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thorium(VI) trifluoride nitride | 1239955-02-2

分子结构分类

中文名称
——
中文别名
——
英文名称
thorium(VI) trifluoride nitride
英文别名
——
thorium(VI) trifluoride nitride化学式
CAS
1239955-02-2
化学式
F3NTh
mdl
——
分子量
303.04
InChiKey
IBGOIBGGOWYGQD-UHFFFAOYSA-K
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    1.28
  • 重原子数:
    5.0
  • 可旋转键数:
    0.0
  • 环数:
    0.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.0
  • 拓扑面积:
    23.79
  • 氢给体数:
    0.0
  • 氢受体数:
    1.0

反应信息

  • 作为产物:
    描述:
    三氟化氮 以 neat (no solvent, gas phase) 为溶剂, 生成 四氟化钍thorium(VI) trifluoride nitride
    参考文献:
    名称:
    三重态烟碱氮N除以ThF3,PvThF3和As除以ThF3分子的红外光谱和密度泛函计算。
    摘要:
    ium原子与NF(3),PF(3)和AsF(3)反应生成第一个act系元素三重态氧化亚锡分子,N除以ThF(3),P除以ThF(3),而As除以ThF (3)被捕获在固体氩气中,并从红外光谱中识别出来,并与计算出的振动频率进行比较。这些最低能量三重态产物的密度泛函理论计算基本上收敛到C(3v)对称结构。自旋密度计算表明,两个不成对的电子大部分位于氮2p,磷3p或砷4p轨道中。尽管th具有较小的自旋密度,但基于DFT自然键轨道分析,弱的简并pi(α)分子轨道完全由末端N,P或As组成。这与HC除以ThF(3)相反,
    DOI:
    10.1039/b909576d
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文献信息

  • Thorium Fluorides ThF, ThF<sub>2</sub>, ThF<sub>3</sub>, ThF<sub>4</sub>, ThF<sub>3</sub>(F<sub>2</sub>), and ThF<sub>5</sub><sup>–</sup> Characterized by Infrared Spectra in Solid Argon and Electronic Structure and Vibrational Frequency Calculations
    作者:Lester Andrews、K. Sahan Thanthiriwatte、Xuefeng Wang、David A. Dixon
    DOI:10.1021/ic401107w
    日期:2013.7.15
    Reactions of laser-ablated Th atoms with F2 produce ThF4 as the major product based on agreement with matrix spectra recorded of the vapor from the solid at 800–850 °C. Weaker higher-frequency bands at (567.2, 564.8), (575.9, 575.1), and (531.0, 528.4) cm–1 in argon are assigned to ThF, ThF2 and ThF3, ThF3(F2) on the basis of their chemical behavior upon increasing reagent concentrations, annealing
    激光烧蚀的Th原子与F 2的反应产生ThF 4作为主要产物,这是与在800–850°C下记录的来自固体的蒸气的基质光谱相一致的结果。在(567.2、564.8),(575.9、575.1)和(531.0、528.4)cm –1的中较弱的较高频段根据以下条件分配给ThF,ThF 2和ThF 3,ThF 3(F 2):随着试剂浓度的增加,退火和辐照,NF 3,OF 2的使用,它们的化学行为,并将HF作为F原子源,并与在DFT / B3LYP和CCSD(T)级别上计算的频率进行比较,并在Th上设置较大的分段+ ECP基础,在F上设置aug-cc-pVTZ基础。 460 cm –1的较宽谱带被分配给ThF 5 –阴离子。三方-双锥THF 5 -阴离子(7.17电子伏特的计算电子脱离能量)在THF的费用的增加3(F 2)和F 3 -上充满弧照射。通过计算显示,[ThF 3 + ] [F 2 – ]是具有侧键F
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