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tungsten nitride trichloride | 14259-69-9

分子结构分类

中文名称
——
中文别名
——
英文名称
tungsten nitride trichloride
英文别名
nitridotungsten trichloride;azanylidyne(trichloro)tungsten
tungsten nitride trichloride化学式
CAS
14259-69-9
化学式
Cl3NW
mdl
——
分子量
304.216
InChiKey
USPPLEXGVFIOBY-UHFFFAOYSA-K
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    2.08
  • 重原子数:
    5.0
  • 可旋转键数:
    0.0
  • 环数:
    0.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.0
  • 拓扑面积:
    23.79
  • 氢给体数:
    0.0
  • 氢受体数:
    1.0

反应信息

  • 作为反应物:
    描述:
    tungsten nitride trichloride1,2-dicyano-4,5-diheptylbenzene 以 melt 为溶剂, 以15%的产率得到nitrido(octa-n-heptylphthalocyaninato)tungsten(V)
    参考文献:
    名称:
    Synthesis of Nitrido(phthalocyaninato)metal(V) Complexes RnPcMN (M = Re, Mo, W) and New Compounds with Nitrido‐Bridges between Rhenium and Elements of the Third Main Group
    摘要:
    摘要 合成了新的四代和八代氮rido(酞菁)金属(V)配合物 RnPcMN (M = Re, Mo, W),从而获得了可溶性的氮桥接酞菁。由氮rido(四叔丁基酞菁)铼(V)配合物 tBu4PcReN 和合适的亲电试剂(如 BCl3、B(C6F5)3、BPh3、BEt3、AlCl3、GaCl3、GaBr3、InCl3 等)分别合成了铼与硼、铝、镓和铟之间具有氮rido 桥的酞菁。根据硼原子上取代基的不同,制备的氮rido-bridged 化合物显示出不同的稳定性。此外,还研究了用 C8K 还原 (C5H11)8PcWN 复合物以增加其亲核性的可能性。还原络合物与亲电物(例如与 tBuMeSiCl、Ph3SiCl 和 Me3GeCl)的反应表明形成了氮桥络合物。
    DOI:
    10.1002/zaac.200390149
  • 作为产物:
    描述:
    N-chloroimido-tungsten-tetrachloride 以 neat (no solvent) 为溶剂, 生成 tungsten nitride trichloride
    参考文献:
    名称:
    Goerge, Astrid; Dehnicke, Kurt; Fenske, Dieter, Zeitschrift fur Naturforschung, B: Chemical Sciences, 1988, vol. 43, # 6, p. 677 - 681
    摘要:
    DOI:
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文献信息

