1-溴-1,1-二氟-6-甲基庚-2-炔 | 877080-72-3

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机卤素化合物 - 有机氟化物
• 中文名称: 1-溴-1,1-二氟-6-甲基庚-2-炔
• 英文名称: 1-bromo-1,1-difluoro-6-methylhept-2-yne
• 英文别名: 1-bromo-1,1-difluoro-6-methyhept-2-yne；((CH3)2CHCH2CH2)-difluoropropargyl-bromide；1-Bromo-1,1-difluoro-6-methylhept-2-yne
• CAS: 877080-72-3
• 化学式: C₈H₁₁BrF₂
• 分子量: 225.076
• InChiKey: YHCUKIOLEAXJAK-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 沸点：
  65-70 °C(Press: 10 Torr)
• 密度：
  1.336±0.06 g/cm3(Predicted)

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  4.1
• 重原子数：
  11
• 可旋转键数：
  2
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.75
• 拓扑面积：
  0
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  2

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  1-溴-1,1-二氟-6-甲基庚-2-炔 、 indium 以 四氢呋喃 、 水 为溶剂， 生成 ((CH3)2CH2CH2CH)-difluoropropargyl-indium-(bromine)2 、 ((CH2CH2CH(CH3)2)-difluoropropargyl)2-indium-bromide
  参考文献：
  名称：

  二氟炔丙基溴化铟（一种活性氟有机金属试剂）的晶体学表征。

  摘要：

  DOI：

  10.1002/anie.200602823
• 作为产物：
  描述：

  5-甲基-1-已炔 、 二溴二氟甲烷 在 正丁基锂 作用下， 以 四氢呋喃 、 正己烷 为溶剂， 反应 0.5h， 以71%的产率得到1-溴-1,1-二氟-6-甲基庚-2-炔
  参考文献：
  名称：

  二氟炔丙基溴化铟（一种活性氟有机金属试剂）的晶体学表征。

  摘要：

  DOI：

  10.1002/anie.200602823

文献信息

• Nucleophilic and electrophilic substitutions of difluoropropargyl bromides
  作者：Gerald B. Hammond

  DOI：10.1016/j.jfluchem.2005.12.024

  日期：2006.5

  electrophilically substituted difluoropropargyl derivatives via magnesium and fluoride promoted reactions. An indium-mediated reaction of silyldifluoropropargyl bromide, followed by electrophilic trapping with bromine led to a very useful bromoallene, which was then used in reactions with nucleophiles (C, O, N, P, S, Hal) to yield a de facto bimolecular nucleophilic substitution of a difluoropropargyl

  当进行取代的碳原子键合到两个氟原子上时，很少在氟化的炔丙基或烯丙基模块上研究基本的有机反应，如亲核取代和亲电子取代。在本文中，我们报道了使用多种烷基，芳基或甲硅烷基底物从取代的乙炔和二溴二氟甲烷实际合成二氟炔丙基溴的方法。O-，S的合成还描述了二氟炔丙基溴的-和羧酸衍生物。这些化合物是通过镁和氟化物促进的反应合成亲电子取代的二氟炔丙基衍生物的合适原料。甲硅烷基二氟炔丙基溴的铟介导反应，然后用溴进行亲电捕获，生成了非常有用的溴丙二烯，然后将其用于与亲核试剂（C，O，N，P，S，Hal）反应，生成事实上的双分子亲核试剂二氟炔丙基溴的取代。
• High-gain differential CMOS transimpedance amplifier with on-chip buried double junction photodiode
  作者：W. Xu、D.L. Mathine、J.K. Barton

  DOI：10.1049/el:20061560

  日期：——

  An integrated fully differential CMOS transimpedance amplifier (TIA) with buried double junction photodiode input is described. The TIA features a variable high transimpedance gain (250 kΩ to 2.5 MΩ), large DC photocurrent rejection capability (>55 dB) and low input referred noise density at 100 kHz (2pA/√Hz).

  本文介绍了一种带埋入式双结光电二极管输入的集成式全差分 CMOS 跨阻放大器 (TIA)。该跨阻放大器具有可变的高跨阻增益（250 kΩ 至 2.5 MΩ）、较大的直流光电流抑制能力（55 dB）以及 100 kHz 时较低的输入参考噪声密度（2pA/√Hz）。
• Highly Regioselective Synthesis of <i>gem</i>-Difluoroallenes through Magnesium Organocuprate S_N2‘ Substitution
  作者：Masayuki Mae、Jiyoung A. Hong、Bo Xu、Gerald B. Hammond

  DOI：10.1021/ol052816g

  日期：2006.2.1

  [GRAPHICS]The reaction of gem-difluoropropargyl electrophiles with Grignard reagents is complicated by the inherent difficulty of executing nucleophilic substitutions on a CF2 group, and the facile formation of carbenoid intermediates arising from alpha-elimination of fluoride. In the presence of an excess amount of a copper salt, a Grignard reagent reacts with gem-difluoropropargyl bromide via an SINT mechanism to produce gem-difluoroallene in high yield. If desired, the resulting difluoroallene can undergo a second nucleophilic attack on the CF2 terminus to yield a trisubstituted monofluoroallene through an addition-elimination mechanism.
• Crystallographic Characterization of Difluoropropargyl Indium Bromide, a Reactive Fluoroorganometallic Reagent
  作者：Bo Xu、Mark S. Mashuta、Gerald B. Hammond

  DOI：10.1002/anie.200602823

  日期：2006.11.6