1-Chlor-1,2-diphenyl-1,2-disupersilyldisilan | 283163-04-2

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 苯和取代衍生物
• 英文名称: 1-Chlor-1,2-diphenyl-1,2-disupersilyldisilan
• 英文别名: Tritert-butyl-[chloro-phenyl-[phenyl(tritert-butylsilyl)silyl]silyl]silane；tritert-butyl-[chloro-phenyl-[phenyl(tritert-butylsilyl)silyl]silyl]silane
• CAS: 283163-04-2
• 化学式: C₃₆H₆₅ClSi₄
• 分子量: 645.707
• InChiKey: DLBFTRQGKMSJBX-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  11.15
• 重原子数：
  41
• 可旋转键数：
  11
• 环数：
  2.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.67
• 拓扑面积：
  0
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  1-Chlor-1,2-diphenyl-1,2-disupersilyldisilan 在 sodium 、 sodium naphthalenide 作用下， 以 四氢呋喃 为溶剂， 反应 20.0h， 生成 Phenylsupersilylsilan
  参考文献：
  名称：

  Supersilylsilane R*SiX₃: Umwandlung in Disilane R*X₂Si-SiX₂R*, Silylene R*XSi, Cyclosilane (R*XSi)_n, Disilene R*XSi=SiXR*, Tetrasupersilyl-tetrahedro-tetrasilan [1] / Supersilylsilanes R*SiX₃: Conversion into Disilanes R*X₂Si-SiX₂R*, Silylenes R*XSi, Cyclosilanes (R*XSi)_n, D isilenes R*XSi=SiXR*, Tetrasupersilyl-tetrahedro-tetrasilane [1]

  摘要：

  Supersilylmonohalosilanes R*R SiHCl（R* = Supersilyl = SitBu3）在65°C下与C6H6中的Na反应，或者在-78°C下与THF中的NaC10H8反应，形成双超硅基二硅烷R*RHSi-SiHRR*，其产率为定量（R = H，Me）或中等产率（R = Ph）。在后一种情况下，还在65°C下额外获得R*PhSiH2（仅与在65°C下的THF中的Na反应）。显然，超硅基硅化物NaSiHRR*作为中间体生成，它们与反应物R*RSiHCl反应，消除NaCl并形成R*RHSi-SiHRR*（R = H，Me）或R*RSiH2以及R*R Si（R = Ph）。硅烯中间体R*PhSi插入到反应物R*PhSiHCl和产物R*PhSiH2的SiH键中，形成双超硅基二硅烷R*PhSiH -SiClPhR*和R*PhSiH -SiHPhR*，它们在65°C下被Na还原为R*PhSiH2（在低温下通过NaC10H8还原为R*PhSiH-SiHPhR*）。在低温下，将NaR*添加到THF中的R*RSiHCl中，与NaCl消除形成R*2RSiH（R = H，Me）或R*RHSi-SiHRR*（R = Me），此外还有R*C1，或者R*RHSi-SiClRR*（R = Ph）以及R*H和NaR，而将R*PhSiHCl添加到NaR*中在低温下的THF中，结果形成NaSiPhR*2，此外还有R*H和NaCl。在后一种情况下（R = Ph），NaR*与R*PhSiHCl反应释放出硅烯R*PhSi，其瞬时存在性通过用Et3SiH捕获它来证实（形成R*Ph（Et3Si）-SiH）。随后，R*PhSi插入到R*PhSiHCl的SiH键中（将NaR*添加到R*PhSiHCl）或插入到NaR*的NaSi键中（将R*PhSiHCl添加到NaR*）。超硅基二卤代硅烷R*SiHCl2在65°C下通过Mg转化为环硅烷（R*SiH）n（n = 3, 4），并且在低温下通过Na转化为R*PhSiBrCl - 通过硅烯R*PhSi - 转化为双硅烯R*PhSi=SiPhR*，过量Na还原为阴离子自由基。超硅基三卤代硅烷R*SiBr2Cl、R*SiBr3和R*SiI3与Na、NaC10H8或NaR*在THF中反应，形成四超硅基四面体四硅烷（R*Si）4，产率定量，而R*SiCl3与LiC10H8在45°C下反应，只以中等产率形成（R*Si）4。显然，四面体烷是从R*SiHal3通过R*SiHal2Na和R*HalSi=SiHalR*作为反应中间体形成的。结果得出以下结论：（i）硅烯在“立体过载”的超硅基卤代硅烷R*R3-nSiHaln的脱卤作用中发挥作用；（ii）从易获得的反应物中合成（R*Si）4的高产率方法是将SiH2Cl2与NaR*进行超硅基化，用Br2对形成的超硅基硅烷R*SiH2Cl进行溴化，再用Na对溴化产物R*SiBr2Cl进行脱卤。

