techniques. The results indicate that thin films of 2, 4, and 6, with long and branched alkyl chains, show air‐stable n‐type semiconducting properties with electron mobilities of up to 0.035 cm2 V−1 s−1 after thermal annealing, whereas 1, 3, and 5, with short alkyl chains, behave as n‐type semiconductors under a nitrogen atmosphere with electron mobilities of up to 0.075 cm2 V−1 s−1 after thermal annealing
据报道,具有发光和半导体功能的新型芳基
乙炔取代的
萘二
酰亚胺(
NDI)1-6。其中,确定了1的晶体结构。根据它们的还原电势和薄膜吸收光谱,估算了这些改性
NDI的HOMO / LUMO能量。结果表明,侧基的芳基对它们的HOMO / LUMO能量有轻微的影响。这些
NDI的发射颜色从绿色到红色不等,有趣的是,它们显示出聚集诱导的发射增强行为,固态时的荧光量子产率达到9.86%。的微米棒1,3,及5显示出具有相对较低的光损耗系数的典型光波导行为。具有这些
NDI薄膜的有机场效应晶体管是采用常规技术制造的。结果表明的那薄膜2,4,和6,长链和支链烷基链,显示空气稳定的n型半导体与最多的电子迁移率的性质0.035厘米2 V -1 小号-1热处理后,而1,3和5,具有短烷基链,表现为与最多的电子迁移率在氮气氛下的n型半导体,以0.075厘米2 V -1热退火后的 s -1。