adamantane-1-carboxylic acid 2,2-difluoro-2-methanesulfonylethyl ester sodium salt | 1048642-04-1

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机酸及其衍生物 - 有机磺酸及其衍生物
• 英文名称: adamantane-1-carboxylic acid 2,2-difluoro-2-methanesulfonylethyl ester sodium salt
• 英文别名: sodium 2-(1'-adamantane)carbonyloxy-1,1-difluoroethanesulfonate；sodium 2-(adamantane-1-carbonyloxy)-1,1-difluoroethane-1-sulfonate；adamantane-1-carboxylic acid 2,2-difluoro-2-sulfoethyl ester sodium salt；Sodium 2-(1-adamantanecarbonyloxy)-1,1-difluoroethanesulfonate；sodium;2-(adamantane-1-carbonyloxy)-1,1-difluoroethanesulfonate
• CAS: 1048642-04-1
• 化学式: C₁₃H₁₇F₂O₅S*Na
• 分子量: 346.328
• InChiKey: IIHKWVQPDJXKGL-UHFFFAOYSA-M

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -1.11
• 重原子数：
  22
• 可旋转键数：
  5
• 环数：
  4.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.92
• 拓扑面积：
  91.9
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  7

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  adamantane-1-carboxylic acid 2,2-difluoro-2-methanesulfonylethyl ester sodium salt 在 氯化三苯基硫 作用下， 以 水 为溶剂， 反应 1.5h， 以92%的产率得到triphenylsulfonium 2-(1'-adamantane)carbonyloxy-1,1-difluoroethanesulfonate
  参考文献：
  名称：

  Compound for Photoacid Generator, Resist Composition Using the Same, and Pattern-Forming Method

  摘要：

  以下是用作优良的辐射敏感性酸发生剂的磺酸醋銨盐的化学式（1）。通过使用含有与化学式（1）对应的磺酸醋銨盐的抗蚀组合物，可以形成良好的图案： 其中R1代表一价有机基团，Q+代表磺銨阳离子或碘銨阳离子。

  公开号：

  US20130130175A1
• 作为产物：
  描述：

  (2'-bromo-2',2'-difluoro)ethyl 1-adamantanecarboxylate 在 sodium dithionite 、 碳酸氢钠 、 sodium tungstate dihydrate 、 双氧水 作用下， 以 水 、 乙腈 为溶剂， 反应 26.0h， 生成 adamantane-1-carboxylic acid 2,2-difluoro-2-methanesulfonylethyl ester sodium salt
  参考文献：
  名称：

  光可分解化合物、光致抗蚀剂组合物和制造集成电路装置的方法

  摘要：

  提供一种光可分解化合物、光致抗蚀剂组合物和制造集成电路装置的方法。所述光可分解化合物包括：阴离子组分，包括金刚烷基；阳离子组分，包括C5至C40环烃基，并且与阴离子组分形成络合物。所述金刚烷基和所述环烃基中的至少一者具有取代基，所述取代基通过酸而分解并产生碱溶性基团。所述取代基包括酸不稳定性保护基。所述光致抗蚀剂组合物包括化学放大型聚合物、所述光可分解化合物和溶剂。为了制造集成电路(IC)装置，在特征层上使用光致抗蚀剂组合物形成光致抗蚀剂膜，对光致抗蚀剂膜的第一区域进行曝光以在第一区域中从光可分解化合物产生多种酸，化学放大型聚合物由于所述多种酸而脱保护，并且去除第一区域以形成光致抗蚀剂图案。

  公开号：

  CN113185432A

文献信息

• Processes for Production of 2-Bromo-2,2-Difluoroethanol and 2-(Alkylcarbonyloxy)-1,1-Difluoroethanesulfonic Acid Salt
  申请人：Jodry Jonathan Joachim

  公开号：US20110015431A1

  公开（公告）日：2011-01-20

  Disclosed is a process for producing 2-bromo-2,2-difluoroethanol, which comprises reducing a bromodifluoroacetic acid derivative represented by the formula [1] by using an ate hydride complex as a reducing agent. 2-Bromo-2,2-difluoroethanol thus produced can be used as the starting material to carry out the esterification step, the sulfination step and the oxidation step in this order, thereby producing a 2-alkylcarbonyloxy-1,1-difluoroethanesulfonic acid salt, wherein A represents a substituted or unsubstituted linear, branched or cyclic alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryloxy group having 6 to 15 carbon atoms, a heteroaryloxy group having 4 to 15 carbon atoms, or a halogen atom.

