4-amino-4'-octyl-2',3',5',6'-tetrafluorobiphenyl | 131895-01-7

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 苯和取代衍生物
• 英文名称: 4-amino-4'-octyl-2',3',5',6'-tetrafluorobiphenyl
• 英文别名: 4-amino-4'-n-octyl-2',3',5',6'-pentafluorobiphenyl；4-amino-4'-n-octyl-2',3',5',6'-tetrafluorobiphenyl；4-(2,3,5,6-tetrafluoro-4-octylphenyl)aniline
• CAS: 131895-01-7
• 化学式: C₂₀H₂₃F₄N
• 分子量: 353.403
• InChiKey: BDVBGIPKWZCKRY-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  7.3
• 重原子数：
  25
• 可旋转键数：
  8
• 环数：
  2.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.4
• 拓扑面积：
  26
• 氢给体数：
  1
• 氢受体数：
  5

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  4-amino-4'-octyl-2',3',5',6'-tetrafluorobiphenyl 在 N-甲基吡咯烷酮 、 盐酸 、 potassium iodide 、 sodium nitrite 作用下， 反应 4.33h， 生成 4-cyano-4'-octyl-2',3',5',6'-tetrafluorobiphenyl
  参考文献：
  名称：

  氟化的4-烷基-4'-氰基联苯的合成与性质-第1部分。4'-烷基-4-氰基-2'3'5'6'-四氟联苯

  摘要：

  已经开发了合成4'-烷基-4-氰基-2'3'5'6'四氟联苯的通用途径，并用于制备具有范围为4至8个碳原子的直链烷基链的化合物。化合物通过19 F 13 C和1 H NMR光谱表征。合成的4'-烷基-4-氰基-2'3'5'6'-四氟联苯是结晶固体，其熔点比相应的全质子化类似物高20-50°C。合成的4'-烷基-4-氰基-2'3'5'6'-四氟联苯都没有在熔融时产生液晶相。

  DOI：

  10.1016/s0040-4020(01)87890-x
• 作为产物：
  描述：

  溴五氟苯 在 palladium on activated charcoal 氢气 、 铜 作用下， 以 乙醚 、 乙醇 为溶剂， 反应 23.0h， 生成 4-amino-4'-octyl-2',3',5',6'-tetrafluorobiphenyl
  参考文献：
  名称：

  氟化的4-烷基-4'-氰基联苯的合成与性质-第1部分。4'-烷基-4-氰基-2'3'5'6'-四氟联苯

  摘要：

  已经开发了合成4'-烷基-4-氰基-2'3'5'6'四氟联苯的通用途径，并用于制备具有范围为4至8个碳原子的直链烷基链的化合物。化合物通过19 F 13 C和1 H NMR光谱表征。合成的4'-烷基-4-氰基-2'3'5'6'-四氟联苯是结晶固体，其熔点比相应的全质子化类似物高20-50°C。合成的4'-烷基-4-氰基-2'3'5'6'-四氟联苯都没有在熔融时产生液晶相。

  DOI：

  10.1016/s0040-4020(01)87890-x

文献信息

• Diimide-based semiconductor materials and methods of preparing and using the same
  申请人：Facchetti Antonio

  公开号：US20080185577A1

  公开（公告）日：2008-08-07

  Diimide-based semiconductor materials are provided with processes for preparing the same. Composites and electronic devices including the diimide-based semiconductor materials also are provided.

  提供了制备基于二亚甲基二酰亚胺的半导体材料的工艺。还提供了包括基于二亚甲基二酰亚胺的半导体材料的复合材料和电子设备。
• WO2008/63609
  申请人：——

  公开号：——

  公开（公告）日：——
• DIIMIDE-BASED SEMICONDUCTOR MATERIALS AND METHODS OF PREPARING AND USING THE SAME
  申请人：Polyera Corporation

  公开号：EP2086974A2

  公开（公告）日：2009-08-12
• US7902363B2
  申请人：——

  公开号：US7902363B2

  公开（公告）日：2011-03-08
• [EN] DIIMIDE-BASED SEMICONDUCTOR MATERIALS AND METHODS OF PREPARING AND USING THE SAME<br/>[FR] MATÉRIAUX SEMI-CONDUCTEURS À BASE DE DIIMIDE ET PROCÉDÉS DE PRÉPARATION ET D'UTILISATION DE CEUX-CI
  申请人：POLYERA CORP

  公开号：WO2008063609A2

  公开（公告）日：2008-05-29

  [EN] Diimide-based semiconductor materials are provided with processes for preparing the same. Composites and electronic devices including the diimide-based semiconductor materials also are provided.
  [FR] L'invention concerne des matériaux semi-conducteurs à base de diimide et des procédés de préparation de ceux-ci. Elle concerne également des composites et des dispositifs électroniques contenant ces matériaux semi-conducteurs à base de diimide.