3,3',5,5'-四甲氧甲基联苯二酚 | 455943-61-0

• 物质功能分类: 材料化学 - 配体
• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 苯和取代衍生物
• 中文名称: 3,3',5,5'-四甲氧甲基联苯二酚
• 英文名称: 3,3',5,5'-tetramethoxymethylbiphenol
• 英文别名: 3,3',5,5'-Tetrakis(methoxymethyl)-[1,1'-biphenyl]-4,4'-diol；4-[4-hydroxy-3,5-bis(methoxymethyl)phenyl]-2,6-bis(methoxymethyl)phenol
• CAS: 455943-61-0
• 化学式: C₂₀H₂₆O₆
• 分子量: 362.423
• InChiKey: JHIUAEPQGMOWHS-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 沸点：
  432.7±40.0 °C(Predicted)
• 密度：
  1.175±0.06 g/cm3(Predicted)

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  1.4
• 重原子数：
  26
• 可旋转键数：
  9
• 环数：
  2.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.4
• 拓扑面积：
  77.4
• 氢给体数：
  2
• 氢受体数：
  6

安全信息

• 危险性防范说明：
  P261,P305+P351+P338
• 危险性描述：
  H302,H315,H319,H335

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  3,3',5,5'-四甲氧甲基联苯二酚 、 对氟硝基苯 在 sodium hydroxide 作用下， 以 N,N-二甲基乙酰胺 为溶剂， 反应 3.0h， 以92%的产率得到5-[3,5-Bis(methoxymethyl)-4-(4-nitrophenoxy)phenyl]-1,3-bis(methoxymethyl)-2-(4-nitrophenoxy)benzene
  参考文献：
  名称：

  DIAMINE COMPOUND, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND APPLICATIONS THEREOF

  摘要：

  本公开了一种由化学式（1）表示的二胺化合物，其中R1、R2、R3、R4、R5、X1、X2、X3、X4、m、n、a、b、c和d如本文所定义。还公开了一种制造该二胺化合物的方法，一种包含具有（链烷氧基亚甲基）苯基或（羟基亚甲基）苯基的二胺化合物的组合物，以及一种包含（链烷氧基亚甲基）苯基或（羟基亚甲基）苯基的聚合物。

  公开号：

  US20210284596A1
• 作为产物：
  描述：

  sodium methylate 、 3,3',5,5'-tetrabromomethylbiphenol 以 甲醇 为溶剂， 以96.2 %的产率得到3,3',5,5'-四甲氧甲基联苯二酚
  参考文献：
  名称：

  CN115959974

  摘要：

  公开号：

文献信息

• Novolac resin-containing resist underlayer film-forming composition using bisphenol aldehyde
  申请人：NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.

  公开号：US10017664B2

  公开（公告）日：2018-07-10

  Resist underlayer film-forming composition for forming resist underlayer film with high dry etching resistance, wiggling resistance and exerts good flattening property and embedding property for uneven parts, including resin obtained by reacting organic compound A including aromatic ring and aldehyde B having at least two aromatic hydrocarbon ring groups having phenolic hydroxy group and having structure wherein the aromatic hydrocarbon ring groups are bonded through tertiary carbon atom. The aldehyde B may be compound of Formula (1): The obtained resin may have a unit structure of Formula (2): Ar1 and Ar2 each are C6-40 aryl group. The organic compound A including aromatic ring may be aromatic amine or phenolic hydroxy group-containing compound. The composition may contain further solvent, acid and/or acid generator, or crosslinking agent. Forming resist pattern used for semiconductor production, including forming resist underlayer film by applying the resist underlayer film-forming composition onto semiconductor substrate and baking it.

  用于形成具有高干法蚀刻抗性、抗扭曲性并具有良好的平整性和嵌入性能的抗蚀底层膜形成组合物，包括通过使含有芳香环的有机化合物A和至少具有两个含酚羟基的芳香烃环团的醛B反应而获得的树脂，并具有芳香烃环团通过三级碳原子键合的结构。醛B可以是化合物的化学式（1）： 所得的树脂可能具有化学式（2）的单元结构： Ar1和Ar2各自是C6-40芳基团。含有芳香环的有机化合物A可能是芳香胺或含酚羟基的化合物。该组合物可能进一步含有溶剂、酸和/或酸发生剂，或交联剂。用于半导体生产的形成抗蚀图案，包括通过将抗蚀底层膜形成组合物涂覆在半导体衬底上并对其进行烘烤来形成抗蚀底层膜。
• [EN] NOVEL COMPOUND, SEMICONDUCTOR MATERIAL, AND METHODS FOR MANUFACTURING COATING AND SEMICONDUCTOR USING THE SAME<br/>[FR] NOUVEAU COMPOSÉ, MATÉRIAU SEMI-CONDUCTEUR, PROCÉDÉS DE FABRICATION DE REVÊTEMENT ET SEMI-CONDUCTEUR L'UTILISANT
  申请人：MERCK PATENT GMBH

