作者:Adam H. Slavney、Linn Leppert、Abraham Saldivar Valdes、Davide Bartesaghi、Tom J. Savenije、Jeffrey B. Neaton、Hemamala I. Karunadasa
DOI:10.1002/anie.201807421
日期:2018.9.24
Despite their compositional versatility, most halide double perovskites feature large band gaps. Herein, we describe a strategy for achieving small band gaps in this family of materials. The new double perovskites Cs2AgTlX6 (X=Cl (1) and Br (2)) have direct band gaps of 2.0 and 0.95 eV, respectively, which are approximately 1 eV lower than those of analogous perovskites. To our knowledge, compound
尽管它们的成分用途广泛,但大多数卤化物双钙钛矿具有较大的带隙。本文中,我们描述了一种在该系列材料中实现小带隙的策略。新的双钙钛矿Cs 2 AgTlX 6(X = Cl(1)和Br(2))的直接带隙分别为2.0和0.95 eV,比类似的钙钛矿低约1 eV。据我们所知,对于任何已知的卤化物钙钛矿,化合物2的带隙最低。与A I B II X 3钙钛矿不同,A I 2 BB′X 6中的带隙跃迁钙钛矿可以显示出大量的金属间电荷转移特性。通过选择能量对齐的B和B'位置的金属前沿轨道,这种带边缘轨道的成分可实现较小的带隙。计算表明,在1的能带边缘处有一个浅的,对称的禁止区域,这导致较长的(μs)微波电导寿命。我们进一步描述了以容易的自掺杂反应2通过溴2损失在环境条件下。