2,5-双(三氟甲基)呋喃 | 56286-72-7

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机杂环化合物 - 杂芳族化合物
• 中文名称: 2,5-双(三氟甲基)呋喃
• 英文名称: 2,5-bis-trifluoromethyl-furan
• 英文别名: 2,5-Bis-(trifluormethyl)furan；2,5-Bis(trifluormethyl)furan；2,5-Bis(trifluoromethyl)furan
• CAS: 56286-72-7
• 化学式: C₆H₂F₆O
• mdl: MFCD00525571
• 分子量: 204.072
• InChiKey: ULGLWGFLVRSWIF-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  2.8
• 重原子数：
  13
• 可旋转键数：
  0
• 环数：
  1.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.333
• 拓扑面积：
  13.1
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  7

安全信息

• 海关编码：
  2932190090

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  2,5-双(三氟甲基)呋喃 在 iron(III) chloride 作用下， 以 硝基甲烷 为溶剂， 反应 12.0h， 以52%的产率得到
  参考文献：
  名称：

  CN114907361

  摘要：

  公开号：
• 作为产物：
  描述：

  2,5-呋喃二甲酸 在 sulfur tetrafluoride 作用下， 反应 48.0h， 以3.8%的产率得到5-三氟甲基-2-糠酸
  参考文献：
  名称：

  含三氟甲基的乙炔基噻吩和乙炔基呋喃的合成与聚合

  摘要：

  在无水氟化氢存在下用四氟化硫氟化噻吩二甲酸可得到中等产率的单和双（三氟甲基）噻吩。通过2，2-二氯-1-氟乙烯基化合物制备含有三氟甲基的乙炔基噻吩和乙炔基呋喃。在使用过渡金属催化剂的聚合中，3-乙炔基噻吩以高收率得到聚合物，其可溶于THF和/或氟化合物，而2-乙炔基噻吩以低收率进行聚合。在γ射线诱导的聚合中，仅2，5-双（三氟甲基）-3-乙炔基噻吩提供了相应的聚合物。通过引入三氟甲基和甲基，提高了获得的聚合物的热分解温度。

  DOI：

  10.1016/s0022-1139(00)82929-2

文献信息

• Air-Sensitive Photoredox Catalysis Performed under Aerobic Conditions in Gel Networks
  作者：Marleen Häring、Alex Abramov、Keisuke Okumura、Indrajit Ghosh、Burkhard König、Nobuhiro Yanai、Nobuo Kimizuka、David Díaz Díaz

  DOI：10.1021/acs.joc.8b00797

  日期：2018.8.3

  reactions are completely inhibited in homogeneous solution in air. However, the supramolecular fibrillar gel networks confine the reactants and block oxygen diffusion, allowing air-sensitive catalytic activity under ambient conditions. We investigate the mechanism of this remarkable protection, focusing on the boundary effect in the self-assembled supramolecular gels that enhances the rates of productive

  在这项工作中，我们证明了可以使用容易制备的凝胶网络作为反应介质，在空气中进行有用的C–C键形成光氧化还原催化，从而获得与在惰性气氛下获得的相似结果。这些反应在空气中的均相溶液中被完全抑制。然而，超分子原纤维凝胶网络限制了反应物并阻止了氧的扩散，从而在环境条件下允许空气敏感的催化活性。我们研究了这种显着保护的机制，着重于自组装超分子凝胶的边界效应，该边界效应在激发态的扩散控制猝灭中提高了生产反应的速率。我们的观察结果表明，在纳米纤维之间的分隔溶剂池内，凝胶网络中发生了三重态敏化化学反应。超分子凝胶介质中粘度的增加和界面的增加似乎是促进有氧条件下反应的关键因素。
• Transfer technology III: The synthesis of bridged cyclic polyenes using a new retrosynthetic algorithm as a guide.
  作者：R.N. Warrener、J-M. Wang、K.D.V. Weerasuria、R.A. Russell

  DOI：10.1016/s0040-4039(00)97245-9

  日期：1990.1

  This route to bridged [4] and [8] annulenes employs a new retrosynthetic algorithm, transannular π-bond pairing, as its basis and improved transfer reagents for substituted cyclobutadienes to achieve the synthesis.

