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3-dodecyl-2-(naphth-2-yl)thiophene | 1170871-45-0

中文名称
——
中文别名
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英文名称
3-dodecyl-2-(naphth-2-yl)thiophene
英文别名
——
3-dodecyl-2-(naphth-2-yl)thiophene化学式
CAS
1170871-45-0
化学式
C26H34S
mdl
——
分子量
378.622
InChiKey
WKTACROQIYCLON-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    9.03
  • 重原子数:
    27.0
  • 可旋转键数:
    12.0
  • 环数:
    3.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.46
  • 拓扑面积:
    0.0
  • 氢给体数:
    0.0
  • 氢受体数:
    1.0

上下游信息

  • 下游产品
    中文名称 英文名称 CAS号 化学式 分子量

反应信息

  • 作为反应物:
    描述:
    2,5-二溴噻吩并[3,2-B]噻吩3-dodecyl-2-(naphth-2-yl)thiophene正丁基锂三丁基氯化锡 、 bis-triphenylphosphine-palladium(II) chloride 作用下, 以 四氢呋喃正己烷 为溶剂, 反应 20.0h, 以67%的产率得到2,5-bis[4-dodecyl-5-(naphth-2-yl)thiophen-2-yl]thieno[3,2-b]thiophene
    参考文献:
    名称:
    Thieno[3,2-b]thiophene oligomers and their applications as p-type organic semiconductors
    摘要:
    本研究描述了薄膜晶体管(TFT)应用中一系列新型可溶性噻吩[3,2-b]噻吩低聚物(1a和b以及2a和b)的合成、表征和电子特性。所有化合物均采用钯催化的斯蒂尔或铃木偶联反应合成,并在噻吩单元的3或4位上被两个十二烷基取代,以确保在简易器件制造中的可溶性。苯基和萘基等芳基单元用于“端封”,以提供抗氧化稳定性。这些材料的设计侧重于其自组装和溶液可加工性。所有化合物均通过1H、13C NMR和元素分析进行了表征。利用紫外-可见光和光致发光光谱、循环伏安法、热重分析(TGA)和差示扫描量热法(DSC)研究了它们的电子和光学特性。吸附在HOPG上的1a和2a的高分辨率STM图像揭示了高度有序的自组织域。二维广角X射线散射(2D-WAXS)用于研究1a和2a的固态堆积。通过旋涂制备了1a的顶部接触OTFT器件,并显示出良好的性能,迁移率高达3.11×10-2 cm2V-1 s-1,开/关比高达104。
    DOI:
    10.1039/b900979e
  • 作为产物:
    描述:
    2-溴萘3-十二烷基噻吩叔丁基锂三丁基氯化锡 、 bis-triphenylphosphine-palladium(II) chloride 作用下, 以 四氢呋喃 为溶剂, 反应 12.0h, 以85%的产率得到3-dodecyl-2-(naphth-2-yl)thiophene
    参考文献:
    名称:
    Thieno[3,2-b]thiophene oligomers and their applications as p-type organic semiconductors
    摘要:
    本研究描述了薄膜晶体管(TFT)应用中一系列新型可溶性噻吩[3,2-b]噻吩低聚物(1a和b以及2a和b)的合成、表征和电子特性。所有化合物均采用钯催化的斯蒂尔或铃木偶联反应合成,并在噻吩单元的3或4位上被两个十二烷基取代,以确保在简易器件制造中的可溶性。苯基和萘基等芳基单元用于“端封”,以提供抗氧化稳定性。这些材料的设计侧重于其自组装和溶液可加工性。所有化合物均通过1H、13C NMR和元素分析进行了表征。利用紫外-可见光和光致发光光谱、循环伏安法、热重分析(TGA)和差示扫描量热法(DSC)研究了它们的电子和光学特性。吸附在HOPG上的1a和2a的高分辨率STM图像揭示了高度有序的自组织域。二维广角X射线散射(2D-WAXS)用于研究1a和2a的固态堆积。通过旋涂制备了1a的顶部接触OTFT器件,并显示出良好的性能,迁移率高达3.11×10-2 cm2V-1 s-1,开/关比高达104。
    DOI:
    10.1039/b900979e
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