11,30-Bis(4,6-dipropylnonan-5-yl)-11,30-diazatridecacyclo[22.14.2.22,5.26,9.225,28.03,20.04,17.07,16.08,13.021,39.026,35.027,32.036,40]hexatetraconta-1(39),2,4,6,8,13,15,17,19,21,23,25(42),26(35),27(32),28(41),33,36(40),37,43,45-icosaene-10,12,29,31-tetrone | 1135063-42-1

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 芘
• 英文名称: 11,30-Bis(4,6-dipropylnonan-5-yl)-11,30-diazatridecacyclo[22.14.2.22,5.26,9.225,28.03,20.04,17.07,16.08,13.021,39.026,35.027,32.036,40]hexatetraconta-1(39),2,4,6,8,13,15,17,19,21,23,25(42),26(35),27(32),28(41),33,36(40),37,43,45-icosaene-10,12,29,31-tetrone
• CAS: 1135063-42-1
• 化学式: C₇₄H₇₈N₂O₄
• 分子量: 1059.44
• InChiKey: LBBCEENDYDINDE-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  21.5
• 重原子数：
  80
• 可旋转键数：
  22
• 环数：
  13.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.41
• 拓扑面积：
  74.8
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  4

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  N-(4,6-dipropylnon-5-yl)perylene-3,4-dicarboxylic monoimide 在 potassium tert-butylate 、 C.I.酸性橙108 、 1,8-二氮杂双环[5.4.0]十一碳-7-烯 作用下， 反应 22.0h， 以23%的产率得到11,30-Bis(4,6-dipropylnonan-5-yl)-11,30-diazatridecacyclo[22.14.2.22,5.26,9.225,28.03,20.04,17.07,16.08,13.021,39.026,35.027,32.036,40]hexatetraconta-1(39),2,4,6,8,13,15,17,19,21,23,25(42),26(35),27(32),28(41),33,36(40),37,43,45-icosaene-10,12,29,31-tetrone
  参考文献：
  名称：

  Solution-Shear-Processed Quaterrylene Diimide Thin-Film Transistors Prepared by Pressure-Assisted Thermal Cleavage of Swallow Tails

  摘要：

  A scalable synthesis of swallow-tailed quaterrylene diimides (STQDIs) and a method for the solution processing of sparingly soluble quaterrylene diimide (QDI) thin films are described. The pressure-assisted thermal cleavage of swallow tails yields crystalline QDI layers with electron mobility up to 0.088 cm(2) V(-1) s(-1). The developed method opens up a new route toward the solution processing of higher rylene diimides with poor solubility.

  DOI：

  10.1021/ja110486s

文献信息

• VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON MIT RYLENTETRACARBONSAEUREDIIMIDEN BESCHICHTETEN SUBSTRATEN
  申请人：Konemann Martin

  公开号：US20090078312A1

  公开（公告）日：2009-03-26

  The present invention relates to a process for producing a substrate coated with rylenetetracarboximides, in which a substrate is treated with an N,N′-bisubstituted rylenetetracarboximide and the treated substrate is heated to a temperature at which the N,N′-bisubstituted rylenetetracarboximide is converted to the corresponding N,N′-unsubstituted compound. The present invention further relates to semiconductor units, organic solar cells, excitonic solar cells and organic light-emitting diodes which comprise a substrate produced by this process. The present invention further relates to a process for preparing N,N′-unsubstituted rylenetetracarboximides, in which the corresponding N,N′-bisubstituted rylenetetracarboximides are provided and heated to a temperature at which these compounds are converted to the corresponding N,N′-unsubstituted compounds.
• [DE] VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON MIT RYLENTETRACARBONSÄUREDIIMIDEN BESCHICHTETEN SUBSTRATEN<br/>[EN] METHOD FOR PRODUCING SUBSTRATES COATED WITH RYLENE TETRACARBOLIC ACID DIIMIDES<br/>[FR] PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRATS REVÊTUS DE COUCHES DE DIIMIDES D'ACIDE TÉTRACARBOXYLIQUE DE RYLÈNE
  申请人：BASF SE

  公开号：WO2009037283A1

  公开（公告）日：2009-03-26

  Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines mit Rylentetracarbonsäurediimiden beschichteten Substrats, bei dem man ein Substrat mit einem N,N'-bisubstituierten Rylentetracarbonsäurediimid behandelt und das behandelte Substrat auf eine Temperatur erwärmt, bei der das N,N'-bisubstituierte Rylentetracarbonsäurediimid in die entsprechende N,N'-unsubstituierte Verbindung überführt wird. Weiterhin betrifft die vorliegende Erfindung Halbleiterbausteine, Organische Solarzellen, excitonische Solarzellen und organische Leuchtdioden, die ein gemäß diesem Verfahren hergestelltes beschichtetes Substrat umfassen. Weiterhin betrifft die vorliegende Erfindung ein Verfahren zur Herstellung N,N'-unsubstituierter Rylentetracarbonsäurediimide bei dem man entsprechende N,N'-bisubstituierte Rylentetracarbonsäurediimide bereitstellt und auf eine Temperatur erwärmt, bei der diese Verbindungen in die entsprechenden N,N'-unsubstituierten Verbindungen überführt werden.
• Solution-Shear-Processed Quaterrylene Diimide Thin-Film Transistors Prepared by Pressure-Assisted Thermal Cleavage of Swallow Tails
  作者：Joon Hak Oh、Wen-Ya Lee、Torsten Noe、Wen-Chang Chen、Martin Könemann、Zhenan Bao

  DOI：10.1021/ja110486s

  日期：2011.3.30

  A scalable synthesis of swallow-tailed quaterrylene diimides (STQDIs) and a method for the solution processing of sparingly soluble quaterrylene diimide (QDI) thin films are described. The pressure-assisted thermal cleavage of swallow tails yields crystalline QDI layers with electron mobility up to 0.088 cm(2) V(-1) s(-1). The developed method opens up a new route toward the solution processing of higher rylene diimides with poor solubility.