聚(
3-辛基呋喃)已合成具有三种区域规则:P3OF-95、P3OF-75 和 P3OF-50,其中数字表示 HT 含量的百分比。95% HT 材料是高度结晶的,其结构类似于 HT-聚(
3-辛基噻吩),P3OT。层状间距为 22.1 A,pi 堆叠距离为 3.81 A。紫外可见光谱显示 P3OF-95 在 CHCl(3) 溶液中聚集,P3OF-95 的固体薄膜,但不是 P3OF-75 或 -50 ,显示由于 pi 系统在堆叠形态中的相互作用,Davydov 和激子带分裂。Davydov 分裂的估计值为 0.15 eV (1200 cm(-1))。P3OF 相对于
二茂铁/
二茂铁在 0.32 V 下被可逆氧化,但将电位增加到 1.15 V 会导致不可逆氧化。P3OF 薄膜可以用
碘蒸气进行 p 掺杂。掺杂的 P3OF-95 和 -75 薄膜的电导率分别为 10(-2) 和 10(-7) S/cm。
碘掺杂薄膜的