摘要:
(PMe 3)4 RhMe与H 2 SiPh 2的反应导致CH 4的消除和铑甲硅烷基络合物(Me 3 P)4 RhSiHPh 2的生成(1; 62%的分离产率)。化合物1看起来呈三角形双锥体几何结构,且甲硅烷基在轴向位置,与16电子配合物(Me 3 P)3 RhSiHPh 2(2)处于平衡状态。(Me 3 P)3 RhCl与(THF)2 LiSiHMes 2的反应(Mes = 2,4,6-三甲基苯基)在甲苯中导致形成金属化物,其通过X射线晶体学表征。化合物3也通过(Me 3 P)4 RhMe与H 2 SiMes 2反应制备。的反应(ME 3 P)4 RhMe与1个当量的d 2个SIMES 2在甲苯中导致的Rh-H,SiH基,RhCH之间的氘分布2,和ö的-Me位置3。由于存在过量的PMe 3时,平衡的速率不会降低,我们提出连续的Si-H和C-H还原消除/氧化加成循环是氘加扰过程的原因。