chlorotris(4-chlorophenyl)silane | 18557-76-1

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 苯和取代衍生物
• 英文名称: chlorotris(4-chlorophenyl)silane
• 英文别名: Tris-<4-chlor-phenyl>-chlorsilan；Chlor-tris-<4-chlor-phenyl>-silan；Chlor-tris-(4-chlor-phenyl)-silan；Chloro-tris(4-chlorophenyl)silane
• CAS: 18557-76-1
• 化学式: C₁₈H₁₂Cl₄Si
• 分子量: 398.191
• InChiKey: DJZZUOVPPJQXAJ-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  4.85
• 重原子数：
  23
• 可旋转键数：
  3
• 环数：
  3.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  0
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  chlorotris(4-chlorophenyl)silane 在 alkali phosphide 作用下， 以 乙二醇二甲醚 为溶剂， 反应 24.0h， 以20%的产率得到Tris[tris(4-chlorophenyl)silyl]phosphane
  参考文献：
  名称：

  三芳基甲硅烷基膦前驱体对磷化铟量子点成核和生长的研究

  摘要：

  我们已经开发了一种二膦战略，可以根据磷化铟（InP）量子点（QD）合成中每种前体的相对反应性来独立地调整成核和生长动力学。通过探索一系列在芳基对位P（Si（C 6 H 4 -X）3）3（X = H，Me， CF 3或Cl），作为与P（SiMe 3）3的对比，P 3–通常用于此类合成中的来源。InP QD生长期间等分试样的紫外-可见吸收光谱显示，在InP形成速率和最终粒径方面，带有给电子基团和吸电子基团的三芳基甲硅烷基膦之间形成了鲜明的对比。31 P { 1 H}核磁共振波谱证实，当掺入P（SiPh 3）3作为唯一的磷前体时，前驱体转化率在整个纳米晶体合成过程中仍然是限速的；然而，这不足以有效分离该系统中的成核和生长，因为所导致的成核速率很慢。在所有情况下，使用单一化学物种作为P 3–的合成发现该源与In（O 2 C（CH 2）12 CH 3）3的反应性较差，因为前驱体转化率[P（SiPh 3）3和P

  DOI：

  10.1021/cm500102q
• 作为产物：
  描述：

  4-氯苯基溴化镁 在 四氯化硅 作用下， 生成 chlorotris(4-chlorophenyl)silane
  参考文献：
  名称：

  Petrow et al., Izvestiya Akademii Nauk SSSR, Seriya Khimicheskaya, 1955, p. 181; engl.Ausg.S.159

  摘要：

  DOI：

文献信息

• Linear Free-Energy Relationship and Rate Study on a Silylation-Based Kinetic Resolution: Mechanistic Insights
  作者：Ravish K. Akhani、Maggie I. Moore、Julia G. Pribyl、Sheryl L. Wiskur

  DOI：10.1021/jo402569h

  日期：2014.3.21

  factors to Charton values was also observed when just alkyl substituents were employed but was nonexistent when substituents with more electronic effects were incorporated. The rate data suggest that a significant redistribution of charge occurs in the transition state, with an overall decrease in positive charge. The linear free-energy relationship derived from selectivity factors is best understood by

  探索了不同的对位取代的三苯基甲硅烷基氯的取代基对基于甲硅烷基化的动力学拆分的影响。给电子基团减慢反应速率并提高选择性，而吸电子基团增加反应速率并降低选择性。发现线性自由能关系都选择性因素和初始利率为σ相关对哈米特参数。当仅使用烷基取代基时，还观察到选择性因子与Charton值之间的相关性较弱，但是当引入具有更多电子效应的取代基时，则不存在选择性因子与Charton值的弱相关性。速率数据表明，在过渡状态下会发生明显的电荷重新分布，而正电荷会总体上减少。Hammond假设可以最好地理解源自选择性因子的线性自由能关系。早期和晚期过渡态描述了底物在过渡态中的参与量，因此描述了两种对映异构体的非对映体过渡态之间的能量差。这项工作突出了我们在基于甲硅烷基化的动力学拆分中努力理解选择性的机理和起源的努力。
• Investigation of Indium Phosphide Quantum Dot Nucleation and Growth Utilizing Triarylsilylphosphine Precursors
  作者：Dylan C. Gary、Benjamin A. Glassy、Brandi M. Cossairt

  DOI：10.1021/cm500102q

  日期：2014.2.25

  each precursor in the synthesis of indium phosphide (InP) quantum dots (QDs). This approach was allowed by the exploration of the synthesis and reactivity of a series of sterically encumbered triarylsilylphosphines substituted at the para position of the aryl group, P(Si(C6H4-X)3)3 (X = H, Me, CF3, or Cl), as a contrast to P(SiMe3)3, the P3– source commonly employed in such syntheses. UV–vis absorption

  我们已经开发了一种二膦战略，可以根据磷化铟（InP）量子点（QD）合成中每种前体的相对反应性来独立地调整成核和生长动力学。通过探索一系列在芳基对位P（Si（C 6 H 4 -X）3）3（X = H，Me， CF 3或Cl），作为与P（SiMe 3）3的对比，P 3–通常用于此类合成中的来源。InP QD生长期间等分试样的紫外-可见吸收光谱显示，在InP形成速率和最终粒径方面，带有给电子基团和吸电子基团的三芳基甲硅烷基膦之间形成了鲜明的对比。31 P 1 H}核磁共振波谱证实，当掺入P（SiPh 3）3作为唯一的磷前体时，前驱体转化率在整个纳米晶体合成过程中仍然是限速的；然而，这不足以有效分离该系统中的成核和生长，因为所导致的成核速率很慢。在所有情况下，使用单一化学物种作为P 3–的合成发现该源与In（O 2 C（CH 2）12 CH 3）3的反应性较差，因为前驱体转化率[P（SiPh 3）3和P
• Petrow et al., Izvestiya Akademii Nauk SSSR, Seriya Khimicheskaya, 1955, p. 181; engl.Ausg.S.159
  作者：Petrow et al.

  DOI：——

  日期：——