N-(sec.-Butyl)-carbamimidoylameisensaeure | 34669-85-7

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机酸及其衍生物 - 羧酸及其衍生物
• 英文名称: N-(sec.-Butyl)-carbamimidoylameisensaeure
• 英文别名: 2-Amino-2-butan-2-yliminoacetic acid
• CAS: 34669-85-7
• 化学式: C₆H₁₂N₂O₂
• mdl: MFCD19222853
• 分子量: 144.173
• InChiKey: IBIFBIPZVSLHAT-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  0.5
• 重原子数：
  10
• 可旋转键数：
  3
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.666
• 拓扑面积：
  75.7
• 氢给体数：
  2
• 氢受体数：
  3

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  仲丁胺 、 Amino(sulfanylidene)acetic acid 在 lead(II) oxide 作用下， 以 甲醇 为溶剂， 生成 N-(sec.-Butyl)-carbamimidoylameisensaeure
  参考文献：
  名称：

  N-取代氨基甲酰甲酸的合成

  摘要：

  研究了 N-取代的氨基甲酰甲酸 (6) 的几种合成方法。其中，1-羧基乙氧基甲酰亚胺乙酯或硫代草酰胺乙酯与胺缩合，然后部分水解得到不成功的结果，除了后者反应中的苄胺的情况。根据所使用的条件，在水中用烷基胺直接取代硫代草酰胺酸钾 (9) 以相当好的收率得到 6、钾和/或烷基铵 N-取代的硫代草酰胺酸。反应体系中重金属离子的存在导致了 9 的广泛分解，然而，通过用氧化汞或氧化铅在甲醇中处理烷基铵和芳基铵 N-未取代或 N-取代的硫代草酰胺，取代过程顺利进行分别以良好的产率得到 6 或 N,N-二取代的氨基甲酰甲酸。

  DOI：

  10.1246/bcsj.44.3131

文献信息

• Atomic layer deposition using metal amidinates
  申请人：President and Fellows of Harvard College

  公开号：EP2182088A1

  公开（公告）日：2010-05-05

  Metal films are deposited with uniform thickness and excellent step coverage. Copper metal films were deposited on heated substrates by the reaction of alternating doses of copper(I) NN'-diisopropylacetamidinate vapor and hydrogen gas. Cobalt metal films were deposited on heated substrates by the reaction of alternating doses of cobalt(II) bis(N,N'-diisopropylacetamidinate) vapor and hydrogen gas. Nitrides and oxides of these metals can be formed by replacing the hydrogen with ammonia or water vapor, respectively. The films have very uniform thickness and excellent step coverage in narrow holes. Suitable applications include electrical interconnects in microelectronics and magnetoresistant layers in magnetic information storage devices.

  沉积的金属膜厚度均匀，阶跃覆盖性极佳。铜金属膜是通过交替使用 NN'-二异丙基乙酰胺铜（I）蒸气和氢气反应沉积在加热的基底上的。通过交替使用双(N,N'-二异丙基乙酰胺基)钴(II)蒸气和氢气，在加热的基底上沉积出金属钴膜。用氨气或水蒸气代替氢气，可分别形成这些金属的氮化物和氧化物。薄膜的厚度非常均匀，在窄孔中具有良好的阶跃覆盖性。适合的应用包括微电子中的电气互连和磁性信息存储设备中的抗磁层。
• ATOMIC LAYER DEPOSITION USING METAL AMIDINATES
  申请人：PRESIDENT AND FELLOWS OF HARVARD COLLEGE

  公开号：EP1563117A2

  公开（公告）日：2005-08-17
• US7557229B2
  申请人：——

  公开号：US7557229B2

  公开（公告）日：2009-07-07
• US7737290B2
  申请人：——

  公开号：US7737290B2

  公开（公告）日：2010-06-15
• US8455672B2
  申请人：——

  公开号：US8455672B2

  公开（公告）日：2013-06-04