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5-Bromo-2-(3,5-dimethylphenyl)-1,3-thiazole | 1020110-30-8

中文名称
——
中文别名
——
英文名称
5-Bromo-2-(3,5-dimethylphenyl)-1,3-thiazole
英文别名
——
5-Bromo-2-(3,5-dimethylphenyl)-1,3-thiazole化学式
CAS
1020110-30-8
化学式
C11H10BrNS
mdl
——
分子量
268.177
InChiKey
LLBLPQMAYLOHHB-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    4.4
  • 重原子数:
    14
  • 可旋转键数:
    1
  • 环数:
    2.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.18
  • 拓扑面积:
    41.1
  • 氢给体数:
    0
  • 氢受体数:
    2

上下游信息

  • 下游产品
    中文名称 英文名称 CAS号 化学式 分子量

反应信息

  • 作为反应物:
    描述:
    5-Bromo-2-(3,5-dimethylphenyl)-1,3-thiazole2,6-双(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二噁硼烷-2-基)蒽四(三苯基膦)钯 sodium carbonate 作用下, 以 乙醇甲苯 为溶剂, 反应 44.0h, 以70%的产率得到bis(2-(3,5-xylyl)-1,3-thiazol-5-yl)-2,6-anthracene
    参考文献:
    名称:
    Organic semiconductor material and organic thin-film transistor
    摘要:
    本发明涉及一种有机半导体材料,包括由下列通式(1)所表示的噻唑化合物和使用该有机半导体材料的有机薄膜晶体管:A1-B1-C1  (1),其中A1和C1分别代表未取代或取代的噻唑环,B1代表未取代或取代的苯环或未取代或取代的多环芳香环。因此,本发明提供了一种具有高开关电流和优异的储存稳定性的有机半导体材料和使用该有机半导体材料的有机薄膜晶体管。
    公开号:
    US08148543B2
  • 作为产物:
    参考文献:
    名称:
    Organic semiconductor material and organic thin-film transistor
    摘要:
    本发明涉及一种有机半导体材料,包括由下列通式(1)所表示的噻唑化合物和使用该有机半导体材料的有机薄膜晶体管:A1-B1-C1  (1),其中A1和C1分别代表未取代或取代的噻唑环,B1代表未取代或取代的苯环或未取代或取代的多环芳香环。因此,本发明提供了一种具有高开关电流和优异的储存稳定性的有机半导体材料和使用该有机半导体材料的有机薄膜晶体管。
    公开号:
    US08148543B2
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文献信息

  • ORGANIC SEMICONDUCTOR MATERIAL AND ORGANIC THIN-FILM TRANSISTOR
    申请人:Doi Noriyuki
    公开号:US20080087884A1
    公开(公告)日:2008-04-17
    Disclosed are an organic semiconductor material including a thiazole compound represented by the following general formula (1) and an organic thin-film transistor using the organic semiconductor material: A1-B1-C1  (1) wherein A1 and C1 each represent an unsubstituted or substituted thiazole ring, and B1 represents an unsubstituted or substituted benzene ring or an unsubstituted or substituted polycondensed aromatic ring. Accordingly, there are provided an organic semiconductor material having high ON current and excellent storage stability and an organic thin-film transistor using the organic semiconductor material.
  • US8148543B2
    申请人:——
    公开号:US8148543B2
    公开(公告)日:2012-04-03
  • Organic semiconductor material and organic thin-film transistor
    申请人:Canon Kabushiki Kaisha
    公开号:US08148543B2
    公开(公告)日:2012-04-03
    Disclosed are an organic semiconductor material including a thiazole compound represented by the following general formula (1) and an organic thin-film transistor using the organic semiconductor material: A1-B1-C1  (1) wherein A1 and C1 each represent an unsubstituted or substituted thiazole ring, and B1 represents an unsubstituted or substituted benzene ring or an unsubstituted or substituted polycondensed aromatic ring. Accordingly, there are provided an organic semiconductor material having high ON current and excellent storage stability and an organic thin-film transistor using the organic semiconductor material.
    本发明涉及一种有机半导体材料,包括由下列通式(1)所表示的噻唑化合物和使用该有机半导体材料的有机薄膜晶体管:A1-B1-C1  (1),其中A1和C1分别代表未取代或取代的噻唑环,B1代表未取代或取代的苯环或未取代或取代的多环芳香环。因此,本发明提供了一种具有高开关电流和优异的储存稳定性的有机半导体材料和使用该有机半导体材料的有机薄膜晶体管。
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