,P260,P270,P262,P271,P264,P280,P284,P391,P361+P364,P301+P310+P330,P302+P352+P310,P304+P340+P310,P403+P233,P405
• 危险品运输编号：
  3146
• 危险性描述：
  H300+H310+H330,H410
• 包装等级：
  I
• 储存条件：
  室温且干燥

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  3-十二烷基噻吩 在 正丁基锂 、 2,2,6,6-tetramethylpiperidinyl-lithium 、 copper dichloride 作用下， 生成 1,1'-(4,4'-双十二烷基[2,2'-联噻吩]-5,5'-二基)二[1,1,1-三甲基锡烷]
  参考文献：
  名称：

  高电荷载流子迁移率，低带隙供体-受体基于苯并噻二唑-低聚噻吩的高分子半导体

  摘要：

  合成并表征了一系列苯并噻二唑低聚噻吩和低聚（亚噻吩乙烯撑）供体-受体（DA）共聚物。这些低光学带隙材料（〜1.5 eV）能够吸收400–800 nm范围内的光子，并具有良好的热稳定性。使用有机场效应晶体管（OFET）结构确定的空穴迁移率在3个数量级的范围内变化，并且与各个薄膜的分子有序性和形态密切相关。聚（苯并噻二唑-噻吩并噻吩）PBT6的旋涂膜在OFET衬底上呈现出高度结晶的层状π-π堆叠边沿取向，其空穴迁移率约为ca。0.2 cm 2 / V·s。含乙烯的类似物PBT6V2PBT6V2'和PBT6V2'是无定形的，并且显示出非常低的迁移率。PBT6的分子量对电子性能有很大的影响：分子量较低的样品的迁移率比高分子量的同系物低约1个数量级，并且最大吸收值明显偏蓝移。PBT6的空穴迁移率进一步提高了约两倍。图3通过滴铸法制造OFET。用这种方法制造的OFETs的迁移率高达0.75 cm 2 /

  DOI：

  10.1021/cm3021929

文献信息

• The influence of electron deficient unit and interdigitated packing shape of new polythiophene derivatives on organic thin-film transistors and photovoltaic cells
  作者：Hoyoul Kong、Shinuk Cho、Dong Hoon Lee、Nam Sung Cho、Moo-Jin Park、In Hwan Jung、Jong-Hwa Park、Chan Eon Park、Hong-Ku Shim

  DOI：10.1002/pola.24724

  日期：2011.7.1

  series of new polythiophene derivatives containing a thiazole ring as an electron deficient unit were successfully synthesized via Stille coupling reactions. Synthesized polymers were classified into two types (H‐shape packing and A‐shape packing) based on their interdigitated packing structure induced by different side chain configurations. The thiophene derivatives that contained a thiazole unit (PT50Tz50

  通过斯蒂勒偶联反应成功地合成了一系列新的以噻唑环为电子缺陷单元的聚噻吩衍生物。根据由不同侧链构型引起的相互交叉的堆积结构，将合成的聚合物分为两类（H形堆积和A形堆积）。含有噻唑单元的噻吩衍生物（PT50Tz50，PTz100和PTTz）比完整的噻吩聚合物（PT100和PTT）表现出更好的热稳定性。包含噻唑单元的聚合物（PTz100和PTTz）显示出红移的吸收光谱，具有清晰的振子结构。此外，X射线衍射和原子力显微镜的结果表明，含有噻唑单元和相互交叉的H形的聚合物表现出比其他聚合物更好的有序和连接的分子间结构。改善的分子间有序性和表面形态直接促进了薄膜晶体管（TFT）器件中电荷载流子的传输，而没有引入电荷陷阱，并产生了更高的太阳能电池性能。在这些聚合物中，PTTz共聚物表现出最佳的TFT性能（μ= 0.050 cm 2 V -1 s -1，开/关比= 10 6，并且V th= -2 V）和太阳能电池性能（PCE
• [EN] CONJUGATED MONOMERS AND POLYMERS AND PREPARATION AND USE THEREOF<br/>[FR] MONOMÈRES ET POLYMÈRES CONJUGUÉS, LEUR PRÉPARATION ET LEUR UTILISATION
  申请人：UNIV NORTHWESTERN

  公开号：WO2009017798A1

  公开（公告）日：2009-02-05

  Disclosed are new conjugated compounds (e.g., monomers and polymers) that include ladder-type moieties which can be used for preparing semiconducting materials. Such conjugated compounds can exhibit high n-type carrier mobility and/or good current modulation characteristics. Compounds of the present teachings also can exhibit ambipolar semiconducting activity. In addition, the compounds of the present teachings can possess certain processing advantages such as solution- processability and/or good stability in ambient conditions.