  • Novel Nitrido- and Oxo(phthalocyaninato) Complexes of Molybdenum, Tungsten and Rhenium
    作者:Karsten Frick、Sanjiv Verma、Jörg Sundermeyer、Michael Hanack
    DOI:10.1002/(sici)1099-0682(200005)2000:5<1025::aid-ejic1025>3.0.co;2-s
    日期:2000.5
    The synthesis of new nitrido(phthalocyaninato)molybdenum (1–4) and -tungsten complexes (5–7) starting from the corresponding phthalonitriles and MNCl3 (M = Mo, W) is reported. In addition, the reaction of (tBu4Pc)WN (6) with PPh3 leading, after several steps, to the diamagnetic compound (tBu4Pc)WO (7) is described. The reaction of (tBu4Pc)ReN (9) with PPh3 leads to [(tBu4Pc)ReO]2 (12), and of [(C5H11)8Pc]ReN
    报道了从相应的邻苯二甲腈和 MNCl3 (M = Mo, W) 开始合成新的氮化(酞菁 (1-4) 和配合物 (5-7)。此外,还描述了 (tBu4Pc)WN (6) 与 PPh3 的反应,经过几个步骤,生成抗磁性化合物 (tBu4Pc)WO (7)。(tBu4Pc)ReN (9) 与 PPh3 的反应生成 [(tBu4Pc)ReO]2 (12),[(C5H11)8Pc]ReN (10) 与 PPh3 的反应在不同条件下生成 [( ) )8Pc]ReO}2O (11)。
  • Tungsten Nitrido Complexes as Precursors for Low Temperature Chemical Vapor Deposition of WN<sub><i>x</i></sub>C<sub><i>y</i></sub> Films as Diffusion Barriers for Cu Metallization
    作者:K. Randall McClain、Christopher O’Donohue、Arijit Koley、Richard O. Bonsu、Khalil A. Abboud、Joseph C. Revelli、Timothy J. Anderson、Lisa McElwee-White
    DOI:10.1021/ja4117582
    日期:2014.1.29
    the form WN(NR2)3 [R = combinations of Me, Et, (i)Pr, (n)Pr] have been synthesized as precursors for the chemical vapor deposition of WN(x)C(y), a material of interest for diffusion barriers in Cu-metallized integrated circuits. These precursors bear a fully nitrogen coordinated ligand environment and a nitrido moiety (W≡N) designed to minimize the temperature required for film deposition. Mass spectrometry
    已合成 WN(NR2)3 [R = Me、Et、(i)Pr、(n)Pr 的组合] 形式的氮化钨配合物作为 WN(x)C(y) 化学气相沉积的前体,一种对属化集成电路中的扩散阻挡层感兴趣的材料。这些前体具有完全氮配位的配体环境和氮基部分 (W≡N),旨在将薄膜沉积所需的温度降至最低。前体的质谱和固态热解通过从单体和二聚体物种中损失游离二烷基胺产生常见碎片。WN(NMe2)3 上的 DFT 计算表明,在形成氮桥二聚体后,HNMe2 损失的最低气相能量途径是 β-H 转移。WN(x)C(y) 的非晶薄膜是从 WN(NMe2)3 作为单一来源的前驱体在 125 到 650 °C 的温度范围内使用气溶胶辅助化学气相沉积 (AACVD) 以吡啶作为溶剂生长的。化学计量接近 W2NC 的薄膜在 150 到 450°C 之间生长,在 150°C 生长的薄膜非常光滑,RMS 粗糙度为 0.5 nm。在扩散阻挡测试中,30
  • Die Kristallstrukturen der Hexachlorometallate NH4[SbCl6], NH4[WCl6], [K(18-Krone-6)(CH2Cl2)]2[WCl6]·6CH2Cl2 und (PPh4)2[WCl6]·4CH3CN
    作者:C. Lau、A. Dietrich、M. Plate、P. Dierkes、B. Neumüller、S. Wocadlo、W. Massa、K. Harms、K. Dehnicke
    DOI:10.1002/zaac.200390078
    日期:2003.3
    (PPh4)2[WCl6]·4CH3CN kristallisiert monoklin in der Raumgruppe P21/c mit Z = 4. Auch diese Verbindung bildet zentrosymmetrische Ionentripel, in denen zusatzlich die Acetonitrilmolekule uber schwache C—H···Cl-Kontakte mit dem [WCl6]2—-Ion verbunden sind. Crystal Structures of the Hexachlorometalates NH4[SbCl6], NH4[WCl6], [K(18-crown-6)(CH2Cl2)]2[WCl66CH2Cl2 and (PPh4)2[WCl64CH3CN The crystal structures of the title
    借助X-射线单晶结构分析确定标题化合物的晶体结构。NH4 [SbCl6] 和 NH4 [WCl6] 在空间群 C2 / c 中彼此同型结晶,每个晶胞有四个分子式单元。NH4 + 离子位于双重旋转轴上,[MCl6] - 离子的属原子占据反转中心。存在弱的离子间氢键。[K (18-Krone-6) (CH2Cl2)] 2 [WCl6] · 6 在空间群 R3¯ / m 中正交结晶,Z = 3。该化合物形成中心对称离子三元组,其中钾离子与一个 WCl3 面配位每个。在与此相反的位置, 分子的 Cl 原子配位,导致配位数为 10,与冠醚的 O 原子一起。(PPh4) 2 [WCl6] · 4CH3CN 在 Z = 4 的空间群 P21 / c 中单斜结晶。该化合物也形成中心对称离子三联体,其中乙腈分子也具有弱 C — H ... Cl 与 [WCl6 ] 2 - 离子相连。六氯属盐的晶体结构
  • Homsy, Nayla K.; Roesky, Herbert W.; Noltemeyer, Mathias, Journal of the Chemical Society, Dalton Transactions, 1985, p. 2205 - 2208
    作者:Homsy, Nayla K.、Roesky, Herbert W.、Noltemeyer, Mathias、Sheldrick, George M.
    DOI:——
    日期:——
  • Massa, Werner; Kujanek, Richard; Baum, Gerhard, Angewandte Chemie, 1984, vol. 96, p. 149 - 149
    作者:Massa, Werner、Kujanek, Richard、Baum, Gerhard、Dehnicke, Kurt
    DOI:——
    日期:——
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