2-Ethylhexyl-diethyl-phosphonat | 5191-08-2

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机酸及其衍生物 - 有机膦酸及其衍生物
• 英文名称: 2-Ethylhexyl-diethyl-phosphonat
• 英文别名: Diethyl (2-ethylhexyl)phosphonate；3-(diethoxyphosphorylmethyl)heptane
• CAS: 5191-08-2
• 化学式: C₁₂H₂₇O₃P
• 分子量: 250.318
• InChiKey: IQOJSXFGYUGTFQ-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 沸点：
  98-100 °C(Press: 0.4 Torr)
• 密度：
  0.948±0.06 g/cm3(Predicted)

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  3.3
• 重原子数：
  16
• 可旋转键数：
  10
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  1.0
• 拓扑面积：
  35.5
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  3

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  2-Ethylhexyl-diethyl-phosphonat 在 三甲基溴硅烷 作用下， 以 甲醇 为溶剂， 生成 单-(2-乙基己基)-磷酸
  参考文献：
  名称：

  用于纳米晶体表面功能化和溶液处理忆阻器的膦酸配体的合成

  摘要：

  在这里，我们合成了2-乙基己基，2-己基癸基，2- [2-（2-甲氧基乙氧基）乙氧基]乙基，油基和正十八烷基膦酸，并用它们来官能化CdSe和HfO 2纳米晶体。与支链羧酸相反，使用支链膦酸很容易实现CdSe和HfO 2纳米晶体的合成后表面功能化。随后使用导电原子力显微镜将膦酸封端的HfO 2纳米晶体评估为忆阻器。我们发现2-乙基己基膦酸是一种优异的配体，结合了高的胶体稳定性和紧凑的配体壳，可产生创纪录的低工作电压，有望应用于柔性电子产品。

  DOI：

  10.1021/acs.chemmater.8b03768
• 作为产物：
  描述：

  2-乙基己醇 在 四溴化碳 、 sodium hydride 、 三苯基膦 作用下， 以 二氯甲烷 、 N,N-二甲基甲酰胺 为溶剂， 生成 2-Ethylhexyl-diethyl-phosphonat
  参考文献：
  名称：

  用于纳米晶体表面功能化和溶液处理忆阻器的膦酸配体的合成

  摘要：

  在这里，我们合成了2-乙基己基，2-己基癸基，2- [2-（2-甲氧基乙氧基）乙氧基]乙基，油基和正十八烷基膦酸，并用它们来官能化CdSe和HfO 2纳米晶体。与支链羧酸相反，使用支链膦酸很容易实现CdSe和HfO 2纳米晶体的合成后表面功能化。随后使用导电原子力显微镜将膦酸封端的HfO 2纳米晶体评估为忆阻器。我们发现2-乙基己基膦酸是一种优异的配体，结合了高的胶体稳定性和紧凑的配体壳，可产生创纪录的低工作电压，有望应用于柔性电子产品。

  DOI：

  10.1021/acs.chemmater.8b03768

文献信息

• JUAN, CHENG-YE;YE, WEI-ZHEN;ZHOU, GUO-WEI, ACTA CHIM. SIN, 1983, 41, N 9, 834-842
  作者：JUAN, CHENG-YE、YE, WEI-ZHEN、ZHOU, GUO-WEI

  DOI：——

  日期：——
• CURABLE COMPOSITION AND CURED PRODUCT THEREOF
  申请人：Kaneka Corporation

  公开号：EP2341106B1

  公开（公告）日：2013-05-29
• US8680184B2
  申请人：——

  公开号：US8680184B2

  公开（公告）日：2014-03-25
• Synthesis of Phosphonic Acid Ligands for Nanocrystal Surface Functionalization and Solution Processed Memristors
  作者：Jonathan De Roo、Zimu Zhou、Jiaying Wang、Loren Deblock、Alfred J. Crosby、Jonathan S. Owen、Stephen S. Nonnenmann

  DOI：10.1021/acs.chemmater.8b03768

  日期：2018.11.13

  2-hexyldecyl, 2-[2-(2-methoxyethoxy)ethoxy]ethyl, oleyl, and n-octadecyl phosphonic acid and used them to functionalize CdSe and HfO2 nanocrystals. In contrast to branched carboxylic acids, postsynthetic surface functionalization of CdSe and HfO2 nanocrystals was readily achieved with branched phosphonic acids. Phosphonic acid capped HfO2 nanocrystals were subsequently evaluated as memristors using

  在这里，我们合成了2-乙基己基，2-己基癸基，2- [2-（2-甲氧基乙氧基）乙氧基]乙基，油基和正十八烷基膦酸，并用它们来官能化CdSe和HfO 2纳米晶体。与支链羧酸相反，使用支链膦酸很容易实现CdSe和HfO 2纳米晶体的合成后表面功能化。随后使用导电原子力显微镜将膦酸封端的HfO 2纳米晶体评估为忆阻器。我们发现2-乙基己基膦酸是一种优异的配体，结合了高的胶体稳定性和紧凑的配体壳，可产生创纪录的低工作电压，有望应用于柔性电子产品。