  揭示了一种生产2-溴-2,2-二氟乙醇的方法，包括使用醇盐氢化物复合物作为还原剂，通过还原由式[1]表示的溴二氟乙酸衍生物来实现。因此生产的2-溴-2,2-二氟乙醇可用作依次进行酯化步骤、磺化步骤和氧化步骤的起始物质，从而产生2-烷基羰氧基-1,1-二氟乙烷磺酸盐，其中A代表具有1至20个碳原子的取代或未取代的线性、支链或环烷氧基团，具有6至15个碳原子的取代或未取代的芳氧基团，具有4至15个碳原子的杂芳氧基团，或卤素原子。
• Resist lower-layer composition containing thermal acid generator, resist lower layer film-formed substrate, and patterning process
  申请人：Ohsawa Youichi

  公开号：US20100119970A1

  公开（公告）日：2010-05-13

  There is disclosed a resist lower-layer composition configured to be used by a multi-layer resist method used in lithography to form a layer lower than a photoresist layer acting as a resist upper layer film, wherein the resist lower-layer composition becomes insoluble or poorly-soluble in an alkaline developer after formation of the lower layer, and wherein the resist lower-layer composition comprises, at least, a thermal acid generator for generating an acid represented by the general formula (1) by heating at a temperature of 100° C. or higher. RCOO—CH 2 CF 2 SO 3 − H + (1) There can be provided a resist lower-layer composition in a multi-layer resist method (particularly, a two-layer resist method and a three-layer resist method), which composition is used to form a layer lower than a photoresist layer acting as a resist upper layer film, which composition becomes insoluble or poorly-soluble in an alkaline developer after formation of the lower layer, and which composition is capable of forming a resist lower layer film, intermediate-layered film, and the like having a higher anti-poisoning effect and exhibiting a lower load to the environment.

  揭示了一种抗性下层组合物，配置为在光刻中使用的多层抗性方法中使用，用于形成低于作为抗性上层膜的光刻胶层的一层，其中抗性下层组合物在形成下层后变得不溶解或难溶解于碱性显影剂中，且抗性下层组合物至少包括用于通过在100°C或更高温度下加热生成由通式（1）表示的酸的热酸发生剂。 可以提供一种抗性下层组合物，用于多层抗性方法（特别是双层抗性方法和三层抗性方法），该组合物用于形成低于作为抗性上层膜的光刻胶层的一层，该组合物在形成下层后变得不溶解或难溶解于碱性显影剂中，并且该组合物能够形成具有更高抗毒性效果并表现出对环境负荷较低的抗性下层膜、中间层膜等。
• SALT, ACID GENERATOR, RESIST COMPOSITION AND METHOD FOR PRODUCING RESIST PATTERN
  申请人：SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED

  公开号：US20160168115A1

  公开（公告）日：2016-06-16

  A salt represented by formula (I): wherein R 1 and R 2 independently represent a hydrogen atom, a hydroxy group or a C 1 to C 12 hydrocarbon group in which a methylene group may be replaced by a —O— or —CO—; m and n independently represent 1 or 2; Ar represents an optionally substituted phenyl group; Q 1 and Q 2 independently represent a fluorine atom or a C 1 to C 6 perfluoroalkyl group, A 1 represents a single bond, a C 1 to C 24 alkanediyl group or the like, and Y represents an optionally substituted C 1 to C 18 alkyl group or monovalent C 3 to C 18 alicyclic hydrocarbon group, and a methylene group therein may be replaced by a —O—, O— or —SO 2 —, provided that the alkyl group or the alicyclic hydrocarbon group has at least one substituent, or at least one methylene group contained therein is replaced by a —O—, —CO— or —SO 2 —.

