4-Aethyl-1-<1-aethoxy-aethoxy>-benzol | 7074-08-0

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 苯酚醚
• 英文名称: 4-Aethyl-1-<1-aethoxy-aethoxy>-benzol
• 英文别名: 4-Aethyl-1-(1-aethoxy-aethoxy)-benzol；1-(1-Ethoxyethoxy)-4-ethylbenzene
• CAS: 7074-08-0
• 化学式: C₁₂H₁₈O₂
• 分子量: 194.274
• InChiKey: GLNSTQZIUOOXKK-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 沸点：
  93-94 °C(Press: 16 Torr)
• 密度：
  0.9851 g/cm3

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  3.4
• 重原子数：
  14
• 可旋转键数：
  5
• 环数：
  1.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.5
• 拓扑面积：
  18.5
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  2

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  4-乙基苯酚 、 乙烯基乙醚 在 (MeCHCl)2O 作用下， 以 乙醚 为溶剂， 生成 4-Aethyl-1-<1-aethoxy-aethoxy>-benzol
  参考文献：
  名称：

  The Photolysis of Spiro[2.5]octa-4,7-dien-6-one. Radical Fragmentation in the Photochemistry of 2,5-Cyclohexadienones¹

  摘要：

  DOI：

  10.1021/ja00960a029

文献信息

• RADIATION SENSITIVE COMPOSITION
  申请人：Nissan Chemical Industries, Ltd.

  公开号：EP3309614A1

  公开（公告）日：2018-04-18

  There is provided a radiation sensitive composition including a siloxane polymer exhibiting phenoplast crosslinking reactivity as a base resin, which is excellent in resolution and can be used as a radiation sensitive composition capable of allowing a pattern having a desired-shape to be formed with sufficient precision. A radiation sensitive composition comprising as a silane, a hydrolyzable silane, a hydrolysis product thereof, or a hydrolysis-condensation product thereof; and a photoacid generator, in which the hydrolyzable silane includes hydrolyzable silanes of Formula (1)         R1aR2bSi(R3)4-(a+b)     Formula (1) wherein R1 is an organic group of Formula (1-2) and is bonded to a silicon atom through a Si-C bond or a Si-O bond, and R3 is a hydrolyzable group; and Formula (2)         R7cR8dSi(R9)4-(c+d)     Formula (2) wherein R7 is an organic group of Formula (2-1) , and is bonded to a silicon atom through a Si-C bond or a Si-O bond, and R9 is a hydrolyzable group.

  本发明提供了一种辐射敏感性组合物，该组合物包括一种硅氧烷聚合物，该聚合物作为基础树脂具有酚醛交联反应活性，具有优异的分辨率，可用作辐射敏感性组合物，能够以足够的精度形成具有所需形状的图案。一种辐射敏感性组合物，包括硅烷、可水解硅烷、其水解产物或其水解缩合产物；以及光酸发生器，其中可水解硅烷包括式（1）的可水解硅烷 R1aR2bSi(R3)4-(a+b) 式（1） 其中 R1 是式 (1-2) 的有机基团 并通过 Si-C 键或 Si-O 键与硅原子结合，R3 是可水解基团；以及式（2） R7cR8dSi(R9)4-(c+d) 式（2） 其中 R7 是式 (2-1) 的有机基团 通过 Si-C 键或 Si-O 键与硅原子结合，R9 是可水解基团。
• Pattern forming method, etching method and method for producing capacitance-type input device
  申请人：FUJIFILM Corporation

  公开号：US10289001B2

  公开（公告）日：2019-05-14

  A pattern forming method includes forming a photosensitive resin composition layer on at least one surface of a substrate using a photosensitive transfer material, exposing the photosensitive resin composition layer; and developing the exposed photosensitive resin composition layer, in which the photosensitive transfer material includes a support, a thermoplastic resin layer, and a photosensitive resin composition layer in this order, and the photosensitive resin composition layer includes a polymer component (A) including a polymer having a constituent unit (a1) that includes a group in which an acid group is protected by an acid-decomposable group and a photoacid generator (B).