  这种连接到[4]和[8]年环桥的途径采用了一种新的逆合成算法，即环过环π键配对，并以此为基础并使用了改进的取代环丁二烯的转移试剂来实现合成。
• Dry Etching Gas and Method of Dry Etching
  申请人：Sekiya Akira

  公开号：US20080274334A1

  公开（公告）日：2008-11-06

  A dry etching gas comprising a C 4-6 fluorine compound which has an ether bond or carbonyl group and one or more fluorine atoms in the molecule and is constituted only of carbon, fluorine, and oxygen atoms and in which the ratio of the number of fluorine atoms to the number of carbon atoms (F/C) is 1.9 or lower (provided that the compound is neither a fluorine compound having one cyclic ether bond and one carbon-carbon double bond nor a saturated fluorine compound having one carbonyl group); a mixed dry etching gas comprising the dry etching gas and at least one gas selected from the group consisting of rare gases, O 2 , O 3 , CO, CO 2 , CHF 3 , CH 2 F 2 , CF 4 , C 2 F 6 , and C 3 F 8 ; and a method of dry etching which comprises converting either of these dry etching gases into a plasma and processing a semiconductor material with the plasma. The dry etching gases can be safely used, are reduced in influence on the global environment, and can highly selectively dry-etch a semiconductor material at a high dry etching rate to form a satisfactory pattern shape. The dry etching method employs either of these dry etching gases.

  一种干法刻蚀气体，包括C4-6氟化合物，其具有醚键或羰基基团和分子中的一个或多个氟原子，仅由碳、氟和氧原子构成，其中氟原子与碳原子的比例（F/C）为1.9或更低（前提是该化合物既不是具有一个环状醚键和一个碳-碳双键的氟化合物，也不是具有一个羰基基团的饱和氟化合物）;混合干法刻蚀气体包括干法刻蚀气体和至少一种选自稀有气体、O2、O3、CO、CO2、CHF3、CH2F2、CF4、C2F6和C3F8的气体的气体;以及一种干法刻蚀方法，包括将这些干法刻蚀气体之一转化为等离子体，并用等离子体处理半导体材料。这些干法刻蚀气体可以安全使用，对全球环境的影响减少，并且可以高度选择性地干法刻蚀半导体材料以形成令人满意的图案形状。这种干法刻蚀方法采用这些干法刻蚀气体之一。
• DRY ETCHING GASES AND METHOD OF DRY ETCHING
  申请人：National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

  公开号：EP1760769A1

  公开（公告）日：2007-03-07

  A dry etching gas comprising a C4-6 fluorine compound which has an ether bond or carbonyl group and one or more fluorine atoms in the molecule and is constituted only of carbon, fluorine, and oxygen atoms and in which the ratio of the number of fluorine atoms to the number of carbon atoms (F/C) is 1.9 or lower (provided that the compound is neither a fluorine compound having one cyclic ether bond and one carbon-carbon double bond nor a saturated fluorine compound having one carbonyl group); a mixed dry etching gas comprising the dry etching gas and at least one gas selected from the group consisting of rare gases, O2, O3, CO, CO2, CHF3, CH2F2, CF4, C2F6, and C3F8; and a method of dry etching which comprises converting either of these dry etching gases into a plasma and processing a semiconductor material with the plasma. The dry etching gases can be safely used, are reduced in influence on the global environment, and can highly selectively dry-etch a semiconductor material at a high dry etching rate to form a satisfactory pattern shape. The dry etching method employs either of these dry etching gases.

  一种干蚀刻气体，包括一种C4-6氟化合物，其分子中具有一个醚键或羰基和一个或多个氟原子，且仅由碳、氟和氧原子构成，其中氟原子数与碳原子数之比（F/C）为1.9 或更低（条件是该化合物既不是具有一个环醚键和一个碳碳双键的氟化合物，也不是具有一个羰基的饱和氟化合物）；一种混合干蚀刻气体，包括干蚀刻气体和至少一种选自稀有气体、O2、O3、CO、CO2、CHF3、CH2F2、CF4、C2F6 和 C3F8 组成的组的气体；以及一种干蚀刻方法，该方法包括将上述任一种干蚀刻气体转化为等离子体，并用该等离子体处理半导体材料。干蚀刻气体可以安全使用，对全球环境的影响较小，并能以较高的干蚀刻速率高度选择性地对半导体材料进行干蚀刻，以形成令人满意的图案形状。干蚀刻方法采用上述任何一种干蚀刻气体。