2,4-二羟甲基)-1,3,5-三甲苯 | 29329-35-9

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 苯和取代衍生物
• 中文名称: 2,4-二羟甲基)-1,3,5-三甲苯
• 中文别名: 2,4-双-(羟甲基)三甲基苯；2,4-双(羟基甲基)-1,3,5-三甲基苯
• 英文名称: 2,4-bis-hydroxymethyl-1,3,5-trimethyl-benzene
• 英文别名: 2,4-Bis-hydroxymethyl-1,3,5-trimethyl-benzol；2,4-Bis(hydroxymethyl)-1,3,5-trimethylbenzene；[3-(hydroxymethyl)-2,4,6-trimethylphenyl]methanol
• CAS: 29329-35-9
• 化学式: C₁₁H₁₆O₂
• mdl: MFCD00194525
• 分子量: 180.247
• InChiKey: NWAIYLFAGPKYBZ-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 稳定性/保质期：

  如果按照规格使用和储存，则不会分解，也未有已知危险反应。

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  1.2
• 重原子数：
  13
• 可旋转键数：
  2
• 环数：
  1.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.454
• 拓扑面积：
  40.5
• 氢给体数：
  2
• 氢受体数：
  2

安全信息

• 海关编码：
  2906299090

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  2,4-双(氯甲基)三甲基苯 在 氢氧化钾 、 silver(I) acetate 、 溶剂黄146 作用下， 生成 2,4-二羟甲基)-1,3,5-三甲苯
  参考文献：
  名称：

  Nauta; Dienske, Recueil des Travaux Chimiques des Pays-Bas, 1936, vol. 55, p. 1000,1003

  摘要：

  DOI：

文献信息

• ANION-CONDUCTING POLYMER
  申请人：WRIGHT Andrew

  公开号：US20150073063A1

  公开（公告）日：2015-03-12

  Disclosed herein are anion-conducting polymers that comprise a cationic benzimidazolium and imidazolium moieties. Methods of forming the polymers and membranes comprising the polymers are also provided.

  本文披露了一种阴离子导电聚合物，其中包括阳离子苯并咪唑和咪唑基团。还提供了制备聚合物和包括聚合物的膜的方法。
• Lichtempfindliches Polykondensationsprodukt, Verfahren zu seiner Herstellung und dieses enthaltendes lichtempfindliches Aufzeichnungsmaterial
  申请人：AMERICAN HOECHST CORPORATION

  公开号：EP0061150A1

  公开（公告）日：1982-09-29

  Lichtempfindliches Polykondensationsprodukt, Verfahren zu seiner Herstellung und dieses enthaltendes lichtempfindliches Aufzeichnungsmaterial Es wird ein lichtempfindliches Polykondensationsprodukt aus wiederkehrenden aromatischen Diazoniumsalzeinheiten und Einheiten der allgemeinen Formel II beschrieben, worin n 0 oder eine Zahl von 1 bis 3, M der Rest eines aromatischen Kohlenwasserstoffs. Phenolethers, aromatischen Thioethers, aromatischen Amins. aromatischen Sulfons. aromatischen Ketons oder Diketons. m eine Zahl von 0 bis 9, Y -CH2- oder -CH2OCH2- und T ein Wasserstoffatom ist, wenn Y -CH2-O-CH2- bedeutet, und ein Rest R" ist, wenn Y -CH2 bedeutet. Das Kondensationsprodukt ist für die Herstellung von Druckplatten und Photoresists geeignet und weist eine höhere Lichtempfindlichkeit als vergleichbare bekannte Verbindungen auf.

  感光缩聚产物、其制备方法和含有该产物的感光记录材料 一种重复芳香重氮盐单元和通式 II 单元的光敏缩聚产物 其中 n 为 0 或 1 至 3 的数字、 M 是芳香烃的基团。M 是芳香烃的基团，如苯酚醚、芳香硫醚、芳香胺、芳香砜、芳香酮或二酮。 m 是 0 至 9 之间的数字、 Y 是-CH2-或- O -，以及 当 Y 为- -O- -时，T 为氢原子；当 Y 为- -时，T 为自由基 R"。 该缩合产物适用于印制板和光刻胶的生产，其感光度高于同类已知化合物。
• Synthesis of stable nitrile oxide compounds
  申请人：THE GOODYEAR TIRE & RUBBER COMPANY

