Chlorphenylsupersilylsilan | 283163-01-9

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 苯和取代衍生物
• 英文名称: Chlorphenylsupersilylsilan
• 英文别名: Tritert-butyl-[chloro(phenyl)silyl]silane；tritert-butyl-[chloro(phenyl)silyl]silane
• CAS: 283163-01-9
• 化学式: C₁₈H₃₃ClSi₂
• 分子量: 341.084
• InChiKey: AQJUZPGYBUJVKT-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  5.78
• 重原子数：
  21
• 可旋转键数：
  5
• 环数：
  1.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.67
• 拓扑面积：
  0
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  Chlorphenylsupersilylsilan 在 sodium tri-tert-butylsilanide 作用下， 以 四氢呋喃 为溶剂， 生成 1-Chlor-1,2-diphenyl-1,2-disupersilyldisilan
  参考文献：
  名称：

  Supersilylsilane R*SiX₃: Umwandlung in Disilane R*X₂Si-SiX₂R*, Silylene R*XSi, Cyclosilane (R*XSi)_n, Disilene R*XSi=SiXR*, Tetrasupersilyl-tetrahedro-tetrasilan [1] / Supersilylsilanes R*SiX₃: Conversion into Disilanes R*X₂Si-SiX₂R*, Silylenes R*XSi, Cyclosilanes (R*XSi)_n, D isilenes R*XSi=SiXR*, Tetrasupersilyl-tetrahedro-tetrasilane [1]

  摘要：

  Supersilylmonohalosilanes R*R SiHCl（R* = Supersilyl = SitBu3）在65°C下与C6H6中的Na反应，或者在-78°C下与THF中的NaC10H8反应，形成双超硅基二硅烷R*RHSi-SiHRR*，其产率为定量（R = H，Me）或中等产率（R = Ph）。在后一种情况下，还在65°C下额外获得R*PhSiH2（仅与在65°C下的THF中的Na反应）。显然，超硅基硅化物NaSiHRR*作为中间体生成，它们与反应物R*RSiHCl反应，消除NaCl并形成R*RHSi-SiHRR*（R = H，Me）或R*RSiH2以及R*R Si（R = Ph）。硅烯中间体R*PhSi插入到反应物R*PhSiHCl和产物R*PhSiH2的SiH键中，形成双超硅基二硅烷R*PhSiH -SiClPhR*和R*PhSiH -SiHPhR*，它们在65°C下被Na还原为R*PhSiH2（在低温下通过NaC10H8还原为R*PhSiH-SiHPhR*）。在低温下，将NaR*添加到THF中的R*RSiHCl中，与NaCl消除形成R*2RSiH（R = H，Me）或R*RHSi-SiHRR*（R = Me），此外还有R*C1，或者R*RHSi-SiClRR*（R = Ph）以及R*H和NaR，而将R*PhSiHCl添加到NaR*中在低温下的THF中，结果形成NaSiPhR*2，此外还有R*H和NaCl。在后一种情况下（R = Ph），NaR*与R*PhSiHCl反应释放出硅烯R*PhSi，其瞬时存在性通过用Et3SiH捕获它来证实（形成R*Ph（Et3Si）-SiH）。随后，R*PhSi插入到R*PhSiHCl的SiH键中（将NaR*添加到R*PhSiHCl）或插入到NaR*的NaSi键中（将R*PhSiHCl添加到NaR*）。超硅基二卤代硅烷R*SiHCl2在65°C下通过Mg转化为环硅烷（R*SiH）n（n = 3, 4），并且在低温下通过Na转化为R*PhSiBrCl - 通过硅烯R*PhSi - 转化为双硅烯R*PhSi=SiPhR*，过量Na还原为阴离子自由基。超硅基三卤代硅烷R*SiBr2Cl、R*SiBr3和R*SiI3与Na、NaC10H8或NaR*在THF中反应，形成四超硅基四面体四硅烷（R*Si）4，产率定量，而R*SiCl3与LiC10H8在45°C下反应，只以中等产率形成（R*Si）4。显然，四面体烷是从R*SiHal3通过R*SiHal2Na和R*HalSi=SiHalR*作为反应中间体形成的。结果得出以下结论：（i）硅烯在“立体过载”的超硅基卤代硅烷R*R3-nSiHaln的脱卤作用中发挥作用；（ii）从易获得的反应物中合成（R*Si）4的高产率方法是将SiH2Cl2与NaR*进行超硅基化，用Br2对形成的超硅基硅烷R*SiH2Cl进行溴化，再用Na对溴化产物R*SiBr2Cl进行脱卤。

  DOI：

  10.1515/znb-2000-0510
• 作为产物：
  描述：

  苯基二氯硅烷 、 sodium tri-tert-butylsilanide 以 四氢呋喃 为溶剂， 以97%的产率得到Chlorphenylsupersilylsilan
  参考文献：
  名称：

