通过斯蒂勒偶联反应成功地合成了一系列新的以噻唑环为电子缺陷单元的聚噻吩衍生物。根据由不同侧链构型引起的相互交叉的堆积结构,将合成的聚合物分为两类(H形堆积和A形堆积)。含有噻唑单元的噻吩衍生物(PT50Tz50,PTz100和PTTz)比完整的噻吩聚合物(PT100和PTT)表现出更好的热稳定性。包含噻唑单元的聚合物(PTz100和PTTz)显示出红移的吸收光谱,具有清晰的振子结构。此外,X射线衍射和原子力显微镜的结果表明,含有噻唑单元和相互交叉的H形的聚合物表现出比其他聚合物更好的有序和连接的分子间结构。改善的分子间有序性和表面形态直接促进了薄膜晶体管(TFT)器件中电荷载流子的传输,而没有引入电荷陷阱,并产生了更高的太阳能电池性能。在这些聚合物中,PTTz共聚物表现出最佳的TFT性能(μ= 0.050 cm 2 V -1 s -1,开/关比= 10 6,并且V th= -2 V)和太阳能电池性能(PCE