作者:Wilhelm P. Neumann、Klaus-Dieter Schultz、Robert Vieler
DOI:10.1016/0022-328x(84)85144-x
日期:1984.3
The SiSi bond in hexamesityldisilane dissociates reversibly even between −60 and −32°C (ΔHdiss 19.0 ± 2 kcal mol−1) and the GeGe bond in hexamesityldigermane reversibly between −12 and +53°C (ΔH 20.7 ± 2 kcal mol−1). The generated radicals Mes3Si. or Mes3Ge. react irreversibly, e.g. by substituting aromatics or abstracting H. Further hexaaryldigermanes (aryl = 2,6-Me2-phenyl, 2,3,4,6-Me4-phenyl,
六甲基乙硅烷中的SiSi键甚至在-60至−32°C(ΔH diss 19.0±2 kcal mol -1)之间可逆地解离,而六甲基二茂铁中的GeGe键则在-12至+ 53°C(ΔH之间)可逆地解离。20.7±2 kcal mol -1)。生成的自由基Mes 3 Si 。或Mes 3 Ge 。不可逆地反应,例如通过取代芳族化合物或抽象H。其他六芳基二茂铁(芳基= 2,6-Me 2-苯基,2,3,4,6-Me 4-苯基,2,3,4,5,6-Me 5 -苯基和2,4,6-Et 3-苯基)也可逆地解离。提到的所有六有机二硅烷和二锗烷以及其他几种,以及许多前体都是首次制备,其中一些经历了相当大的困难之后。