  超甲硅烷基硅烷 R * SiX3：表征、表征和结构；取代基 X [1] / 超甲硅烷基硅烷 R * SiX3 的空间和范德华效应：合成、表征和结构；取代基 X 的空间和范德华效应 [1]

  摘要：

  超甲硅烷基硅烷 R * SiX3（R * = 超甲硅烷基 = SitBu3；X = H、Me、tBu、Ph、SiMe3、F、Cl、Br、I、OMe、OSO2CF3）通过 (i) 超甲硅烷基卤硅烷与超甲硅烷基钠 NaR 反应制备（Hal / R * 交换），（ii）通过超甲硅烷基卤硅烷与氢化物 H-（Hal / H 交换）的反应，（iii）通过超甲硅烷基硅烷与卤素 Hal2 的反应（H / Hal 交换，R * / Hal 交换），（ iv) 通过超甲硅烷基硅烷与 F-、MeO- 等亲核试剂的反应（Hal / F 或 Hal / OMe 交换）和 (v) 通过超甲硅烷基硅烷与强酸的反应（H / OSO2CF3 交换）。R * SiX3 的 SiX3 基团的 NMR 化学位移 δ (29Si) 在很大程度上取决于 X 的性质。超甲硅烷基硅烷 R * SiX3 部分对湿气敏感（尤其是具有 SiX3≡

  DOI：

  10.1515/znb-2000-0509

文献信息

• Supersilylsilane R*SiX₃: Darstellung, Charakterisierung und Strukturen; sterische und van-der-Waals Effekte der Substituenten X [1] / Supersilylsilanes R*SiX₃: Syntheses, Characterization and Structures; Steric and van-der-Waals Effects of Substituents X [1]
  作者：Nils Wiberg、Wolfgang Niedermayer、Heinrich Nöth、Jörg Knizek、Werner Ponikwar、Kurt Polbom

  DOI：10.1515/znb-2000-0509

  日期：2000.5.1

  SitBu3; X = H, Me, tBu, Ph, SiMe3, F, Cl, Br, I, OMe, OSO2CF3) are prepared (i) by reactions of supersilylhalosilanes with supersilyl sodium NaR* (Hal/R* exchange), (ii) by reactions of supersilylhalosilanes with hydride H- (Hal/H exchange), (iii) by reactions of supersilylsilanes with halogens Hal2 (H/Hal exchange, R*/Hal exchange), (iv) by reactions of supersilylhalosilanes with nucleophiles like

  超甲硅烷基硅烷 R * SiX3（R * = 超甲硅烷基 = SitBu3；X = H、Me、tBu、Ph、SiMe3、F、Cl、Br、I、OMe、OSO2CF3）通过 (i) 超甲硅烷基卤硅烷与超甲硅烷基钠 NaR 反应制备（Hal / R * 交换），（ii）通过超甲硅烷基卤硅烷与氢化物 H-（Hal / H 交换）的反应，（iii）通过超甲硅烷基硅烷与卤素 Hal2 的反应（H / Hal 交换，R * / Hal 交换），（ iv) 通过超甲硅烷基硅烷与 F-、MeO- 等亲核试剂的反应（Hal / F 或 Hal / OMe 交换）和 (v) 通过超甲硅烷基硅烷与强酸的反应（H / OSO2CF3 交换）。R * SiX3 的 SiX3 基团的 NMR 化学位移 δ (29Si) 在很大程度上取决于 X 的性质。超甲硅烷基硅烷 R * SiX3 部分对湿气敏感（尤其是具有 SiX3≡
• Disupersilyldisilane R*X2Si_SiX2R*: Darstellung, Charakterisierung und Strukturen; sterische Effekte der Substituenten
  作者：N Wiberg

  DOI：10.1016/s0022-328x(00)00442-3

  日期：2000.10.20

  Disupersilyldisilanes R*X2SiSiX2R* (R*=supersilyl=Sit-Bu3; two diastereomers in case of R*XX′SiSiX′XR*) are prepared in organic solvent (i) by dehalogenations of supersilylhalosilanes with Na, NaC10H8 or NaR*; (ii) by reactions of disupersilylhalodisilanes with H− (Hal/H exchange); (iii) by reactions of disupersilyldisilanes with Hal2 (H/Hal exchange); (iv) by reactions of disupersilylhalodisilanes

  Disupersilyldisilanes R * X 2 SiSiX 2 R *（R * = supersilyl =硅吨-Bu 3 ;中的R的情况下，两种非对映*XX'SiSiX'XR*）在有机溶剂（I），通过制备dehalogenations具有Na，NaC 10 H 8或NaR *的超甲硅烷基卤硅烷; （ii）通过用H disupersilylhalodisilanes的反应- （哈尔/ H交换）; （iii）通过二超甲硅烷基乙硅烷与Hal 2的反应（H / Hal交换）；（iv）首先使二超甲硅烷基卤代二硅烷与NaR *（Hal / Na交换），然后与用于质子化，烷基化，甲硅烷基化的试剂（Na / H，Na / Me，Na / SiMe 3交换）反应；或（v）通过二超甲硅烷基二ilenes（此处为R *PhSiSiPhR*）与HHal或Hal反应2（附加产品的形成）。如所讨论的，（29六的Si）的2的R基团*
• Alkalimetalldisupersilylsilanide MSiXR*2 (R*=SitBu3; X=H, Me, Ph, Hal): Synthesen, Charakterisierung, Strukturen, Reaktionen
  作者：Nils Wiberg、Wolfgang Niedermayer、Heinrich Nöth、Markus Warchhold

