我们开发了一种新的七环苯并二(环戊二噻吩)(BDCPDT)单元,其中中心苯并[1,2- b:4,5- b ']二噻吩(BDT)亚基的3,7位与3-两个外部噻吩的两个正电子通过两个碳桥形成正电子,形成两个外部CPDT环,这些CPDT环与中央BDT核共享两个噻吩环。通过Stille聚合将distannyl- BDCPDT结构单元与1,3-二溴-噻吩并[3,4- c ]吡咯-4,6-二酮(TPD)共聚,得到新的供体-受体交替共聚物PBDCPDT-TPD。强制平面化的实施极大地抑制了环间扭曲,从而延长了有效共轭长度,并保留了供体和受体链段之间的相互作用。使用PBDCPDT-TPD / PC 71 BM(1:3 in wt%)共混物与二甲亚砜作为添加剂加工的设备可提供6.6%的显着PCE,与使用相应的非融合聚合物类似物的设备相比具有显着增强PCE为0.2%。
我们开发了一种新的七环苯并二(环戊二噻吩)(BDCPDT)单元,其中中心苯并[1,2- b:4,5- b ']二噻吩(BDT)亚基的3,7位与3-两个外部噻吩的两个正电子通过两个碳桥形成正电子,形成两个外部CPDT环,这些CPDT环与中央BDT核共享两个噻吩环。通过Stille聚合将distannyl- BDCPDT结构单元与1,3-二溴-噻吩并[3,4- c ]吡咯-4,6-二酮(TPD)共聚,得到新的供体-受体交替共聚物PBDCPDT-TPD。强制平面化的实施极大地抑制了环间扭曲,从而延长了有效共轭长度,并保留了供体和受体链段之间的相互作用。使用PBDCPDT-TPD / PC 71 BM(1:3 in wt%)共混物与二甲亚砜作为添加剂加工的设备可提供6.6%的显着PCE,与使用相应的非融合聚合物类似物的设备相比具有显着增强PCE为0.2%。
Synthesis of a New Ladder-Type Benzodi(cyclopentadithiophene) Arene with Forced Planarization Leading to an Enhanced Efficiency of Organic Photovoltaics
(BDCPDT) unit, where 3,7-positions of the central benzo[1,2-b:4,5-b′]dithiophenes (BDT) subunit are covalently rigidified with 3-positons of the two external thiophenes by two carbon bridges, forming two external CPDT rings that share two thiophene rings with the central BDT core. The distannyl-BDCPDT building block was copolymerized with 1,3-dibromo-thieno[3,4-c]pyrrole-4,6-dione (TPD) by Stille polymerization
我们开发了一种新的七环苯并二(环戊二噻吩)(BDCPDT)单元,其中中心苯并[1,2- b:4,5- b ']二噻吩(BDT)亚基的3,7位与3-两个外部噻吩的两个正电子通过两个碳桥形成正电子,形成两个外部CPDT环,这些CPDT环与中央BDT核共享两个噻吩环。通过Stille聚合将distannyl- BDCPDT结构单元与1,3-二溴-噻吩并[3,4- c ]吡咯-4,6-二酮(TPD)共聚,得到新的供体-受体交替共聚物PBDCPDT-TPD。强制平面化的实施极大地抑制了环间扭曲,从而延长了有效共轭长度,并保留了供体和受体链段之间的相互作用。使用PBDCPDT-TPD / PC 71 BM(1:3 in wt%)共混物与二甲亚砜作为添加剂加工的设备可提供6.6%的显着PCE,与使用相应的非融合聚合物类似物的设备相比具有显着增强PCE为0.2%。
A new ladder-type benzodi(cyclopentadithiophene)-based donor–acceptor polymer and a modified hole-collecting PEDOT:PSS layer to achieve tandem solar cells with an open-circuit voltage of 1.62 V
We have developed a new ladder-type conjugated polymer PBDCPDTâFBT and a robust interconnecting layer (ICL) integrating a hole-collecting m-PEDOT:PSS layer with an electron-collecting ZnO layer. The inverted device using PBDCPDTâFBT exhibited a high power conversion efficiency (PCE) of 5.76% with a Voc of 0.81 V, a Jsc of 12.82 mA cmâ2, and a FF of 55.5%. The inverted tandem device incorporating the PBDCPDTâFBT and ICL achieves a Voc of 1.62 V leading to a PCE of 7.08%.