  公开号：EP0903338A2

  公开（公告）日：1999-03-24

  Nitrile oxide compounds are extremely reactive toward multiple bonds in organic compounds and polymers. This high level of reactivity allows for dinitrile oxides to cure (crosslink) olefin-containing polymers under very mild conditions. This invention discloses a process for the synthesis of stable aryl nitrile oxides which comprises the sequential steps of (1) halomethylating a halomethyl group onto a substituted aromatic compound having at least one substituent group selected from the group consisting of alkyl groups, aryl groups, fused aryl groups, alkaryl groups, halogen atoms, alkoxy groups and nitro groups, wherein said halomethyl group is halomethylated onto a position that is ortho to at least one of the substituent groups on the substituted aromatic compound; (2) converting the ortho halomethylated-substituted aromatic compound into an ortho-substituted aromatic aldehyde by reacting the ortho halomethylated-substituted aromatic compound with a salt selected from the group consisting of sodium 2-nitropropane and potassium 2-nitropropane in a lower alcohol solvent; (3) converting the ortho-substituted aromatic aldehyde into an ortho-substituted aromatic oxime by reacting the ortho-substituted aromatic aldehyde with hydroxylamine; and (4) converting the ortho-substituted aromatic oxime into the ortho-substituted aryl nitrile oxide by reacting the ortho-substituted aromatic oxime with an aqueous sodium hypochlorite solution at a temperature which is within the range of about -5°C to about 20°C.

  氧化腈化合物对有机化合物和聚合物中的多个键具有极高的反应活性。这种高反应性使得二腈氧化物可以在非常温和的条件下固化（交联）含烯烃聚合物。本发明公开了一种用于合成稳定芳基腈氧化物的工艺，该工艺包括以下连续步骤：(1) 将一个卤甲基基团卤化到具有至少一个取代基的取代芳香族化合物上，该取代基选自由烷基、芳基、融合芳基、烷芳基、卤素原子、烷氧基和硝基组成的组，其中所述卤甲基基团卤化到取代芳香族化合物上至少一个取代基的正交位置；(2) 通过在低级醇溶剂中使正代卤代甲基化取代芳香族化合物与选自 2-硝基丙烷钠和 2-硝基丙烷钾的盐反应，将正代卤代甲基化取代芳香族化合物转化为正代取代芳香族醛；(4) 在约-5℃至约 20℃的温度范围内，通过使邻位取代的芳香族肟与次氯酸钠水溶液反应，将邻位取代的芳香族肟转化为邻位取代的芳基腈氧化物。
• Composition for forming a resist upper-layer film and method for producing a semiconductor device using the composition
  申请人：NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.

  公开号：US10042258B2

  公开（公告）日：2018-08-07

  This composition for forming an extreme-ultraviolet (EUV) or electron-beam upper-layer resist film including (a) a polymer (P) and (b) a solvent, the solvent containing 1 to 13 mass % of a C4-12 ketone compound with respect to the entire solvent, is used in the lithography process of a procedure for manufacturing a semiconductor device. Without needing to be intermixed with a resist, and particularly on the occasion of EUV exposure, the composition for forming an EUV or electron-beam upper-layer resist film blocks undesirable exposure light, e.g., ultraviolet (UV) or deep ultraviolet (DUV) rays, and selectively transmits only the EUV rays, and can be developed using a developing solution after exposure.

  这种用于形成极紫外（EUV）或电子束上层抗蚀剂薄膜的组合物包括（a）聚合物（P）和（b）溶剂，溶剂中的C4-12酮化合物占整个溶剂的1-13质量％，用于半导体设备制造过程中的光刻工艺。这种用于形成 EUV 或电子束上层抗蚀剂薄膜的组合物无需与抗蚀剂混合，尤其是在进行 EUV 曝光时，可阻挡不希望的曝光光（例如紫外线 (UV) 或深紫外线 (DUV)），并选择性地只透射 EUV 射线，曝光后可使用显影液进行显影。
• COMPOSITION FOR FORMING A RESIST UPPER-LAYER FILM AND METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE COMPOSITION
  申请人：NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.

  公开号：US20170205711A1

  公开（公告）日：2017-07-20

  This composition for forming an extreme-ultraviolet (EUV) or electron-beam upper-layer resist film including (a) a polymer (P) and (b) a solvent, the solvent containing 1 to 13 mass % of a C4-12 ketone compound with respect to the entire solvent, is used in the lithography process of a procedure for manufacturing a semiconductor device. Without needing to be intermixed with a resist, and particularly on the occasion of EUV exposure, the composition for forming an EUV or electron-beam upper-layer resist film blocks undesirable exposure light, e.g., ultraviolet (UV) or deep ultraviolet (DUV) rays, and selectively transmits only the EUV rays, and can be developed using a developing solution after exposure.