  一种由化学式（I）表示的盐：其中R1和R2分别表示氢原子、羟基或C1到C12的烃基，其中亚甲基可能被—O—或—CO—取代；m和n分别表示1或2；Ar表示可选取代的苯基；Q1和Q2分别表示氟原子或C1到C6的全氟烷基基团，A1表示单键，C1到C24的烷二基基团或类似物，Y表示可选取代的C1到C18的烷基基团或一价的C3到C18的脂环烃基团，其中的亚甲基团可能被—O—、O—或—SO2—取代，前提是烷基基团或脂环烃基团至少有一个取代基，或其中至少一个亚甲基团被—O—、—CO—或—SO2—取代。
• 塩、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
  申请人：住友化学株式会社

  公开号：JP2018030830A

  公开（公告）日：2018-03-01

  【課題】良好なマスクエラーファクター（ＭＥＦ）でレジストパターンを製造できる塩及びレジスト組成物の提供。【解決手段】式（Ｉ）で表される塩、この塩と酸不安定基を有する構造単位と含む樹脂とを含むレジスト組成物。［Ｘは、Ｏ、Ｓ等；Ｒ５は、Ｆで置換／非置換アルキル基、Ｆで置換／非置換脂環式炭化水素基又はＦで置換／非置換の芳香族炭化水素基等；Ａｒは置換／非置換の２価の芳香族炭化水素基又はヘテロ芳香族炭化水素基；Ｒ１及びＲ２は夫々独立に、Ｈ、ＯＨ基又は炭化水素基；ｍ及びｎは夫々独立に１又は２；Ｘ１は＊−Ｏ−、＊−Ｏ−ＣＯ−、＊−ＣＯ−Ｏ−等、＊はＡｒとの結合位；Ｗは置換／非置換の脂環式炭化水素基又は置換／非置換の複素環基；Ａ−は有機アニオン］【選択図】なし

  提供含有良好掩模误差因子（ＭＥＦ）的盐和光刻胶组合物，可用于制造光刻图案。所述光刻胶组合物包括由式（Ｉ）表示的盐、该盐和含有酸不稳定基的结构单元的树脂。【式中，Ｘ为Ｏ、Ｓ等；Ｒ５为取代/非取代烷基、取代/非取代脂环烃基或取代/非取代芳香族烃基等；Ａｒ为取代/非取代的二价芳香族烃基或杂环芳香族烃基；Ｒ１和Ｒ２各自独立地为氢、羟基或烃基；ｍ和ｎ各自独立地为１或２；Ｘ１为＊−Ｏ−、＊−Ｏ−ＣＯ−、＊−ＣＯ−Ｏ−等，＊为与Ａｒ结合的位置；Ｗ为取代/非取代的脂环烃基或取代/非取代的复杂环基；Ａ−为有机阴离子】。【选图】无
• SULFONIUM COMPOUND, PHOTOACID GENERATOR, AND RESIST COMPOSITION
  申请人：OH Jung Hoon

  公开号：US20130035503A1

  公开（公告）日：2013-02-07

  A sulfonium compound represented by the following formula (1), a photoacid generator containing the sulfonium compound, and a resist composition containing the photoacid generator are provided: wherein X represents an electron donor group; R 1 and R 2 each independently represent an alkyl group or the like; R 4 to R 6 each independently represent an alkyl group, or the like; R 3 represents a cyclic alkenediyl group or the like; and −A represents an anion. The sulfonium compound has a photon yield that is controllable by introducing different absorbers to the cation region in one molecule, can address the inconvenience of using a mixture of different photoacid generators when the sulfonium compound is applied as a photoacid generator, has excellent miscibility in a resist, and has enhanced resolution and line edge roughness.

  提供以下式（1）所表示的磺化物化合物，含有该磺化物化合物的光酸发生剂，以及含有该光酸发生剂的抗蚀组合物：其中X代表一个电子给体基团；R1和R2各自独立地代表一个烷基基团或类似物；R4至R6各自独立地代表一个烷基基团或类似物；R3代表一个环烯二基基团或类似物；以及−A代表一个阴离子。该磺化物化合物具有通过在一个分子的阳离子区引入不同吸收剂来控制的光子产量，可解决当该磺化物化合物被应用为光酸发生剂时使用不同光酸发生剂混合物的不便，具有在抗蚀剂中优异的溶解性，并具有增强的分辨率和线边粗糙度。