  DOI：

  10.1515/znb-2000-0510
• 作为产物：
  描述：

  Chlorphenylsupersilylsilan 在 sodium tri-tert-butylsilanide 作用下， 以 四氢呋喃 为溶剂， 生成 1-Chlor-1,2-diphenyl-1,2-disupersilyldisilan
  参考文献：
  名称：

  Supersilylsilane R*SiX₃: Umwandlung in Disilane R*X₂Si-SiX₂R*, Silylene R*XSi, Cyclosilane (R*XSi)_n, Disilene R*XSi=SiXR*, Tetrasupersilyl-tetrahedro-tetrasilan [1] / Supersilylsilanes R*SiX₃: Conversion into Disilanes R*X₂Si-SiX₂R*, Silylenes R*XSi, Cyclosilanes (R*XSi)_n, D isilenes R*XSi=SiXR*, Tetrasupersilyl-tetrahedro-tetrasilane [1]

  摘要：

  Supersilylmonohalosilanes R*R SiHCl（R* = Supersilyl = SitBu3）在65°C下与C6H6中的Na反应，或者在-78°C下与THF中的NaC10H8反应，形成双超硅基二硅烷R*RHSi-SiHRR*，其产率为定量（R = H，Me）或中等产率（R = Ph）。在后一种情况下，还在65°C下额外获得R*PhSiH2（仅与在65°C下的THF中的Na反应）。显然，超硅基硅化物NaSiHRR*作为中间体生成，它们与反应物R*RSiHCl反应，消除NaCl并形成R*RHSi-SiHRR*（R = H，Me）或R*RSiH2以及R*R Si（R = Ph）。硅烯中间体R*PhSi插入到反应物R*PhSiHCl和产物R*PhSiH2的SiH键中，形成双超硅基二硅烷R*PhSiH -SiClPhR*和R*PhSiH -SiHPhR*，它们在65°C下被Na还原为R*PhSiH2（在低温下通过NaC10H8还原为R*PhSiH-SiHPhR*）。在低温下，将NaR*添加到THF中的R*RSiHCl中，与NaCl消除形成R*2RSiH（R = H，Me）或R*RHSi-SiHRR*（R = Me），此外还有R*C1，或者R*RHSi-SiClRR*（R = Ph）以及R*H和NaR，而将R*PhSiHCl添加到NaR*中在低温下的THF中，结果形成NaSiPhR*2，此外还有R*H和NaCl。在后一种情况下（R = Ph），NaR*与R*PhSiHCl反应释放出硅烯R*PhSi，其瞬时存在性通过用Et3SiH捕获它来证实（形成R*Ph（Et3Si）-SiH）。随后，R*PhSi插入到R*PhSiHCl的SiH键中（将NaR*添加到R*PhSiHCl）或插入到NaR*的NaSi键中（将R*PhSiHCl添加到NaR*）。超硅基二卤代硅烷R*SiHCl2在65°C下通过Mg转化为环硅烷（R*SiH）n（n = 3, 4），并且在低温下通过Na转化为R*PhSiBrCl - 通过硅烯R*PhSi - 转化为双硅烯R*PhSi=SiPhR*，过量Na还原为阴离子自由基。超硅基三卤代硅烷R*SiBr2Cl、R*SiBr3和R*SiI3与Na、NaC10H8或NaR*在THF中反应，形成四超硅基四面体四硅烷（R*Si）4，产率定量，而R*SiCl3与LiC10H8在45°C下反应，只以中等产率形成（R*Si）4。显然，四面体烷是从R*SiHal3通过R*SiHal2Na和R*HalSi=SiHalR*作为反应中间体形成的。结果得出以下结论：（i）硅烯在“立体过载”的超硅基卤代硅烷R*R3-nSiHaln的脱卤作用中发挥作用；（ii）从易获得的反应物中合成（R*Si）4的高产率方法是将SiH2Cl2与NaR*进行超硅基化，用Br2对形成的超硅基硅烷R*SiH2Cl进行溴化，再用Na对溴化产物R*SiBr2Cl进行脱卤。