  本文披露了新的共轭化合物（例如，单体和聚合物），其中包括可以用于制备半导体材料的梯形结构基团。这种共轭化合物可以表现出高n型载流子迁移率和/或良好的电流调制特性。本文教导的化合物还可以表现出双极半导体活性。此外，本文教导的化合物可能具有某些加工优势，如溶液加工性能和/或在环境条件下的良好稳定性。
• Synthesis and characterization of a novel ambipolar polymer semiconductor based on a fumaronitrile core as an electron-withdrawing group
  作者：Hyung-Gu Jeong、Dongyoon Khim、Eunhwan Jung、Jin-Mun Yun、Juhwan Kim、Jamin Ku、Yun Hee Jang、Dong-Yu Kim

  DOI：10.1002/pola.26456

  日期：2013.3.1

  electron injection capability. Furthermore, bithiophene‐fumaronitrile (donor‐acceptor) intermolecular interaction facilitates the self‐assembly of the polymer chains. Organic field‐effect transistors (OFETs) based on PBTSB without the electron‐withdrawing group only exhibit hole transport, while OFETs based on PBTFN with cyano substituents exhibit ambipolar characteristics. The growth of PBTFN crystalline

  合成了两种包含苯乙烯和富马腈部分的共轭聚合物，通过在亚乙烯基骨架上存在吸电子氰基来研究其电子性能。循环伏安法研究和随时间变化的密度泛函理论计算表明，氰基取代基分别使最低的未占据分子轨道（LUMO）能级降低了约0.65 eV和0.63 eV。由于氰基取代基的吸电子特性，LUMO能级的降低可以增强电子注入能力。此外，联噻吩-富马腈（供体-受体）的分子间相互作用促进了聚合物链的自组装。不带吸电子基团的基于PBTSB的有机场效应晶体管（OFET）仅表现出空穴传输，而基于具有氰基取代基的PBTFN的OFET表现出双极性特性。随着退火温度的升高，观察到了PBTFN晶体原纤维的生长，从而增强了空穴和电子的迁移率。使用具有双极性特性的PBTFN的类互补逆变器表现出良好的对称性，其逆变电压接近电源电压的一半，增益为9。V DD = 100V。©2012 Wiley Periodicals，Inc. J Polym
• Bithiophene-Imide-Based Polymeric Semiconductors for Field-Effect Transistors: Synthesis, Structure−Property Correlations, Charge Carrier Polarity, and Device Stability
  作者：Xugang Guo、Rocio Ponce Ortiz、Yan Zheng、Yan Hu、Yong-Young Noh、Kang-Jun Baeg、Antonio Facchetti、Tobin J. Marks

  DOI：10.1021/ja107678m

  日期：2011.2.9

  slightly lower than that of state-of-the-art n-type polymer semiconductors. However, the high-lying P(BTimR)-H LUMO results in minimal electron transport on exposure to ambient. Copolymer P3 exhibits a hole mobility approaching 0.1 cm(2) V(-1) s(-1) in top-gate OFETs, comparable to or slightly lower than current state-of-the-art p-type polymer semiconductors (0.1-0.6 cm(2) V(-1) s(-1)). Although BTI building

  开发具有良好加工性和优异器件环境稳定性的新型高迁移率聚合物半导体对于有机电子产品至关重要。我们报告了用于有机场效应晶体管 (OFET) 的一系列新的基于联噻吩酰亚胺 (BTI) 的聚合物的合成、表征、操纵电荷载流子极性和器件空气稳定性。通过增加供体共聚单体单元的共轭长度，从单噻吩 (P1) 到联噻吩 (P2) 再到四噻吩 (P3)，电子传输能力降低，而空穴传输能力增加。与电子迁移率为 10(-2) cm(2) V(-1) s(-1) 的 BTI 均聚物 P(BTimR) 相比，共聚物 P1 是双极性的，空穴和电子迁移率为 ~10(-4 ) 厘米(2) V(-1) s(-1), 而 P2 和 P3 的空穴迁移率分别为~10(-3) 和~10(-2) cm(2) V(-1) s(-1)。还研究了 P(BTimR) 均聚物 M(n) 对薄膜形态和器件性能的影响。高 M(n) 批次 P(BTimR)-H