  公开号：WO2018115043A1

  公开（公告）日：2018-06-28

  An object is to provide a semiconductor material and coating having high solubility in solvents and having advantageous filling property, high heat resistance, and/or high etching resistance. Another object is to provide a method for manufacturing a semiconductor using the semiconductor material. Still another object is to provide a novel compound. Provided are: a semiconductor material consisting of a specific aromatic hydrocarbon ring derivative; methods for manufacturing a coating and a semiconductor using the semiconductor material; and a compound consisting of a specific aromatic hydrocarbon ring derivative.

  提供一种在溶剂中具有高溶解性且具有有利的填充性能、高耐热性和/或高耐蚀性的半导体材料和涂层是一个目标。另一个目标是提供一种使用该半导体材料制造半导体的方法。还有一个目标是提供一种新型化合物。提供的是：由特定芳香烃环衍生物组成的半导体材料；使用该半导体材料制造涂层和半导体的方法；以及由特定芳香烃环衍生物组成的化合物。
• DIAMINE COMPOUND, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND APPLICATIONS THEREOF
  申请人：DAXIN MATERIALS CORP.

  公开号：US20210284596A1

  公开（公告）日：2021-09-16

  Disclosed is a diamine compound represented by Formula (1), in which R1, R2, R3, R4, R5, X1, X2, X3, X4, m, n, a, b, c, and d are as defined herein. Also disclosed are a method for manufacturing the diamine compound, a composition including the diamine compound having a (chain alkoxy-methylene) phenyl group or a (hydroxyl-methylene) phenyl group, and a polymer including the (chain alkoxy-methylene) phenyl group or the (hydroxyl-methylene) phenyl group.

  本公开了一种由化学式（1）表示的二胺化合物，其中R1、R2、R3、R4、R5、X1、X2、X3、X4、m、n、a、b、c和d如本文所定义。还公开了一种制造该二胺化合物的方法，一种包含具有（链烷氧基亚甲基）苯基或（羟基亚甲基）苯基的二胺化合物的组合物，以及一种包含（链烷氧基亚甲基）苯基或（羟基亚甲基）苯基的聚合物。
• Polymer for Preparing Resist Underlayer Film, Resist Underlayer Film Composition Containing the Polymer and Method for Forming Resist Underlayer Film Using the Composition
  申请人：SK Innovation Co., Ltd.

  公开号：US20160311975A1

  公开（公告）日：2016-10-27

  Provided are a fluoreneol-based monomer, a polymer for preparing a resist underlayer film obtained therefrom, a resist underlayer film composition containing the polymer, and a method for forming a resist underlayer film using the resist underlayer film composition, wherein the fluoreneol-based monomer is represented by Chemical Formula 2 below:

  提供了一种基于芴醇的单体，用于制备抗蚀底层膜的聚合物，包含该聚合物的抗蚀底层膜组合物，以及使用该抗蚀底层膜组合物形成抗蚀底层膜的方法。其中，基于芴醇的单体由以下化学式2表示：
• ALLYLOXY DERIVATIVE, RESIST UNDERLAYER FORMING COMPOSITION USING THE SAME, AND METHOD OF MANUFACTURING RESIST UNDERLAYER AND SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME
  申请人：Merck Patent GmbH

  公开号：US20210181636A1

  公开（公告）日：2021-06-17

  The present invention provides a resist underlayer forming composition, which is well in heat resistance and gap filling. Further, the present invention provides methods of manufacturing a resist underlayer and semiconductor device using it. [Means for Solution] A composition comprising a allyloxy derivative having a specific group and a solvent, and methods of manufacturing a resist underlayer and semiconductor device using it.

  本发明提供了一种具有良好耐热性和填隙性的抗阻层形成组合物。此外，本发明还提供了使用该组合物制造抗阻层和半导体器件的方法。[解决方案手段] 包括具有特定基团的烯丙氧衍生物和溶剂的组合物，以及使用该组合物制造抗阻层和半导体器件的方法。