本发明属于光电材料应用科技领域,具体涉及一种热致延迟荧光材料及其制备方法和应用。本发明通过在供体和受体片段之间或供/受体片段上引入“苯桥”构成了一种热致延迟荧光材料,扩展其π共轭程度,扩大分离电子的距离,材料离域效应设计避免了三重态‑电荷反应能量损耗,从调控激子跃迁角度改善器件效率滚降。当作为发光层客体材料或出光层材料应用至器件时,供受体片段上的N取代会导致发光波长蓝移,弱化二苯
硫砜的吸电子能力,利于拓宽能隙,实现深蓝光,且低于主体材料的三线态能级能够有效抑制从客体到主体的三线态能量倒流,从而将三线态激子限制在发光层内,提高光取出效率,是一种理想的发光层客体材料和出光层材料。