  DOI：

  10.1515/znb-2000-0510

文献信息

• Disupersilyldisilane R*X2Si_SiX2R*: Darstellung, Charakterisierung und Strukturen; sterische Effekte der Substituenten
  作者：N Wiberg

  DOI：10.1016/s0022-328x(00)00442-3

  日期：2000.10.20

  Disupersilyldisilanes R*X2SiSiX2R* (R*=supersilyl=Sit-Bu3; two diastereomers in case of R*XX′SiSiX′XR*) are prepared in organic solvent (i) by dehalogenations of supersilylhalosilanes with Na, NaC10H8 or NaR*; (ii) by reactions of disupersilylhalodisilanes with H− (Hal/H exchange); (iii) by reactions of disupersilyldisilanes with Hal2 (H/Hal exchange); (iv) by reactions of disupersilylhalodisilanes

  Disupersilyldisilanes R * X 2 SiSiX 2 R *（R * = supersilyl =硅吨-Bu 3 ;中的R的情况下，两种非对映*XX'SiSiX'XR*）在有机溶剂（I），通过制备dehalogenations具有Na，NaC 10 H 8或NaR *的超甲硅烷基卤硅烷; （ii）通过用H disupersilylhalodisilanes的反应- （哈尔/ H交换）; （iii）通过二超甲硅烷基乙硅烷与Hal 2的反应（H / Hal交换）；（iv）首先使二超甲硅烷基卤代二硅烷与NaR *（Hal / Na交换），然后与用于质子化，烷基化，甲硅烷基化的试剂（Na / H，Na / Me，Na / SiMe 3交换）反应；或（v）通过二超甲硅烷基二ilenes（此处为R *PhSiSiPhR*）与HHal或Hal反应2（附加产品的形成）。如所讨论的，（29六的Si）的2的R基团*
• Silylene R*XSi (R*=SitBu3; X=H, Me, Ph, Hal, R*): Bildung und Reaktionen
  作者：Nils Wiberg、Wolfgang Niedermayer

  DOI：10.1016/s0022-328x(01)00745-8

  日期：2001.5

  Thermolyses of disupersilylsilanes (R2SiX2)-Si-* (R* = supersilyl = (SiBu3)-Bu-t; X = H, Hal or H together with Me, Ph, Pr) at about 160 degreesC lead - besides R*X (R*H preferred to R*Br) - to silylenes R*XSi (X = H, Me, Ph, Pr), the intermediate existence of which is proven by trapping them with Et3SiH (formation of Et3Si-(R*XSi)-H), with I-2 (formation of I-(R*XSi)-I) or with CH2=CH-CH=CH2 (formation of [1+4] cycloadducts). The rate of R*X elimination increases in direction R-2*SiH2 < R-2*SiMeH < R-2*SiBrH and R-2*SiF2 < R-2*SiBr2 < R-2*SiI2. In addition, silylenes R*XSi are produced from monosupersilylsilanides R*XSiHalM (X = H, Ph, Hal; M = Na, MgHal) by MHal elimination at low temperatures and trapped by inserting them into SiH- or SiM-bonds of Et3SiH, R*PhClSiH, R*Na and R*XSiHalM. Thermolyses of R*SiX2Na (X = Cl, Pr, I) yield - via R*XSi - disilanides R*X2Si-(R*XSi)-Na which at about -20 degreesC eliminate NaX with formation of trans-configurated disilenes R*XSi=SiXR* as intermediates. In addition, R*SiCl2Na transforms into R*Cl2Si-(R*ClSi)(n)-Na (n = 2, 3) which eliminates NaCl with formation of cyclosilanes (R*ClSi)(n+1). Finally, disupersilylsilanides R-2*SiHalLi eliminate LiF at room temperature or LiCl at - 78 degreesC or LiBr at - 120 degreesC with formation of the silylene R-2*Si which stabilizes by formation of the silane R-2*SiH2 and the disilacyclobutane -R*HSi-(SiBu2)-Bu-t-CMe2-CH2- in the molar ratio 1:6. Possibly, in the latter case R-2*Si is not formed in the singulet state, as is usual with silylenes, but in the triplet state for the first time. (C) 2001 Elsevier Science B.V. All rights reserved.