  DOI：10.1016/s0022-328x(01)00744-6

  日期：2001.5

  of K both to Si and H in KSiHR*2, but only to Si and not to Me in KSiMeR*2. Thermolysis of LiSiXR*2 leads at 25°C (X=F), −78°C (X=Cl) or −120°C (X=Br) to the silylene R*2Si as reactive intermediate. The silanides MSiXR*2 (X=H, Me) are strong bases (e.g. deprotonation of C6H5CH3 or SiH2Cl2), good nucleophiles (e.g. formation of R*2XSi–SiF3 or R*2XSi–SiH2Cl with SiF4 or SiH2Cl2), and powerful reduction

  制备碱金属二超甲硅烷基硅烷基化物MSiXR * 2（R * =超级甲硅烷基= Si t Bu 3； X = H，Me，Ph，F，Cl，Br）：（i）通过金属化R * 2 XSiBr（X = H，Me ）与Li，Na或K的庚烷，苯，四氢呋喃（THF）混合；（ii）通过在室温下（X = F）在-100°C（X = Cl）和在-130°C（X = Br）下在THF中用LiC 10 H 8活化R * 2 SiX 2的金属化; （iii）通过R * 2之间的重金属化XSiBr（X = H，Me）和NaR *在THF中; （iv）通过将亚甲硅烷基R * PhSi（来自R * PhSiHCl和NaR *）插入到NaR *在THF中的NaSi键中。所制备的水解和氧化不稳定的硅烷基化物无色至黄色（如果无供体），黄色至深红色，如C 6 H 6或THF加成物（C 6 H 6加合物在高真空下失去供体，而没有THF
• Silylene R*XSi (R*=SitBu3; X=H, Me, Ph, Hal, R*): Bildung und Reaktionen
  作者：Nils Wiberg、Wolfgang Niedermayer

  DOI：10.1016/s0022-328x(01)00745-8

  日期：2001.5

  Thermolyses of disupersilylsilanes (R2SiX2)-Si-* (R* = supersilyl = (SiBu3)-Bu-t; X = H, Hal or H together with Me, Ph, Pr) at about 160 degreesC lead - besides R*X (R*H preferred to R*Br) - to silylenes R*XSi (X = H, Me, Ph, Pr), the intermediate existence of which is proven by trapping them with Et3SiH (formation of Et3Si-(R*XSi)-H), with I-2 (formation of I-(R*XSi)-I) or with CH2=CH-CH=CH2 (formation of [1+4] cycloadducts). The rate of R*X elimination increases in direction R-2*SiH2 < R-2*SiMeH < R-2*SiBrH and R-2*SiF2 < R-2*SiBr2 < R-2*SiI2. In addition, silylenes R*XSi are produced from monosupersilylsilanides R*XSiHalM (X = H, Ph, Hal; M = Na, MgHal) by MHal elimination at low temperatures and trapped by inserting them into SiH- or SiM-bonds of Et3SiH, R*PhClSiH, R*Na and R*XSiHalM. Thermolyses of R*SiX2Na (X = Cl, Pr, I) yield - via R*XSi - disilanides R*X2Si-(R*XSi)-Na which at about -20 degreesC eliminate NaX with formation of trans-configurated disilenes R*XSi=SiXR* as intermediates. In addition, R*SiCl2Na transforms into R*Cl2Si-(R*ClSi)(n)-Na (n = 2, 3) which eliminates NaCl with formation of cyclosilanes (R*ClSi)(n+1). Finally, disupersilylsilanides R-2*SiHalLi eliminate LiF at room temperature or LiCl at - 78 degreesC or LiBr at - 120 degreesC with formation of the silylene R-2*Si which stabilizes by formation of the silane R-2*SiH2 and the disilacyclobutane -R*HSi-(SiBu2)-Bu-t-CMe2-CH2- in the molar ratio 1:6. Possibly, in the latter case R-2*Si is not formed in the singulet state, as is usual with silylenes, but in the triplet state for the first time. (C) 2001 Elsevier Science B.V. All rights reserved.
• Tri-<i>tert</i>-butylsilyl(triisopropylsilyl)silylene (<i>t</i>Bu)₃Si−Si−Si(<i>i</i>Pr)₃ and Chemical Evidence for Its Reactions from a Triplet Electronic State
  作者：Ping Jiang、Peter P. Gaspar

  DOI：10.1021/ja016325c

  日期：2001.9.1