  一种图案形成方法包括使用光敏转印材料在基底的至少一个表面上形成光敏树脂组合物层，曝光光敏树脂组合物层；以及显影曝光的光敏树脂组合物层，其中光敏转印材料依次包括支撑体、热塑性树脂层和光敏树脂组合物层，光敏树脂组合物层包括聚合物成分（A），聚合物成分包括具有组成单元（a1）的聚合物，组成单元（a1）包括酸基被酸可分解基团保护的基团和光酸发生器（B）。
• Film-forming composition containing silicone having crosslinking reactivity
  申请人：NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.

  公开号：US10845703B2

  公开（公告）日：2020-11-24

  A film-forming composition having favorable effects such as curability and embeddability and resist underlayer film for use in lithography process for semiconductor devices. The film-forming composition including, as silane, hydrolyzable silane, hydrolysis product thereof, or hydrolysis-condensation product thereof, wherein hydrolyzable silane includes hydrolyzable silane of Formula (1): R1aR2bSi(R3)4−(a+b)  Formula (1) in Formula (1), R1 is organic group of Formula (2) and is bonded to silicon atom through Si—C bond: The film-forming composition, wherein the hydrolyzable silane is combination of hydrolyzable silane of Formula (1) with another hydrolyzable silane, wherein other hydrolyzable silane is at least one selected from group made of hydrolyzable silane of Formula (3): R7cSi(R8)4−c  Formula (3) and hydrolyzable silane of Formula (4): R9dSi(R10)3−d2Ye  Formula (4) Resist underlayer film, obtained by applying the resist underlayer film-forming composition on semiconductor substrate and baking.

  一种成膜组合物，具有良好的固化性、嵌入性和抗蚀底层膜等效果，可用于半导体器件的光刻工艺。成膜组合物包括作为硅烷的可水解硅烷、其水解产物或其水解缩合产物，其中可水解硅烷包括式（1）的可水解硅烷： R1aR2bSi(R3)4-(a+b) 式(1) 在式(1)中，R1 是式(2)的有机基团，并通过 Si-C 键与硅原子结合： 成膜组合物，其中可水解硅烷是式(1)的可水解硅烷与另一种可水解硅烷的组合，其中另一种可水解硅烷至少选自式(3)的可水解硅烷组成的基团中的一种： R7cSi(R8)4-c 式(3) 和式(4)的可水解硅烷： R9dSi(R10)3-d2Ye 式（4） 将抗蚀剂底层成膜组合物涂在半导体衬底上并烘烤而得到的抗蚀剂底层薄膜。
• Planarization method for a semiconductor substrate using a silicon-containing composition
  申请人：NISSAN CHEMICAL CORPORATION

  公开号：US10910220B2

  公开（公告）日：2021-02-02

  A method for flatly covering a semiconductor substrate using a silicon-containing composition. A method for producing a polysiloxane-coated substrate, including a first step for forming a first polysiloxane coating film by applying a first polysiloxane composition for coating to a stepped substrate and firing the composition thereon and a second step for forming a second film by applying a second polysiloxane composition for coating to the first film and firing the composition thereon. The second film has an Iso-dense bias of 50 nm or less; the first polysiloxane contains a hydrolysis-condensation product of a hydrolyzable silane starting material containing a first hydrolyzable silane having four hydrolyzable groups in each molecule at a ratio of 0-100% by mole in all the silanes; and the second polysiloxane contains silanol groups at a ratio of 30% by mole or less relative to Si atoms, while having a weight average molecular weight of 1,000-50,000.

  一种使用含硅组合物平整覆盖半导体衬底的方法。一种生产聚硅氧烷涂层衬底的方法，包括第一步，通过将用于涂层的第一种聚硅氧烷组合物涂到阶梯衬底上并在其上烧结该组合物而形成第一层聚硅氧烷涂层膜；第二步，通过将用于涂层的第二种聚硅氧烷组合物涂到第一层膜上并在其上烧结该组合物而形成第二层膜。第二层薄膜的等密度偏差为50纳米或更小；第一种聚硅氧烷含有一种可水解硅烷起始材料的水解缩合产物，该起始材料含有第一种可水解硅烷，其每个分子中具有四个可水解基团，在所有硅烷中的比例为0-100%（以摩尔计）；第二种聚硅氧烷含有硅醇基团，其相对于硅原子的比例为30%（以摩尔计）或更小，同时其重量平均分子量为1,000-50,000。
• Sulfonium salt compounds
  申请人：Wako Pure Chemical Industries, Ltd.

  公开号：EP1113005B1

  公开（公告）日：2003-08-06